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Diskrete Halbleiterprodukte(5717)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)
SIB911DK-T1-E3	-	Anfrage	8880	Vishay Siliconix	TrenchFET®	Tape & Reel (TR)	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	PowerPAK® SC-75-6L Dual	SIB911	MOSFET (Metalloxid)	3,1 W	PowerPAK® SC-75-6L Dual	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 P-Kanal (Dual)		20V	2,6A		295 mOhm bei 1,5 A, 4,5 V	1 V bei 250 µA	4nC bei 8V		115pF bei 10V	-
SIUD401ED-T1-GE3	0,4300	Anfrage	8874	Vishay Siliconix	TrenchFET® Gen III	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	PowerPAK® 0806	SIUD401	MOSFET (Metalloxid)		PowerPAK® 0806	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)			EAR99	8541.29.0095	3.000		P-Kanal	30 V	500mA (Ta)	2,5 V, 10 V	1.573 Ohm bei 200 mA, 10 V	1,4 V bei 250 µA	2 nC bei 10 V	±12V	33 pF bei 15 V	-	1,25 W (Ta)
IRFR9020TR	-	Anfrage	6211	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63	IRFR9020	MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	2.000		P-Kanal	50 V	9,9 A (Tc)	10V	280 mOhm bei 5,7 A, 10 V	4 V bei 250 µA	14 nC bei 10 V	±20V	490 pF bei 25 V	-	42W (Tc)
IRFPF50PBF	6.9100	Anfrage	485	Vishay Siliconix	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3	IRFPF50	MOSFET (Metalloxid)		TO-247AC	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		*IRFPF50PBF	EAR99	8541.29.0095	25		N-Kanal	900 V	6,7 A (Tc)	10V	1,6 Ohm bei 4 A, 10 V	4 V bei 250 µA	200 nC bei 10 V	±20V	2900 pF bei 25 V	-	190 W (Tc)
SIHH14N65EF-T1-GE3	5.4100	Anfrage	3783	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN	SIHH14	MOSFET (Metalloxid)		PowerPAK® 8 x 8	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal	650 V	15A (Tc)	10V	271 mOhm bei 7 A, 10 V	4 V bei 250 µA	98 nC bei 10 V	±30V	1749 pF bei 100 V	-	156 W (Tc)
IRFR9014TR	-	Anfrage	6319	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63	IRFR9014	MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	2.000		P-Kanal	60 V	5,1A (Tc)	10V	500 mOhm bei 3,1 A, 10 V	4 V bei 250 µA	12 nC bei 10 V	±20V	270 pF bei 25 V	-	2,5 W (Ta), 25 W (Tc)
IRF9Z10PBF-BE3	1.6300	Anfrage	862	Vishay Siliconix	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3	IRF9Z10	MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		742-IRF9Z10PBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		P-Kanal	60 V	6,7 A (Tc)		500 mOhm bei 4 A, 10 V	4 V bei 250 µA	12 nC bei 10 V	±20V	270 pF bei 25 V	-	43W (Tc)
SIHH26N60E-T1-GE3	5.6100	Anfrage	2	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN	SIHH26	MOSFET (Metalloxid)		PowerPAK® 8 x 8	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal	600 V	25A (Tc)	10V	135 mOhm bei 13 A, 10 V	4 V bei 250 µA	116 nC bei 10 V	±30V	2815 pF bei 100 V	-	202W (Tc)
IRF730AL	-	Anfrage	4589	Vishay Siliconix	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA	IRF730	MOSFET (Metalloxid)		I2PAK	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		*IRF730AL	EAR99	8541.29.0095	50		N-Kanal	400 V	5,5 A (Tc)	10V	1 Ohm bei 3,3 A, 10 V	4,5 V bei 250 µA	22 nC bei 10 V	±30V	600 pF bei 25 V	-	74W (Tc)
SI4840BDY-T1-GE3	1.6600	Anfrage	13	Vishay Siliconix	TrenchFET®	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)	SI4840	MOSFET (Metalloxid)		8-SOIC	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal	40 V	19A (Tc)	4,5 V, 10 V	9 mOhm bei 12,4 A, 10 V	3 V bei 250 µA	50 nC bei 10 V	±20V	2000 pF bei 20 V	-	2,5 W (Ta), 6 W (Tc)
SI7866ADP-T1-E3	-	Anfrage	5378	Vishay Siliconix	TrenchFET®	Tape & Reel (TR)	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	PowerPAK® SO-8	SI7866	MOSFET (Metalloxid)		PowerPAK® SO-8	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal	20 V	40A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,4 mOhm bei 20 A, 10 V	2,2 V bei 250 µA	125 nC bei 10 V	±20V	5415 pF bei 10 V	-	5,4 W (Ta), 83 W (Tc)
SI3499DV-T1-E3	-	Anfrage	3019	Vishay Siliconix	TrenchFET®	Tape & Reel (TR)	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6	SI3499	MOSFET (Metalloxid)		6-TSOP	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000		P-Kanal	8 V	5,3A (Ta)	1,5 V, 4,5 V	23 mOhm bei 7 A, 4,5 V	750 mV bei 250 µA	42 nC bei 4,5 V	±5V		-	1,1 W (Ta)
IRFBE30PBF-BE3	2.2500	Anfrage	2	Vishay Siliconix	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3	IRFBE30	MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		742-IRFBE30PBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		N-Kanal	800 V	4,1A (Tc)		3 Ohm bei 2,5 A, 10 V	4 V bei 250 µA	78 nC bei 10 V	±20V	1300 pF bei 25 V	-	125 W (Tc)
SI4386DY-T1-E3	1.4000	Anfrage	3	Vishay Siliconix	TrenchFET®	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)	SI4386	MOSFET (Metalloxid)		8-SOIC	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal	30 V	11A (Ta)	4,5 V, 10 V	7 mOhm bei 16 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	18 nC bei 4,5 V	±20V		-	1,47 W (Ta)
SI4845DY-T1-E3	-	Anfrage	2208	Vishay Siliconix	LITTLE FOOT®	Tape & Reel (TR)	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)	SI4845	MOSFET (Metalloxid)		8-SOIC	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	2.500		P-Kanal	20 V	2,7 A (Tc)	2,5 V, 4,5 V	210 mOhm bei 2 A, 4,5 V	1,5 V bei 250 µA	4,5 nC bei 4,5 V	±12V	312 pF bei 10 V	Schottky-Diode (isoliert)	1,75 W (Ta), 2,75 W (Tc)
SI9934BDY-T1-GE3	-	Anfrage	3322	Vishay Siliconix	TrenchFET®	Tape & Reel (TR)	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)	SI9934	MOSFET (Metalloxid)	1,1 W	8-SOIC	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 P-Kanal (Dual)		12V	4,8A		35 mOhm bei 6,4 A, 4,5 V	1,4 V bei 250 µA	20 nC bei 4,5 V		-	Logikpegel-Gate
SQJ420EP-T1_BE3	0,8800	Anfrage	1720	Vishay Siliconix	Automobil, AEC-Q101, TrenchFET®	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	PowerPAK® SO-8		MOSFET (Metalloxid)		PowerPAK® SO-8	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		742-SQJ420EP-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal	40 V	30A (Tc)	4,5 V, 10 V	10 mOhm bei 9,7 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	41 nC bei 10 V	±20V	1860 pF bei 25 V	-	45W (Tc)