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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4534DY-T1-GE3 | 1.4100 |  | 3233 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4534 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA), 3,6 W (TC) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SI4534DY-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 60 v | 6,2a (TA), 8a (TC), 3A (TA), 4,1a (TC) | 29MOHM @ 5A, 10V, 120 MOHM @ 3,1A, 10V | 3v @ 250 ähm | 11nc @ 10v, 22nc @ 10v | 420pf @ 30v, 650pf @ 30v | - - - | ||||||
 | SI7633DP-T1-GE3 | 1.6700 | | 4392 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7633 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,3 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 260 NC @ 10 V | ± 20 V | 9500 PF @ 10 V. | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | IRF644NSPBF | - - - | | 5575 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF644 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF644NSPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 14a (TC) | 10V | 240 MOHM @ 8.4a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 54 NC @ 10 V | ± 20 V | 1060 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||
 | SI4862DY-T1-GE3 | - - - | | 9308 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4862 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 16 v | 17a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 3,3 MOHM @ 25A, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 70 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.6W (TA) | ||||||
 | SI6955ADQ-T1-GE3 | - - - | | 4080 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6955 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 2.5a | 80MOHM @ 2,9a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 8nc @ 5v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SIR474DP-T1-GE3 | 0,9400 | | 618 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir474 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 20A (TC) | 10V | 9,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | 985 PF @ 15 V | - - - | 3,9W (TA), 29,8W (TC) | |||||
 | IRFP440PBF | 3.3700 | | 356 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP440 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP440PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 500 V | 8.8a (TC) | 10V | 850MOHM @ 5.3A, 10V | 4v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||
| IRF630STRLPBF | 1.6900 | | 94 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf630 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 9a (TC) | 10V | 400mohm @ 5.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 43 NC @ 10 V | ± 20 V | 800 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 74W (TC) | |||||
| IRFP32N50KPBF | 9.1100 | | 165 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP32 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP32N50KPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 500 V | 32a (TC) | 10V | 160 MOHM @ 32A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 190 nc @ 10 v | ± 30 v | 5280 PF @ 25 V. | - - - | 460W (TC) | ||||
 | IRFU214PBF | 1.3900 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU214 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFU214PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 250 V | 2.2a (TC) | 10V | 2OHM @ 1,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||||
 | SQM30010EL_GE3 | 2.9500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM30010 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 30 v | 120a (TC) | 10V | 1,35 MOHM @ 40A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 450 NC @ 10 V | ± 20 V | 28000 PF @ 15 V | - - - | 375W (TC) | |||||
| IRFPF40PBF | 4.4500 | | 375 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPF40 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFPF40PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 900 V | 4.7a (TC) | 10V | 2,5OHM @ 2,8a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||
 | SISA26DN-T1-GE3 | 0,8300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sisa26 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,65 MOHM @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | +16 V, -12v | 2247 PF @ 10 V. | - - - | 39W (TC) | |||||
| Sihu2N80E-GE3 | 0,6689 | | 4396 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Sihu2 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 800 V | 2.8a (TC) | 10V | 2,75OHM @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19,6 NC @ 10 V. | ± 30 v | 315 PF @ 100 V | - - - | 62,5W (TC) | |||||
| SI4876DY-GE3 | - - - | | 9709 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4876 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 20 v | 14a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 5mohm @ 21a, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 80 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1.6W (TA) | |||||
 | SI7900AEDN-T1-E3 | 1.7000 | | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7900 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 20V | 6a | 26mohm @ 8,5a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 16nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | IRFB16N60LPBF | - - - | | 9786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFB16 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFB16N60LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 16a (TC) | 10V | 460MOHM @ 9A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 30 v | 2720 PF @ 25 V | - - - | 310W (TC) | |||
 | SIS429DNT-T1-GE3 | 0,1378 | | 1479 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS429 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 21mohm @ 10.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 1350 PF @ 15 V | - - - | 27,8W (TC) | ||||||
 | SQ3419EEV-T1-GE3 | - - - | | 1109 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3419 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 7.4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 50 MOHM @ 2,5A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | ± 12 V | 1065 PF @ 20 V | - - - | 5W (TC) | ||||
| SI7112DN-T1-E3 | 1.7500 | | 3205 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7112 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 11.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 17,8a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 27 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 2610 PF @ 15 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
| SI4830ADY-T1-E3 | - - - | | 9870 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4830 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 11nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI1050x-T1-GE3 | 0,5100 | | 60 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1050 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 8 v | 1.34a (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 86mohm @ 1,34a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 11.6 NC @ 5 V. | ± 5 V | 585 PF @ 4 V. | - - - | 236 MW (TA) | ||||
| SIR178DP-T1-RE3 | 1.7200 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir178 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIR178DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 100A (TA), 430a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 0,4 MOHM @ 30a, 10 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 310 nc @ 10 v | +12 V, -8 V | 12430 PF @ 10 V. | - - - | 6.3W (TA), 104W (TC) | ||||
| SIHG28N60EF-GE3 | 6.6200 | | 500 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG28 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 28a (TC) | 10V | 123mohm @ 14a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 30 v | 2714 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
| SI3410DV-T1-E3 | - - - | | 7865 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3410 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19,5 MOHM @ 5A, 10V | 3v @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1295 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA), 4,1W (TC) | ||||
| SQ3419aeev-t1_GE3 | 0,7000 | | 5493 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3419 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 6.9a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 61Mohm @ 2,5a, 10 V | 2,5 V @ 250 ähm | 12,5 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 975 PF @ 20 V | - - - | 5W (TC) | ||||||
| SI4122DY-T1-GE3 | 2.3500 | | 9977 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4122 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 27,2a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,5 MOHM @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 25 V | 4200 PF @ 20 V | - - - | 3W (TA), 6W (TC) | |||||
 | IRFD014PBF | 1.3900 | | 248 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD014 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFD014PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 1.7a (ta) | 10V | 200mohm @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 310 PF @ 25 V. | - - - | 1,3W (TA) | ||||
| IRFU9220 | - - - | | 1889 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU9 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFU9220 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 200 v | 3.6a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 340 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||
| SI7860ADP-T1-GE3 | - - - | | 1441 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7860 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 11a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 16A, 10V | 3v @ 250 ähm | 18 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1,8W (TA) |
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Standardprodukteinheit
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