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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Leistung – max | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Konfiguration | FET-Typ | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI4368DY-T1-E3 | 2.5500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SI4368 | MOSFET (Metalloxid) | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 V | 17A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 3,2 mOhm bei 25 A, 10 V | 1,8 V bei 250 µA | 80 nC bei 4,5 V | ±12V | 8340 pF bei 15 V | - | 1,6 W (Ta) | |||||
![]() | V30410-T1-GE3 | - | ![]() | 2846 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | * | Tape & Reel (TR) | Veraltet | V30410 | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | VERALTET | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
![]() | SI6913DQ-T1-GE3 | 1.3000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-TSSOP (0,173", 4,40 mm Breite) | SI6913 | MOSFET (Metalloxid) | 830 mW | 8-TSSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 P-Kanal (Dual) | 12V | 4,9A | 21 mOhm bei 5,8 A, 4,5 V | 900 mV bei 400 µA | 28 nC bei 4,5 V | - | Logikpegel-Gate | ||||||
![]() | SI3588DV-T1-GE3 | - | ![]() | 6467 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6 | SI3588 | MOSFET (Metalloxid) | 830 mW, 83 mW | 6-TSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N- und P-Kanal | 20V | 2,5A, 570mA | 80 mOhm bei 3 A, 4,5 V | 450 mV bei 250 µA (min.) | 7,5 nC bei 4,5 V | - | Logikpegel-Gate | ||||||
![]() | 2N5114JTVL02 | - | ![]() | 8253 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Veraltet | - | Durchgangsloch | TO-206AA, TO-18-3 Metalldose | 2N5114 | TO-206AA (TO-18) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||
| IRF730PBF | 1.5700 | ![]() | 32 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | IRF730 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | *IRF730PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 5,5 A (Tc) | 10V | 1 Ohm bei 3,3 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 38 nC bei 10 V | ±20V | 700 pF bei 25 V | - | 74W (Tc) | |||||
![]() | SIA462DJ-T1-GE3 | 0,4100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SC-70-6 | SIA462 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SC-70-6 Single | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 V | 12A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 18 mOhm bei 9 A, 10 V | 2,4 V bei 250 µA | 17 nC bei 10 V | ±20V | 570 pF bei 15 V | - | 3,5 W (Ta), 19 W (Tc) | |||||
![]() | SIHU6N62E-GE3 | 1.6500 | ![]() | 5294 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA | SIHU6 | MOSFET (Metalloxid) | IPAK (TO-251) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 620 V | 6A (Tc) | 10V | 900 mOhm bei 3 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 34 nC bei 10 V | ±30V | 578 pF bei 100 V | - | 78W (Tc) | |||||
| SQR70090ELR_GE3 | 1.5700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-4, DPak (3 Leitungen + Tab) | SQR70090 | MOSFET (Metalloxid) | D-PAK (TO-252) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 V | 86A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 8,7 mOhm bei 25 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 65 nC bei 10 V | ±20V | 3500 pF bei 25 V | - | 136W (Tc) | ||||||
![]() | SUD80460E-BE3 | 0,9700 | ![]() | 1259 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | ThunderFET® | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | SUD80460 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252AA | - | 1 (Unbegrenzt) | 742-SUD80460E-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 150 V | 42A (Tc) | 10V | 44,7 mOhm bei 8,3 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 16 nC bei 10 V | ±20V | 560 pF bei 50 V | - | 65,2 W (Tc) | |||||
![]() | SI2301CDS-T1-BE3 | 0,3900 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (TO-236) | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 V | 2,3 A (Ta), 3,1 A (Tc) | 2,5 V, 4,5 V | 112 mOhm bei 2,8 A, 4,5 V | 1 V bei 250 µA | 10 nC bei 4,5 V | ±8V | 405 pF bei 10 V | - | 860 mW (Ta), 1,6 W (Tc) | |||||||
![]() | SIHA6N80AE-GE3 | 1.6400 | ![]() | 849 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 Komplettpaket | SIHA6 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220 Komplettpaket | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 5A (Tc) | 10V | 950 mOhm bei 2 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 22,5 nC bei 10 V | ±30V | 422 pF bei 100 V | - | 30W (Tc) | |||||
![]() | SIA921EDJ-T4-GE3 | 0,2467 | ![]() | 2159 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SC-70-6 Dual | SIA921 | MOSFET (Metalloxid) | 7,8 W | PowerPAK® SC-70-6 Dual | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 P-Kanal (Dual) | 20V | 4,5A | 59 mOhm bei 3,6 A, 4,5 V | 1,4 V bei 250 µA | 23 nC bei 10 V | - | Logikpegel-Gate | |||||||
![]() | SIHB085N60EF-GE3 | 6.0200 | ![]() | 3547 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | SIHB085 | MOSFET (Metalloxid) | D²PAK (TO-263) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 742-SIHB085N60EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 34A (Tc) | 10V | 84 mOhm bei 17 A, 10 V | 5 V bei 250 µA | 63 nC bei 10 V | ±30V | 2733 pF bei 100 V | - | 184W (Tc) | ||||
![]() | SI4330DY-T1-GE3 | - | ![]() | 6712 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SI4330 | MOSFET (Metalloxid) | 1,1 W | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Dual) | 30V | 6,6A | 16,5 mOhm bei 8,7 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 20 nC bei 4,5 V | - | Logikpegel-Gate | ||||||
![]() | SI7141DP-T1-GE3 | 2.3200 | ![]() | 41 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 | SI7141 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SO-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 V | 60A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 1,9 mOhm bei 25 A, 10 V | 2,3 V bei 250 µA | 400 nC bei 10 V | ±20V | 14300 pF bei 10 V | - | 6,25 W (Ta), 104 W (Tc) | |||||
![]() | SI4892DY-T1-E3 | - | ![]() | 1612 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SI4892 | MOSFET (Metalloxid) | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 V | 8,8A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 12 mOhm bei 12,4 A, 10 V | 800 mV bei 250 µA (min.) | 10,5 nC bei 5 V | ±20V | - | 1,6 W (Ta) | |||||
![]() | IRFR9020TR | - | ![]() | 6211 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | IRFR9020 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 50 V | 9,9 A (Tc) | 10V | 280 mOhm bei 5,7 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 14 nC bei 10 V | ±20V | 490 pF bei 25 V | - | 42W (Tc) | ||||
![]() | SI7411DN-T1-E3 | - | ![]() | 5353 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® 1212-8 | SI7411 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® 1212-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 V | 7,5 A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 19 mOhm bei 11,4 A, 4,5 V | 1 V bei 300 µA | 41 nC bei 4,5 V | ±8V | - | 1,5 W (Ta) | |||||
![]() | SI9926BDY-T1-GE3 | - | ![]() | 6712 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SI9926 | MOSFET (Metalloxid) | 1,14 W | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Dual) | 20V | 6,2A | 20 mOhm bei 8,2 A, 4,5 V | 1,5 V bei 250 µA | 20 nC bei 4,5 V | - | Logikpegel-Gate | ||||||
![]() | SI2316BDS-T1-E3 | 0,5900 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2316 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (TO-236) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 V | 4,5 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 50 mOhm bei 3,9 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 9,6 nC bei 10 V | ±20V | 350 pF bei 15 V | - | 1,25 W (Ta), 1,66 W (Tc) | ||||
![]() | SIB914DK-T1-GE3 | - | ![]() | 8727 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SC-75-6L Dual | SIB914 | MOSFET (Metalloxid) | 3,1 W | PowerPAK® SC-75-6L Dual | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Dual) | 8V | 1,5A | 113 mOhm bei 2,5 A, 4,5 V | 800 mV bei 250 µA | 2,6 nC bei 5 V | 125pF bei 4V | - | ||||||
![]() | SIHW61N65EF-GE3 | 9.2873 | ![]() | 9228 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | SIHW61 | MOSFET (Metalloxid) | TO-247AD | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 480 | N-Kanal | 650 V | 64A (Tc) | 10V | 47 mOhm bei 30,5 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 371 nC bei 10 V | ±30V | 7407 pF bei 100 V | - | 520 W (Tc) | |||||
![]() | SI4752DY-T1-GE3 | - | ![]() | 8028 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | SkyFET®, TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SI4752 | MOSFET (Metalloxid) | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 V | 25A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 5,5 mOhm bei 10 A, 10 V | 2,2 V bei 1 mA | 43 nC bei 10 V | ±20V | 1700 pF bei 15 V | Schottky-Diode (Körper) | 3 W (Ta), 6,25 W (Tc) | |||||
| SQJ200EP-T1_GE3 | 1.2100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 Dual | SQJ200 | MOSFET (Metalloxid) | 27W, 48W | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetrisch | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Dual) | 20V | 20A, 60A | 8,8 mOhm bei 16 A, 10 V | 2V bei 250µA | 18 nC bei 10 V | 975pF bei 10V | - | ||||||||
![]() | IRFZ48RSPBF | 3.6100 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | IRFZ48 | MOSFET (Metalloxid) | TO-263 (D²Pak) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | *IRFZ48RSPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 V | 50A (Tc) | 10V | 18 mOhm bei 43 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 110 nC bei 10 V | ±20V | 2400 pF bei 25 V | - | 190 W (Tc) | ||||
| IRFB11N50A | - | ![]() | 4577 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | IRFB11 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | *IRFB11N50A | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 11A (Tc) | 10V | 520 mOhm bei 6,6 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 52 nC bei 10 V | ±30V | 1423 pF bei 25 V | - | 170 W (Tc) | ||||
![]() | SQJQ936EL-T1_GE3 | 2.7800 | ![]() | 4134 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® 8 x 8 Dual | SQJQ936 | MOSFET (Metalloxid) | 75 W (Tc) | PowerPAK® 8 x 8 Dual | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 2 N-Kanal | 40V | 100A (Tc) | 2,3 mOhm bei 5 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 45 nC bei 10 V | 7300pF bei 25V | Standard | ||||||||
![]() | SI4102DY-T1-GE3 | - | ![]() | 4349 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SI4102 | MOSFET (Metalloxid) | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 V | 3,8A (Tc) | 6V, 10V | 158 mOhm bei 2,7 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 11 nC bei 10 V | ±20V | 370 pF bei 50 V | - | 2,4 W (Ta), 4,8 W (Tc) | |||||
![]() | SI4425FDY-T1-GE3 | 0,7100 | ![]() | 3274 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SI4425 | MOSFET (Metalloxid) | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 V | 12,7 A (Ta), 18,3 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 9,5 mOhm bei 10 A, 10 V | 2,2 V bei 250 µA | 41 nC bei 10 V | +16V, -20V | 1620 pF bei 15 V | - | 2,3 W (Ta), 4,8 W (Tc) |

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