SIC
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Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Betriebstemperatur Montageart Paket/Koffer Basisproduktnummer Technologie Leistung – max Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) REACH-Status Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Konfiguration FET-Typ Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds FET-Funktion Verlustleistung (max.)
SI4368DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4368DY-T1-E3 2.5500
Anfrage
ECAD 1 0,00000000 Vishay Siliconix TrenchFET® Tape & Reel (TR) Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) SI4368 MOSFET (Metalloxid) 8-SOIC herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 V 17A (Ta) 4,5 V, 10 V 3,2 mOhm bei 25 A, 10 V 1,8 V bei 250 µA 80 nC bei 4,5 V ±12V 8340 pF bei 15 V - 1,6 W (Ta)
V30410-T1-GE3 Vishay Siliconix V30410-T1-GE3 -
Anfrage
ECAD 2846 0,00000000 Vishay Siliconix * Tape & Reel (TR) Veraltet V30410 - ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) VERALTET 0000.00.0000 3.000
SI6913DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6913DQ-T1-GE3 1.3000
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix TrenchFET® Tape & Reel (TR) Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-TSSOP (0,173", 4,40 mm Breite) SI6913 MOSFET (Metalloxid) 830 mW 8-TSSOP herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.21.0095 3.000 2 P-Kanal (Dual) 12V 4,9A 21 mOhm bei 5,8 A, 4,5 V 900 mV bei 400 µA 28 nC bei 4,5 V - Logikpegel-Gate
SI3588DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3588DV-T1-GE3 -
Anfrage
ECAD 6467 0,00000000 Vishay Siliconix TrenchFET® Tape & Reel (TR) Veraltet -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6 SI3588 MOSFET (Metalloxid) 830 mW, 83 mW 6-TSOP herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.21.0095 3.000 N- und P-Kanal 20V 2,5A, 570mA 80 mOhm bei 3 A, 4,5 V 450 mV bei 250 µA (min.) 7,5 nC bei 4,5 V - Logikpegel-Gate
2N5114JTVL02 Vishay Siliconix 2N5114JTVL02 -
Anfrage
ECAD 8253 0,00000000 Vishay Siliconix - Rohr Veraltet - Durchgangsloch TO-206AA, TO-18-3 Metalldose 2N5114 TO-206AA (TO-18) herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.21.0095 20 - -
IRF730PBF Vishay Siliconix IRF730PBF 1.5700
Anfrage
ECAD 32 0,00000000 Vishay Siliconix - Rohr Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 IRF730 MOSFET (Metalloxid) TO-220AB herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) *IRF730PBF EAR99 8541.29.0095 50 N-Kanal 400 V 5,5 A (Tc) 10V 1 Ohm bei 3,3 A, 10 V 4 V bei 250 µA 38 nC bei 10 V ±20V 700 pF bei 25 V - 74W (Tc)
SIA462DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA462DJ-T1-GE3 0,4100
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix TrenchFET® Tape & Reel (TR) Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage PowerPAK® SC-70-6 SIA462 MOSFET (Metalloxid) PowerPAK® SC-70-6 Single herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 V 12A (Tc) 4,5 V, 10 V 18 mOhm bei 9 A, 10 V 2,4 V bei 250 µA 17 nC bei 10 V ±20V 570 pF bei 15 V - 3,5 W (Ta), 19 W (Tc)
SIHU6N62E-GE3 Vishay Siliconix SIHU6N62E-GE3 1.6500
Anfrage
ECAD 5294 0,00000000 Vishay Siliconix - Rohr Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA SIHU6 MOSFET (Metalloxid) IPAK (TO-251) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 75 N-Kanal 620 V 6A (Tc) 10V 900 mOhm bei 3 A, 10 V 4 V bei 250 µA 34 nC bei 10 V ±30V 578 pF bei 100 V - 78W (Tc)
SQR70090ELR_GE3 Vishay Siliconix SQR70090ELR_GE3 1.5700
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ECAD 1 0,00000000 Vishay Siliconix Automobil, AEC-Q101, TrenchFET® Tape & Reel (TR) Aktiv -55°C ~ 175°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252-4, DPak (3 Leitungen + Tab) SQR70090 MOSFET (Metalloxid) D-PAK (TO-252) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 100 V 86A (Tc) 4,5 V, 10 V 8,7 mOhm bei 25 A, 10 V 2,5 V bei 250 µA 65 nC bei 10 V ±20V 3500 pF bei 25 V - 136W (Tc)
SUD80460E-BE3 Vishay Siliconix SUD80460E-BE3 0,9700
Anfrage
ECAD 1259 0,00000000 Vishay Siliconix ThunderFET® Rohr Aktiv -55°C ~ 175°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 SUD80460 MOSFET (Metalloxid) TO-252AA - 1 (Unbegrenzt) 742-SUD80460E-BE3 EAR99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 150 V 42A (Tc) 10V 44,7 mOhm bei 8,3 A, 10 V 4 V bei 250 µA 16 nC bei 10 V ±20V 560 pF bei 50 V - 65,2 W (Tc)
SI2301CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2301CDS-T1-BE3 0,3900
Anfrage
ECAD 4 0,00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 (TO-236) herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 20 V 2,3 A (Ta), 3,1 A (Tc) 2,5 V, 4,5 V 112 mOhm bei 2,8 A, 4,5 V 1 V bei 250 µA 10 nC bei 4,5 V ±8V 405 pF bei 10 V - 860 mW (Ta), 1,6 W (Tc)
SIHA6N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHA6N80AE-GE3 1.6400
Anfrage
ECAD 849 0,00000000 Vishay Siliconix E Rohr Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket SIHA6 MOSFET (Metalloxid) TO-220 Komplettpaket herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 50 N-Kanal 800 V 5A (Tc) 10V 950 mOhm bei 2 A, 10 V 4 V bei 250 µA 22,5 nC bei 10 V ±30V 422 pF bei 100 V - 30W (Tc)
SIA921EDJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA921EDJ-T4-GE3 0,2467
Anfrage
ECAD 2159 0,00000000 Vishay Siliconix TrenchFET® Tape & Reel (TR) Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage PowerPAK® SC-70-6 Dual SIA921 MOSFET (Metalloxid) 7,8 W PowerPAK® SC-70-6 Dual herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 P-Kanal (Dual) 20V 4,5A 59 mOhm bei 3,6 A, 4,5 V 1,4 V bei 250 µA 23 nC bei 10 V - Logikpegel-Gate
SIHB085N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHB085N60EF-GE3 6.0200
Anfrage
ECAD 3547 0,00000000 Vishay Siliconix EF Rohr Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB SIHB085 MOSFET (Metalloxid) D²PAK (TO-263) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) 742-SIHB085N60EF-GE3 EAR99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 600 V 34A (Tc) 10V 84 mOhm bei 17 A, 10 V 5 V bei 250 µA 63 nC bei 10 V ±30V 2733 pF bei 100 V - 184W (Tc)
SI4330DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4330DY-T1-GE3 -
Anfrage
ECAD 6712 0,00000000 Vishay Siliconix TrenchFET® Tape & Reel (TR) Veraltet -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) SI4330 MOSFET (Metalloxid) 1,1 W 8-SOIC herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 2.500 2 N-Kanal (Dual) 30V 6,6A 16,5 mOhm bei 8,7 A, 10 V 3 V bei 250 µA 20 nC bei 4,5 V - Logikpegel-Gate
SI7141DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7141DP-T1-GE3 2.3200
Anfrage
ECAD 41 0,00000000 Vishay Siliconix TrenchFET® Tape & Reel (TR) Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 SI7141 MOSFET (Metalloxid) PowerPAK® SO-8 herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 20 V 60A (Tc) 4,5 V, 10 V 1,9 mOhm bei 25 A, 10 V 2,3 V bei 250 µA 400 nC bei 10 V ±20V 14300 pF bei 10 V - 6,25 W (Ta), 104 W (Tc)
SI4892DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4892DY-T1-E3 -
Anfrage
ECAD 1612 0,00000000 Vishay Siliconix TrenchFET® Tape & Reel (TR) Veraltet -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) SI4892 MOSFET (Metalloxid) 8-SOIC herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 V 8,8A (Ta) 4,5 V, 10 V 12 mOhm bei 12,4 A, 10 V 800 mV bei 250 µA (min.) 10,5 nC bei 5 V ±20V - 1,6 W (Ta)
IRFR9020TR Vishay Siliconix IRFR9020TR -
Anfrage
ECAD 6211 0,00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Veraltet -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 IRFR9020 MOSFET (Metalloxid) D-Pak herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 50 V 9,9 A (Tc) 10V 280 mOhm bei 5,7 A, 10 V 4 V bei 250 µA 14 nC bei 10 V ±20V 490 pF bei 25 V - 42W (Tc)
SI7411DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7411DN-T1-E3 -
Anfrage
ECAD 5353 0,00000000 Vishay Siliconix TrenchFET® Tape & Reel (TR) Veraltet -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8 SI7411 MOSFET (Metalloxid) PowerPAK® 1212-8 herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 20 V 7,5 A (Ta) 1,8 V, 4,5 V 19 mOhm bei 11,4 A, 4,5 V 1 V bei 300 µA 41 nC bei 4,5 V ±8V - 1,5 W (Ta)
SI9926BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI9926BDY-T1-GE3 -
Anfrage
ECAD 6712 0,00000000 Vishay Siliconix TrenchFET® Tape & Reel (TR) Veraltet -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) SI9926 MOSFET (Metalloxid) 1,14 W 8-SOIC herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 2.500 2 N-Kanal (Dual) 20V 6,2A 20 mOhm bei 8,2 A, 4,5 V 1,5 V bei 250 µA 20 nC bei 4,5 V - Logikpegel-Gate
SI2316BDS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2316BDS-T1-E3 0,5900
Anfrage
ECAD 5 0,00000000 Vishay Siliconix TrenchFET® Tape & Reel (TR) Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2316 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 (TO-236) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 V 4,5 A (Tc) 4,5 V, 10 V 50 mOhm bei 3,9 A, 10 V 3 V bei 250 µA 9,6 nC bei 10 V ±20V 350 pF bei 15 V - 1,25 W (Ta), 1,66 W (Tc)
SIB914DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB914DK-T1-GE3 -
Anfrage
ECAD 8727 0,00000000 Vishay Siliconix TrenchFET® Tape & Reel (TR) Veraltet -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage PowerPAK® SC-75-6L Dual SIB914 MOSFET (Metalloxid) 3,1 W PowerPAK® SC-75-6L Dual herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 3.000 2 N-Kanal (Dual) 8V 1,5A 113 mOhm bei 2,5 A, 4,5 V 800 mV bei 250 µA 2,6 nC bei 5 V 125pF bei 4V -
SIHW61N65EF-GE3 Vishay Siliconix SIHW61N65EF-GE3 9.2873
Anfrage
ECAD 9228 0,00000000 Vishay Siliconix E Rohr Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-247-3 SIHW61 MOSFET (Metalloxid) TO-247AD herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 480 N-Kanal 650 V 64A (Tc) 10V 47 mOhm bei 30,5 A, 10 V 4 V bei 250 µA 371 nC bei 10 V ±30V 7407 pF bei 100 V - 520 W (Tc)
SI4752DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4752DY-T1-GE3 -
Anfrage
ECAD 8028 0,00000000 Vishay Siliconix SkyFET®, TrenchFET® Tape & Reel (TR) Veraltet -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) SI4752 MOSFET (Metalloxid) 8-SOIC herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 V 25A (Tc) 4,5 V, 10 V 5,5 mOhm bei 10 A, 10 V 2,2 V bei 1 mA 43 nC bei 10 V ±20V 1700 pF bei 15 V Schottky-Diode (Körper) 3 W (Ta), 6,25 W (Tc)
SQJ200EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ200EP-T1_GE3 1.2100
Anfrage
ECAD 3 0,00000000 Vishay Siliconix Automobil, AEC-Q101, TrenchFET® Tape & Reel (TR) Aktiv -55°C ~ 175°C (TJ) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual SQJ200 MOSFET (Metalloxid) 27W, 48W PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetrisch herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 N-Kanal (Dual) 20V 20A, 60A 8,8 mOhm bei 16 A, 10 V 2V bei 250µA 18 nC bei 10 V 975pF bei 10V -
IRFZ48RSPBF Vishay Siliconix IRFZ48RSPBF 3.6100
Anfrage
ECAD 8 0,00000000 Vishay Siliconix - Rohr Aktiv -55°C ~ 175°C (TJ) Oberflächenmontage TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB IRFZ48 MOSFET (Metalloxid) TO-263 (D²Pak) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) *IRFZ48RSPBF EAR99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 60 V 50A (Tc) 10V 18 mOhm bei 43 A, 10 V 4 V bei 250 µA 110 nC bei 10 V ±20V 2400 pF bei 25 V - 190 W (Tc)
IRFB11N50A Vishay Siliconix IRFB11N50A -
Anfrage
ECAD 4577 0,00000000 Vishay Siliconix - Rohr Veraltet -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 IRFB11 MOSFET (Metalloxid) TO-220AB herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt *IRFB11N50A EAR99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 500 V 11A (Tc) 10V 520 mOhm bei 6,6 A, 10 V 4 V bei 250 µA 52 nC bei 10 V ±30V 1423 pF bei 25 V - 170 W (Tc)
SQJQ936EL-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ936EL-T1_GE3 2.7800
Anfrage
ECAD 4134 0,00000000 Vishay Siliconix Automobil, AEC-Q101, TrenchFET® Tape & Reel (TR) Aktiv -55°C ~ 175°C (TJ) Oberflächenmontage PowerPAK® 8 x 8 Dual SQJQ936 MOSFET (Metalloxid) 75 W (Tc) PowerPAK® 8 x 8 Dual herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 2.000 2 N-Kanal 40V 100A (Tc) 2,3 mOhm bei 5 A, 10 V 2,5 V bei 250 µA 45 nC bei 10 V 7300pF bei 25V Standard
SI4102DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4102DY-T1-GE3 -
Anfrage
ECAD 4349 0,00000000 Vishay Siliconix TrenchFET® Tape & Reel (TR) Veraltet -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) SI4102 MOSFET (Metalloxid) 8-SOIC herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 100 V 3,8A (Tc) 6V, 10V 158 mOhm bei 2,7 A, 10 V 4 V bei 250 µA 11 nC bei 10 V ±20V 370 pF bei 50 V - 2,4 W (Ta), 4,8 W (Tc)
SI4425FDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4425FDY-T1-GE3 0,7100
Anfrage
ECAD 3274 0,00000000 Vishay Siliconix TrenchFET® Gen IV Tape & Reel (TR) Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) SI4425 MOSFET (Metalloxid) 8-SOIC herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 30 V 12,7 A (Ta), 18,3 A (Tc) 4,5 V, 10 V 9,5 mOhm bei 10 A, 10 V 2,2 V bei 250 µA 41 nC bei 10 V +16V, -20V 1620 pF bei 15 V - 2,3 W (Ta), 4,8 W (Tc)
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    2000+

    Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen

  • Standard Product Unit

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    Standardprodukteinheit

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