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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHD1K4N60E-GE3 | 1.1600 |  | 5840 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd1 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 4.2a (TC) | 10V | 1,45OHM @ 500 mA, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 7,5 NC @ 10 V | ± 30 v | 172 PF @ 100 V | - - - | 63W (TC) | |||||
 | SI7123DN-T1-GE3 | - - - | | 6245 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7123 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 10.2a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 10,6 MOHM @ 15a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 90 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 3729 PF @ 10 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | IRFP440PBF | 3.3700 | | 356 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP440 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP440PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 500 V | 8.8a (TC) | 10V | 850MOHM @ 5.3A, 10V | 4v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||
 | IRF630STRLPBF | 1.6900 | | 94 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf630 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 9a (TC) | 10V | 400mohm @ 5.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 43 NC @ 10 V | ± 20 V | 800 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 74W (TC) | |||||
| SISA26DN-T1-GE3 | 0,8300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sisa26 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,65 MOHM @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | +16 V, -12v | 2247 PF @ 10 V. | - - - | 39W (TC) | |||||
| IRFBC40AStrrpBF | 2.7871 | | 1953 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC40 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 3,7A, 10 V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1036 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||||
| IRF840Assrr | - - - | | 5202 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF840 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850MOHM @ 4.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 30 v | 1018 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SIR422DP-T1-GE3 | 1.1800 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir422 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,6 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 20 V | 1785 PF @ 20 V | - - - | 5W (TA), 34,7W (TC) | |||||
| IRF840LCSPBF | 1.5567 | | 8924 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF840 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850MOHM @ 4.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
 | IRFI644GPBF | 2.9500 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI644 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI644GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 7.9a (TC) | 10V | 280 MOHM @ 4,7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 68 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | ||||
| SI7806ADN-T1-E3 | 1.4600 | | 3811 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7806 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 11Mohm @ 14a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20 NC @ 5 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | SI4561DY-T1-E3 | - - - | | 6668 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4561 | MOSFET (Metalloxid) | 3W, 3,3W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 6,8a, 7,2a | 35,5 MOHM @ 5A, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 640PF @ 20V | Logikpegel -tor | ||||||
| IRL640Strl | - - - | | 7857 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRL640 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 17a (TC) | 4V, 5V | 180Mohm @ 10a, 5V | 2v @ 250 ähm | 66 NC @ 5 V. | ± 10 V | 1800 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SQ1464EEH-T1_GE3 | 0,5000 | | 41 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1464 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 440 mA (TC) | 1,5 v | 1,41OHM @ 2a, 1,5 V. | 1V @ 250 ähm | 4.1 NC @ 4.5 V. | ± 8 v | 140 PF @ 25 V. | - - - | 430 MW (TC) | |||||
| SI7404DN-T1-GE3 | - - - | | 6093 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7404 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 8.5a (TA) | 2,5 V, 10 V. | 13mohm @ 13.3a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
| IRFIBC20GPBF | 2.7300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFIBC20 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFIBC20GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 1.7a (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 30W (TC) | ||||
| SIR167DP-T1-GE3 | 1.0500 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir167 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5,5 MOHM @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 111 NC @ 10 V | ± 25 V | 4380 PF @ 15 V | - - - | 65,8W (TC) | |||||
 | Sihu2N80E-GE3 | 0,6689 | | 4396 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Sihu2 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 800 V | 2.8a (TC) | 10V | 2,75OHM @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19,6 NC @ 10 V. | ± 30 v | 315 PF @ 100 V | - - - | 62,5W (TC) | |||||
 | SIHF520Strl-GE3 | 0,5608 | | 3677 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHF520 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHF520Strl-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 9.2a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 5,5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | ||||
| IRFIB6N60A | - - - | | 1946 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfib6 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFIB6N60A | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 5.5a (TC) | 10V | 750 MOHM @ 3,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 49 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) | |||
| IRFR010 | - - - | | 8887 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR010 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFR010 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 50 v | 8.2a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 25W (TC) | |||
| SI7405BDN-T1-GE3 | - - - | | 3273 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7405 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 16a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 13mohm @ 13,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 115 NC @ 8 V | ± 8 v | 3500 PF @ 6 V. | - - - | 3.6W (TA), 33W (TC) | |||||
 | Sidr626ldp-t1-re3 | 3.0400 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sidr626 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIDR626LDP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 45,6a (TA), 2,4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,5 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | 5900 PF @ 30 V | - - - | 6,25W (TA), 125W (TC) | ||||
| IRFI630GPBF | 2.9500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI630 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI630GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 5.9a (TC) | 10V | 400mohm @ 3,5a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 43 NC @ 10 V | ± 20 V | 800 PF @ 25 V. | - - - | 35W (TC) | ||||
 | SIHFR430ATRL-GE3 | 0,4263 | | 5203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SIHFR430 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHFR430ATRL-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 500 V | 5a (TC) | 10V | 1,7ohm @ 3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 30 v | 490 PF @ 25 V. | - - - | 110W (TC) | ||||
| IRFU9014 | - - - | | 3953 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU9 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFU9014 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 60 v | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||
 | IRFD9113 | - - - | | 7221 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD9113 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 60 v | 600 mA (TA) | 1,6OHM @ 300 mA, 10 V. | - - - | 15 NC @ 15 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | - - - | ||||||
| IRFR014TRL | - - - | | 6170 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR014 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 7.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 300 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||||
 | SI5935DC-T1-E3 | - - - | | 5810 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5935 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 3a | 86mohm @ 3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 8,5nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI7850DP-T1-E3 | 2.0000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7850 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 6.2a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 22mohm @ 10.3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,8W (TA) |
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