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Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min rds an) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF9610PBF-BE3 | 1.6700 |  | 860 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9610 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRF9610PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 200 v | 1,8a (TC) | 3OHM @ 900 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 20W (TC) | ||||||
 | SI4646DY-T1-E3 | - - - | | 3820 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | SkyFet®, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4646 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 1790 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA), 6,25 W (TC) | ||||
 | IRF9540 | - - - | | 6306 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9540 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF9540 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 19A (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 61 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||
 | IRFR9310TRL | - - - | | 4144 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9310 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 400 V | 1,8a (TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||
 | IRFI744GPBF | - - - | | 7295 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI744 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFI744GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 450 V | 4,9a (TC) | 10V | 630mohm @ 2,9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 80 nc @ 10 v | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | |||
| IRFIB7N50APBF | 3.1400 | | 838 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfib7 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFIB7N50APBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 6.6a (TC) | 10V | 520mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 30 v | 1423 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) | ||||
 | SISS26DN-T1-GE3 | 1.6800 | | 2735 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS26 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 60a (TC) | 6 V, 10V | 4,5 MOHM @ 15a, 10V | 3,6 V @ 250 ähm | 37 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1710 PF @ 30 V | - - - | 57W (TC) | |||||
| IRFR224PBF | 1.6200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR224 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 250 V | 3.8a (TC) | 10V | 1,1OHM @ 2,3a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
| IRFR420TRPBF | 1.2900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR420 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
 | SIB456DK-T1-GE3 | 0,5100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6 | SIB456 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 6.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 185mohm @ 1,9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 5 NC @ 10 V | ± 20 V | 130 PF @ 50 V | - - - | 2,4W (TA), 13W (TC) | |||||
 | SIHB6N80AE-GE3 | 2.0700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHB6N80AE-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 5a (TC) | 10V | 950Mohm @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 22,5 NC @ 10 V | ± 30 v | 422 PF @ 100 V | - - - | 62,5W (TC) | |||||
| SI4909DY-T1-GE3 | 1.0400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4909 | MOSFET (Metalloxid) | 3.2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 40V | 8a | 27mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 63nc @ 10v | 2000pf @ 20V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SUD50N03-09P-E3 | - - - | | 3065 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 v | 63a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 16 NC @ 4,5 V | ± 20 V | 2200 PF @ 25 V. | - - - | 7,5W (TA), 65,2W (TC) | |||||
 | SI8417DB-T2-E1 | - - - | | 6508 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Mikro-Foot®csp | SI8417 | MOSFET (Metalloxid) | 6-Mikro-Fuß ™ (1,5x1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 14,5a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 21mohm @ 1a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 57 NC @ 5 V. | ± 8 v | 2220 PF @ 6 V | - - - | 2,9W (TA), 6,57W (TC) | ||||
 | SIHK075N60E-T1-GE3 | 6.6700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerbsfn | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®10 x 12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 80MOHM @ 13A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 30 v | 2582 PF @ 100 V | - - - | 167W (TC) | ||||||
 | SIHJ690N60E-T1-GE3 | 1.7400 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIHJ690 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 5.6a (TC) | 10V | 700MOHM @ 2a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 30 v | 347 PF @ 100 V | - - - | 48W (TC) | |||||
 | SIHG33N65EF-GE3 | 6.9500 | | 3945 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG33 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 650 V | 31.6a (TC) | 10V | 109mohm @ 16.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 171 NC @ 10 V | ± 30 v | 4026 PF @ 100 V | - - - | 313W (TC) | |||||
 | IRFD010 | - - - | | 1858 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD010 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFD010 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 50 v | 1.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 860 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TC) | |||
 | SIR414DP-T1-GE3 | 1.6400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir414 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,8 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 117 NC @ 10 V | ± 20 V | 4750 PF @ 20 V | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
| IRFR9220PBF | 1.8300 | | 245 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9220 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 200 v | 3.6a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 340 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
 | IRF830aStrl | - - - | | 6793 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 5a (TC) | 10V | 1,4ohm @ 3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 30 v | 620 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
 | IRFU224 | - - - | | 2961 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Irfu2 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFU224 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 250 V | 3.8a (TC) | 10V | 1,1OHM @ 2,3a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||
| IRFB16N60LPBF | - - - | | 9786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFB16 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFB16N60LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 16a (TC) | 10V | 460MOHM @ 9A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 30 v | 2720 PF @ 25 V | - - - | 310W (TC) | |||
| Irfi510g | - - - | | 8574 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI510 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfi510g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 4,5a (TC) | 10V | 540MOHM @ 2,7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 27W (TC) | |||
 | SI2309CDS-T1-GE3 | 0,5500 | | 83 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2309 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 1,6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 345MOHM @ 1,25A, 10V | 3v @ 250 ähm | 4.1 NC @ 4.5 V. | ± 20 V | 210 PF @ 30 V | - - - | 1W (TA), 1,7W (TC) | ||||
| IRFBC40SPBF | 4.4500 | | 1517 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC40 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFBC40SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 3,7A, 10 V | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 130 W (TC) | ||||
 | SI7272DP-T1-GE3 | 1.4900 | | 4163 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7272 | MOSFET (Metalloxid) | 22W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 25a | 9.3mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 26nc @ 10v | 1100PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIE854DF-T1-GE3 | - - - | | 6300 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie854 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 60a (TC) | 10V | 14,2mohm @ 13,2a, 10V | 4,4 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 20 V | 3100 PF @ 50 V | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SI5473DC-T1-E3 | - - - | | 8297 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5473 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 5.9a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 27mohm @ 5,9a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 32 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,3W (TA) | |||||
 | SI7111EDN-T1-GE3 | 0,6300 | | 3693 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7111 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 8,55 MOHM @ 15a, 4,5 V. | 1,6 V @ 250 ähm | 46 NC @ 2,5 V. | ± 12 V | 5860 PF @ 15 V | - - - | 52W (TC) |
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