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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | DATENBLATT | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQJ474EP-T1_BE3 | 0,9800 |  | 3488 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ474EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 26a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 30mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | ||||||
 | 2N6661JTVP02 | - - - | | 3800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N6661 | MOSFET (Metalloxid) | To-39 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-Kanal | 90 v | 860 mA (TC) | 5v, 10V | 4OHM @ 1a, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 725 MW (TA), 6,25W (TC) | |||||
 | Sizf360DT-T1-GE3 | 1.6100 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerpair ™ | Sizf360 | MOSFET (Metalloxid) | 3,8 W (TA), 52W (TC), 4,3W (TA), 78W (TC) | 6-Powerpair ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-Sizf360DT-T1-GE3CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Dual), Schottky | 30V | 23a (TA), 83a (TC), 34a (TA), 143a (TC) | 4,5 MOHM @ 10a, 10 V, 1,9 Mohm @ 10a, 10 V | 2,2 V @ 250 ähm | 22nc @ 10v, 62nc @ 10v | 1100pf @ 15V, 3150pf @ 15V | - - - | ||||||
| SQJ420EP-T1_BE3 | 0,8800 | | 1720 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ420EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10Mohm @ 9.7a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 1860 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | ||||||
 | SUP90N06-5M0P-E3 | - - - | | 2525 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Streiflen | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup90 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 60 v | 90a (TC) | 10V | 5mohm @ 20a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 6190 PF @ 30 V | - - - | 3,75 W (TA), 300 W (TC) | ||||
 | SI4465ADY-T1-E3 | 1.9500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4465 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 8 v | 13,7a (TA), 20A (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 9mohm @ 14a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 85 NC @ 4,5 V | ± 8 v | - - - | 3W (TA), 6,5 W (TC) | ||||||
 | Sira20BDP-T1-GE3 | 1.6500 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira20 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIRA20BDP-T1-GE3CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 82A (TA), 335A (TC) | 0,58 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,1 V @ 250 ähm | 186 NC @ 10 V. | +16 V, -12v | 9950 PF @ 15 V | - - - | 6.3W (TA), 104W (TC) | ||||||
 | SI4340CDY-T1-E3 | 1.3500 | | 612 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4340 | MOSFET (Metalloxid) | 3W, 5.4W | 14-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 14.1a, 20a | 9,4mohm @ 11,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 32nc @ 10v | 1300PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||
| SI4599DY-T1-GE3 | 0,9100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4599 | MOSFET (Metalloxid) | 3W, 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 6,8a, 5,8a | 35,5 MOHM @ 5A, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 640PF @ 20V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI3909DV-T1-E3 | - - - | | 2906 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3909 | MOSFET (Metalloxid) | 1.15W | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | - - - | 200mohm @ 1,8a, 4,5 V. | 500 MV @ 250 um (min) | 4nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRFPC50PBF | 6.4000 | | 6698 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPC50 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFPC50PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 600mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 140 nc @ 10 v | ± 20 V | 2700 PF @ 25 V. | - - - | 180W (TC) | ||||
 | SQJA42EP-T1_GE3 | 1.4600 | | 6987 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja42 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,4mohm @ 6a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 27W (TC) | |||||
 | IRFIB5N50LPBF | - - - | | 6961 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfib5 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFIB5N50LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 4.7a (TC) | 10V | 800mohm @ 2.4a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 30 v | 1000 PF @ 25 V. | - - - | 42W (TC) | |||
 | SQ3461EV-T1_BE3 | 0,8000 | | 4473 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-sq3461ev-t1_be3tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 25mo @ 7,9a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 28 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 2000 PF @ 6 V | - - - | 5W (TC) | ||||||
 | SIHP17N80AE-GE3 | 2.8100 | | 963 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP17 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHP17N80AE-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 15a (TC) | 10V | 290MOHM @ 8.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 30 v | 1260 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | ||||
| SI4963BDY-T1-GE3 | 0,7796 | | 4291 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4963 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4.9a | 32mohm @ 6,5a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 21nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI2365EDS-T1-GE3 | 0,4000 | | 7679 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2365 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 5.9a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 32mohm @ 4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 36 NC @ 8 V | ± 8 v | - - - | 1W (TA), 1,7W (TC) | |||||
 | SISA04DN-T1-GE3 | 1.2500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sisa04 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,15 MOHM @ 15a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | +20V, -16v | 3595 PF @ 15 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
| Sia907edj-T4-GE3 | - - - | | 8775 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | - - - | - - - | SIA907 | - - - | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||
 | IRLZ14STRRPBF | 0,9357 | | 8075 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRLZ14 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 10a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | IRFR210TRPBF | 1.1700 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR210 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 200 v | 2.6a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
| IRFB17N50LPBF | 6.0100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFB17 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFB17N50LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 16a (TC) | 10V | 320mohm @ 9.9a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 30 v | 2760 PF @ 25 V. | - - - | 220W (TC) | ||||
 | SIA975DJ-T1-GE3 | 0,6400 | | 179 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia975 | MOSFET (Metalloxid) | 7.8W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 4,5a | 41mohm @ 4,3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 26nc @ 8v | 1500pf @ 6v | Logikpegel -tor | |||||||
| SI4102DY-T1-GE3 | - - - | | 4349 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4102 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 3.8a (TC) | 6 V, 10V | 158mohm @ 2,7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 370 PF @ 50 V | - - - | 2,4W (TA), 4,8W (TC) | |||||
| IRF830aStrl | - - - | | 6793 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 5a (TC) | 10V | 1,4ohm @ 3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 30 v | 620 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
| SI4565ADY-T1-GE3 | - - - | | 8321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4565 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 6,6a, 5,6a | 39mohm @ 5a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 22nc @ 10v | 625PF @ 20V | - - - | ||||||
| SI4563DY-T1-GE3 | - - - | | 2431 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4563 | MOSFET (Metalloxid) | 3.25W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 8a | 16mohm @ 5a, 10V | 2v @ 250 ähm | 85nc @ 10v | 2390PF @ 20V | - - - | ||||||
| SI4542DY-T1-GE3 | - - - | | 8855 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4542 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | - - - | 25mohm @ 6.9a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 50nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| IRLR120TRPBF | 1.6500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRLR120 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 270 MOHM @ 4,6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 12 NC @ 5 V | ± 10 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
 | IRFSL11N50A | - - - | | 8049 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRFSL11 | MOSFET (Metalloxid) | To-262-3 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFSL11N50A | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 550MOHM @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 51 NC @ 10 V | ± 30 v | 1426 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) |
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