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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4425DDY-T1-GE3 | 0,9100 |  | 63 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4425 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 19,7a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,8 MOHM @ 13A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 80 nc @ 10 v | ± 20 V | 2610 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5,7W (TC) | |||||
 | SIHP100N60E-GE3 | 4.9900 | | 9474 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP100 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 30a (TC) | 10V | 100mohm @ 13a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 30 v | 1851 PF @ 100 V. | - - - | 208W (TC) | |||||
 | IRF624L | - - - | | 7640 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF624 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRF624L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 4.4a (TC) | 10V | 1,1OHM @ 2,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | - - - | ||||
 | SI3467DV-T1-GE3 | - - - | | 6683 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3467 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.8a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 54mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) | ||||||
 | SI5933DC-T1-E3 | - - - | | 6428 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5933 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 2.7a | 110 MOHM @ 2,7A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 7.7nc @ 4.5v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRF730PBF | 1.5700 | | 32 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf730 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF730PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 5.5a (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 700 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | ||||
| Irf644n | - - - | | 2838 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF644 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irf644n | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 14a (TC) | 10V | 240 MOHM @ 8.4a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 54 NC @ 10 V | ± 20 V | 1060 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||
 | SI7447ADP-T1-E3 | - - - | | 9665 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7447 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 35a (TC) | 10V | 6,5 MOHM @ 24a, 10V | 3v @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 25 V | 4650 PF @ 15 V | - - - | 5.4W (TA), 83,3W (TC) | ||||
| IRF734 | - - - | | 1421 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF734 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRF734 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 450 V | 4,9a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2,9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 680 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | ||||
 | IRFR110TRPBF | 1.0000 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR110 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 4.3a (TC) | 10V | 540MOHM @ 2,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
 | SQJ456EP-T1_GE3 | 5.2000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ456 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 32a (TC) | 6 V, 10V | 26mohm @ 9.3a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 3342 PF @ 25 V. | - - - | 83W (TC) | |||||
 | IRF540SPBF | 2.3500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF540 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF540SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
 | SI5943DU-T1-GE3 | - - - | | 5749 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Dual | SI5943 | MOSFET (Metalloxid) | 8.3W | Powerpak® Chipfet Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 6a | 64mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 15nc @ 8v | 460PF @ 6v | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRFD010 | - - - | | 1858 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD010 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFD010 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 50 v | 1.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 860 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TC) | |||
 | SI6928DQ-T1-GE3 | - - - | | 7157 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6928 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 4a | 35mohm @ 4a, 10V | 1V @ 250 ähm | 14nc @ 5v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SIRS5800DP-T1-GE3 | 3.1900 | | 7790 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIRS5800 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 46A (TA), 265A (TC) | 7,5 V, 10 V. | 1,8 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 20 V | 6190 PF @ 40 V | - - - | 7.4W (TA), 240W (TC) | |||||||
| SI5504BDC-T1-E3 | 1.0000 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5504 | MOSFET (Metalloxid) | 3.12W, 3.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 4a, 3,7a | 65mohm @ 3.1a, 10V | 3v @ 250 ähm | 7nc @ 10v | 220PF @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||
 | SIA110DJ-T1-GE3 | 0,9300 | | 21 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA110 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 5.4a (TA), 12A (TC) | 7,5 V, 10 V. | 55mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 550 PF @ 50 V | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | |||||
| SI4500BDY-T1-GE3 | - - - | | 7817 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4500 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal, Geremeinsamer Abfluss | 20V | 6,6a, 3,8a | 20mohm @ 9.1a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 17nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
| SI3499DV-T1-GE3 | 1.0000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3499 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 5.3a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 23mohm @ 7a, 4,5 V. | 750 MV @ 250 ähm | 42 NC @ 4,5 V. | ± 5 V | - - - | 1.1W (TA) | ||||||
 | SQ1420EH-T1-GE3 | - - - | | 2902 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1420 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 1,6a (TC) | 140 MOHM @ 1,2A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 4 NC @ 4,5 V. | 215 PF @ 25 V. | - - - | ||||||||
| IRFR024TR | - - - | | 4852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR024 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 14a (TC) | 10V | 100MOHM @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 640 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
| IRF510 | - - - | | 4855 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF510 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF510 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 10V | 540MOHM @ 3.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) | |||
| SI3473CDV-T1-GE3 | 0,7100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3473 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 22mohm @ 8.1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 65 NC @ 8 V | ± 8 v | 2010 PF @ 6 V | - - - | 2W (TA), 4,2W (TC) | |||||
| SIR826DP-T1-GE3 | 2.9400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir826 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,8 MOHM @ 20A, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 20 V | 2900 PF @ 40 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | Irfi644g | - - - | | 7730 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI644 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfi644g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 250 V | 7.9a (TC) | 10V | 280 MOHM @ 4,7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 68 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | |||
| IRFD010PBF | - - - | | 4496 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD010 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFD010PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 50 v | 1.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 860 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TC) | |||
| SISA01DN-T1-GE3 | 0,9300 | | 4089 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sisa01 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 22,4a (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,9 Mohm @ 15a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 84 NC @ 10 V | +16 V, -20 V | 3490 PF @ 15 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
| SIHP5N50D-GE3 | 1.1200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP5 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 5.3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,5a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 325 PF @ 100 V | - - - | 104W (TC) | |||||
 | SUD50N025-06P-E3 | - - - | | 2955 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 25 v | 78a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,2 MOHM @ 20A, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 66 NC @ 10 V | ± 20 V | 2490 PF @ 12 V | - - - | 10.7W (TA), 65W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
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