- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQJ940EP-T1_GE3 | 1.4500 |  | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ940 | MOSFET (Metalloxid) | 48W, 43W | Powerpak® So-8 Dual Asymmetrisch | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 15a (ta), 18a (TC) | 16mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20nc @ 20V | 896PF @ 20V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIA443DJ-T1-GE3 | - - - | | 7594 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA443 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 9a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 45mohm @ 4,7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 25 NC @ 8 V | ± 8 v | 750 PF @ 10 V | - - - | 3.3W (TA), 15W (TC) | ||||
 | Sum90140e-GE3 | 3.0600 | | 9684 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum90140 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 90a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 17mohm @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 96 NC @ 10 V | ± 20 V | 4132 PF @ 100 V | - - - | 375W (TC) | |||||
 | IRFIB7N50A | - - - | | 7980 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfib7 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFIB7N50A | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 6.6a (TC) | 10V | 520mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 30 v | 1423 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) | |||
 | SIHP28N65EF-GE3 | 3.4119 | | 1126 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP28 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 28a (TC) | 10V | 117mohm @ 14a, 10V | 4v @ 250 ähm | 146 NC @ 10 V. | ± 30 v | 3249 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
 | IRF9630strr | - - - | | 2811 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9630 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 200 v | 6,5a (TC) | 10V | 800 MOHM @ 3,9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | ± 20 V | 700 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 74W (TC) | ||||
 | SQJ147ELP-T1_GE3 | 0,9900 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ147 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 90a (TC) | 12,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 5500 PF @ 25 V. | - - - | 183W (TC) | |||||||
 | IRFU024 | - - - | | 3201 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Irfu | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFU024 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 60 v | 14a (TC) | 10V | 100MOHM @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 640 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||
 | SI4368DY-T1-GE3 | 1.6199 | | 9784 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4368 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 17a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 3,2 Mohm @ 25a, 10 V | 1,8 V @ 250 ähm | 80 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 8340 PF @ 15 V | - - - | 1.6W (TA) | |||||
 | Sira66DP-T1-GE3 | 0,3959 | | 4604 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira66 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,3 MOHM @ 15a, 10V | 2,2 V @ 1ma | 66 NC @ 10 V | +20V, -16v | - - - | 62,5W (TC) | ||||||
| Irfz24strl | - - - | | 2509 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfz24 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 17a (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 640 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | ||||
 | SQ2318AES-T1_BE3 | 0,6000 | | 57 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2318 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 31mohm @ 7.9a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 553 PF @ 20 V | - - - | 3W (TC) | ||||||
 | IRFP044PBF | - - - | | 8169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP044 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP044PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 60 v | 57a (TC) | 10V | 28mohm @ 34a, 10V | 4v @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 2500 PF @ 25 V | - - - | 180W (TC) | |||
 | SUP70101EL-GE3 | 2.9700 | | 9952 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SUP70101 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,5 V @ 250 ähm | 190 nc @ 10 v | ± 20 V | 7000 PF @ 50 V | - - - | 375W (TC) | ||||||
 | SIHP33N60EF-GE3 | 6.3700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP33 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 33a (TC) | 10V | 98mohm @ 16.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 155 NC @ 10 V | ± 30 v | 3454 PF @ 100 V | - - - | 278W (TC) | |||||
 | IRF830ALPBF | 2.3800 | | 385 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF830ALPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 5a (TC) | 10V | 1,4ohm @ 3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 30 v | 620 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
 | SI6459BDQ-T1-GE3 | - - - | | 6462 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6459 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 2.2a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 115mohm @ 2,7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 1W (TA) | |||||
| SI2333CDS-T1-GE3 | 0,6300 | | 1445 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2333 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 7.1a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 35mohm @ 5.1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 25 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 1225 PF @ 6 V | - - - | 1,25W (TA), 2,5W (TC) | ||||
 | SIDR622DP-T1-RE3 | 2.5200 | | 8110 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIDR622DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 64,6a (TA), 56,7a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 17,7 MOHM @ 20A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 1516 PF @ 75 V | - - - | 6,25W (TA), 125W (TC) | ||||||
| SI4401DY-T1-E3 | - - - | | 1280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4401 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 8.7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 15,5 MOHM @ 10,5a, 10 V | 1 V @ 250 um (min) | 50 nc @ 5 v | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | Siz790DT-T1-GE3 | - - - | | 6718 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | SkyFet®, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerpair ™ | Siz790 | MOSFET (Metalloxid) | 27W, 48W | 6-Powerpair ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 16a, 35a | 9.3mohm @ 15a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 24nc @ 10v | 830pf @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
| SQJQ144AE-T1_GE3 | 2.7700 | | 4319 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 | SQJQ144 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJQ144AE-T1_GE3CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 575a (TC) | 10V | 0,9 MOHM @ 20A, 10 V. | 3,5 V @ 250 ähm | 145 NC @ 10 V. | ± 20 V | 9020 PF @ 25 V. | - - - | 600W (TC) | ||||
 | SQ3481EV-T1_GE3 | 0,6900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3481 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 7.5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 43mohm @ 5.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 23.5 NC @ 10 V | ± 20 V | 870 PF @ 15 V | - - - | 4W (TC) | ||||||
 | SI7141DP-T1-GE3 | 2.3200 | | 41 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7141 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,9 MOHM @ 25a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 400 nc @ 10 v | ± 20 V | 14300 PF @ 10 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
| IRFBC40AStrrpBF | 2.7871 | | 1953 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC40 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 3,7A, 10 V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1036 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||||
| SI3458BDV-T1-GE3 | 0,9100 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3458 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 4.1a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 100MOHM @ 3.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 350 PF @ 30 V | - - - | 2W (TA), 3,3 W (TC) | |||||
| IRF630L | - - - | | 9171 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Irf630 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRF630L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 9a (TC) | 10V | 400mohm @ 5.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 43 NC @ 10 V | ± 20 V | 800 PF @ 25 V. | - - - | - - - | ||||
 | SQJ952EP-T1_BE3 | 1.1400 | | 9816 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ952 | MOSFET (Metalloxid) | 25W (TC) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ952EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 23a (TC) | 20mohm @ 10.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30nc @ 10v | 1800pf @ 30v | - - - | |||||||
| IRF640SPBF | 2.2000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF640 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 18a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 130 W (TC) | |||||
 | SQ1464EEH-T1_GE3 | 0,5000 | | 41 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1464 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 440 mA (TC) | 1,5 v | 1,41OHM @ 2a, 1,5 V. | 1V @ 250 ähm | 4.1 NC @ 4.5 V. | ± 8 v | 140 PF @ 25 V. | - - - | 430 MW (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)