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Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI3909DV-T1-E3 | - - - |  | 2906 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3909 | MOSFET (Metalloxid) | 1.15W | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | - - - | 200mohm @ 1,8a, 4,5 V. | 500 MV @ 250 um (min) | 4nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI4963BDY-T1-GE3 | 0,7796 | | 4291 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4963 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4.9a | 32mohm @ 6,5a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 21nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SQJA42EP-T1_GE3 | 1.4600 | | 6987 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja42 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,4mohm @ 6a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 27W (TC) | |||||
 | SIA975DJ-T1-GE3 | 0,6400 | | 179 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia975 | MOSFET (Metalloxid) | 7.8W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 4,5a | 41mohm @ 4,3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 26nc @ 8v | 1500pf @ 6v | Logikpegel -tor | |||||||
 | IRFIB5N50LPBF | - - - | | 6961 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfib5 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFIB5N50LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 4.7a (TC) | 10V | 800mohm @ 2.4a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 30 v | 1000 PF @ 25 V. | - - - | 42W (TC) | |||
 | IRFB17N50LPBF | 6.0100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFB17 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFB17N50LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 16a (TC) | 10V | 320mohm @ 9.9a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 30 v | 2760 PF @ 25 V. | - - - | 220W (TC) | ||||
 | Sia907edj-T4-GE3 | - - - | | 8775 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | - - - | - - - | SIA907 | - - - | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||
 | SI7440DP-T1-GE3 | - - - | | 2964 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7440 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 6,5 MOHM @ 21A, 10V | 3v @ 250 ähm | 35 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||
 | SISA04DN-T1-GE3 | 1.2500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sisa04 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,15 MOHM @ 15a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | +20V, -16v | 3595 PF @ 15 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
| SI4599DY-T1-GE3 | 0,9100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4599 | MOSFET (Metalloxid) | 3W, 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 6,8a, 5,8a | 35,5 MOHM @ 5A, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 640PF @ 20V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI4340CDY-T1-E3 | 1.3500 | | 612 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4340 | MOSFET (Metalloxid) | 3W, 5.4W | 14-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 14.1a, 20a | 9,4mohm @ 11,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 32nc @ 10v | 1300PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||
| SQD23N06-31L_T4GE3 | 0,4269 | | 4967 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD23 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQD23N06-31L_T4GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 23a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 31mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 845 PF @ 25 V. | - - - | 37W (TC) | ||||
 | IRFPC50PBF | 6.4000 | | 6698 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPC50 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFPC50PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 600mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 140 nc @ 10 v | ± 20 V | 2700 PF @ 25 V. | - - - | 180W (TC) | ||||
 | SIR616DP-T1-GE3 | 1.4800 | | 5061 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir616 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 20,2a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 50,5 MOHM @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 28 NC @ 7,5 V. | ± 20 V | 1450 PF @ 100 V | - - - | 52W (TC) | |||||
| SIHG22N65E-GE3 | 3.2943 | | 8283 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG22 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 650 V | 22a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 30 v | 2415 PF @ 100 V | - - - | 227W (TC) | |||||
 | IRF540SPBF | 2.3500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF540 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF540SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
 | SQJ456EP-T1_GE3 | 5.2000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ456 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 32a (TC) | 6 V, 10V | 26mohm @ 9.3a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 3342 PF @ 25 V. | - - - | 83W (TC) | |||||
 | IRFBC30LPBF | - - - | | 7674 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRFBC30 | MOSFET (Metalloxid) | To-262-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFBC30LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 31 NC @ 10 V | ± 20 V | 660 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
| IRL3303D1strr | - - - | | 9378 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRL3303 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 30 v | 38a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 26mohm @ 20a, 10V | 1V @ 250 ähm | 26 NC @ 4,5 V. | ± 16 v | 870 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | ||||
| IRF737LCS | - - - | | 5183 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF737 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF737LCS | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 300 V | 6.1a (TC) | 10V | 750 MOHM @ 3,7A, 10V | 4v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 30 v | 430 PF @ 25 V. | - - - | - - - | |||
 | SQS840CENW-T1_GE3 | 0,7200 | | 7302 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8W | SQS840 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQS840Cenw-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 7,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 22,5 NC @ 10 V | ± 20 V | 1031 PF @ 20 V | - - - | 33W (TC) | ||||
 | SIHH070N60EF-T1GE3 | 7.9200 | | 4041 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | SIHH070 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 36a (TC) | 10V | 71Mohm @ 15a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 30 v | 2647 PF @ 100 V | - - - | 202W (TC) | |||||
 | IRFD010 | - - - | | 1858 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD010 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFD010 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 50 v | 1.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 860 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TC) | |||
 | SI6928DQ-T1-GE3 | - - - | | 7157 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6928 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 4a | 35mohm @ 4a, 10V | 1V @ 250 ähm | 14nc @ 5v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI3467DV-T1-GE3 | - - - | | 6683 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3467 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.8a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 54mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) | ||||||
| IRFBC30SPBF | 1.6155 | | 1175 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC30 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFBC30SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 31 NC @ 10 V | ± 20 V | 660 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
| IRF1405ZTRL | - - - | | 4583 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF1405 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 55 v | 75a (TC) | 10V | 4,9mohm @ 75a, 10V | 4v @ 250 ähm | 180 nc @ 10 v | ± 20 V | 4780 PF @ 25 V. | - - - | 230W (TC) | ||||
 | SI5943DU-T1-GE3 | - - - | | 5749 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Dual | SI5943 | MOSFET (Metalloxid) | 8.3W | Powerpak® Chipfet Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 6a | 64mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 15nc @ 8v | 460PF @ 6v | Logikpegel -tor | ||||||
| IRF734 | - - - | | 1421 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF734 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRF734 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 450 V | 4,9a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2,9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 680 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | ||||
| IRFZ40 | - - - | | 5889 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFZ40 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFZ40 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10V | 4v @ 250 ähm | 67 NC @ 10 V | ± 20 V | 1900 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) |
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