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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI5853DDC-T1-E3 | - - - |  | 7426 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5853 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 105mohm @ 2,9a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 12 NC @ 8 V | ± 8 v | 320 PF @ 10 V | Schottky Diode (Isolier) | 1,3W (TA), 3,1W (TC) | ||||
 | IRFBE30LPBF | 2.8500 | | 1665 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Irfbe30 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3OHM @ 2,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||||
 | SIHB33N60ET1-GE3 | 6.1800 | | 2691 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB33 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 33a (TC) | 10V | 99mohm @ 16.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 30 v | 3508 PF @ 100 V | - - - | 278W (TC) | ||||||
 | SQD50N04-5M6_T4GE3 | 1.6700 | | 48 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 50a (TC) | 10V | 5.6mohm @ 20a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 85 NC @ 10 V | ± 20 V | 4000 PF @ 25 V. | - - - | 71W (TC) | ||||||
 | SI4840DY-T1-E3 | - - - | | 2986 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4840 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 10a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 14a, 10V | 3v @ 250 ähm | 28 NC @ 5 V | ± 20 V | - - - | 1,56W (TA) | |||||
 | SIHG22N60S-E3 | - - - | | 9881 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG22 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 22a (TC) | 190mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | 5620 PF @ 25 V. | - - - | 250 W (TC) | |||||||
 | SI8808DB-T2-E1 | 0,4500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-uFbga | SI8808 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 1,8a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 95mohm @ 1a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 10 nc @ 8 v | ± 8 v | 330 PF @ 15 V | - - - | 500 MW (TA) | ||||
| SI4500BDY-T1-E3 | - - - | | 7254 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4500 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal, Geremeinsamer Abfluss | 20V | 6,6a, 3,8a | 20mohm @ 9.1a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 17nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIB800edk-T1-GE3 | - - - | | 2786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6 | SIB800 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 1,5a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 225mohm @ 1,6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 1,7 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | Schottky Diode (Isolier) | 1,1W (TA), 3,1W (TC) | |||||
 | IRFR1N60ATR | - - - | | 6599 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Irfr1 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 1.4a (TC) | 10V | 7ohm @ 840 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 30 v | 229 PF @ 25 V. | - - - | 36W (TC) | ||||
| IRF9530L | - - - | | 7169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF9530 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRF9530L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 12a (TC) | 10V | 300MOHM @ 7.2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 860 PF @ 25 V. | - - - | - - - | ||||
 | SI2309CDS-T1-E3 | 0,5500 | | 8186 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2309 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 1,6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 345MOHM @ 1,25A, 10V | 3v @ 250 ähm | 4.1 NC @ 4.5 V. | ± 20 V | 210 PF @ 30 V | - - - | 1W (TA), 1,7W (TC) | ||||
| SI5904DC-T1-E3 | - - - | | 9801 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5904 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 3.1a | 75mohm @ 3,1a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 6nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| IRFP140PBF | 4.1400 | | 458 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP140 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP140PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 100 v | 31a (TC) | 10V | 77mohm @ 19a, 10V | 4v @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 180W (TC) | ||||
| IRFR120 | - - - | | 8110 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 100 v | 7.7a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 4,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
| IRFR310TRLPBF | 1.5300 | | 6733 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Irfr310 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 400 V | 1.7a (TC) | 10V | 3,6OHM @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
| IRF9Z34S | - - - | | 6734 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf9 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF9Z34S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 60 v | 18a (TC) | 10V | 140Mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||
| SI4288DY-T1-GE3 | 1.3900 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4288 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 9.2a | 20mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 15nc @ 10v | 580PF @ 20V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SQRS140ELP-T1_GE3 | 2.6800 | | 8072 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, Trenchfet® Geniv | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8SW | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 504a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 600 um @ 15a, 10 V | 2,2 V @ 250 ähm | 294 NC @ 10 V. | ± 20 V | 15398 PF @ 25 V. | - - - | 266W (TC) | ||||||||
| IRFR9020TR | - - - | | 6211 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9020 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 50 v | 9,9a (TC) | 10V | 280MOHM @ 5.7A, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 42W (TC) | ||||
| IRFPC50PBF | 6.4000 | | 6698 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPC50 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFPC50PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 600mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 140 nc @ 10 v | ± 20 V | 2700 PF @ 25 V. | - - - | 180W (TC) | ||||
| SI4322DY-T1-E3 | - - - | | 7011 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4322 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8,5 MOHM @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1640 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 5,4W (TC) | ||||
| SIB417EDK-T1-GE3 | 0,3969 | | 7299 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6 | SIB417 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 9a (TC) | 1,2 V, 4,5 V. | 58mohm @ 5,8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 12 NC @ 5 V | ± 5 V | 565 PF @ 4 V. | - - - | 2,4W (TA), 13W (TC) | |||||
| IRFP254PBF | 4.2200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP254 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP254PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 250 V | 23a (TC) | 10V | 140Mohm @ 14a, 10V | 4v @ 250 ähm | 140 nc @ 10 v | ± 20 V | 2700 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | ||||
| SIHG039N60E-GE3 | 11.1400 | | 392 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG039 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 63a (TC) | 10V | 39mohm @ 32a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 126 NC @ 10 V | ± 30 v | 4369 PF @ 100 V | - - - | 357W (TC) | |||||
| SI5432DC-T1-GE3 | - - - | | 9623 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5432 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 6a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 20mohm @ 8,3a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 12 V | 1200 PF @ 10 V | - - - | 2,5 W (TA), 6,3 W (TC) | ||||
 | SI1450DH-T1-GE3 | - - - | | 5032 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1450 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 8 v | 4,53a (TA), 6.04a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 47mohm @ 4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 7,05 NC @ 5 V. | ± 5 V | 535 PF @ 4 V. | - - - | 1,56W (TA), 2,78W (TC) | ||||
 | SQJ476EP-T1_BE3 | 0,9400 | | 3693 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ476EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 23a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 38mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 700 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | ||||||
 | SI3442BDV-T1-GE3 | 0,2284 | | 3719 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3442 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 3a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 57mohm @ 4a, 4,5 V. | 1,8 V @ 250 ähm | 5 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 295 PF @ 10 V. | - - - | 860 MW (TA) | |||||
 | SQA413CEJW-T1_GE3 | 0,4300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | Powerpak® SC-70-6 | SQA413 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®SC-70W-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 7.5a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 38mohm @ 4,5a, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 16 NC @ 4,5 V | ± 12 V | 1350 PF @ 10 V | - - - | 13.6W (TC) |
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