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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQJ420EP-T1_BE3 | 0,8800 |  | 1720 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ420EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10Mohm @ 9.7a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 1860 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | ||||||
 | SUP90N06-5M0P-E3 | - - - | | 2525 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Streiflen | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup90 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 60 v | 90a (TC) | 10V | 5mohm @ 20a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 6190 PF @ 30 V | - - - | 3,75 W (TA), 300 W (TC) | ||||
 | SI4465ADY-T1-E3 | 1.9500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4465 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 8 v | 13,7a (TA), 20A (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 9mohm @ 14a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 85 NC @ 4,5 V | ± 8 v | - - - | 3W (TA), 6,5 W (TC) | ||||||
 | Sira20BDP-T1-GE3 | 1.6500 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira20 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIRA20BDP-T1-GE3CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 82A (TA), 335A (TC) | 0,58 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,1 V @ 250 ähm | 186 NC @ 10 V. | +16 V, -12v | 9950 PF @ 15 V | - - - | 6.3W (TA), 104W (TC) | ||||||
 | SI4340CDY-T1-E3 | 1.3500 | | 612 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4340 | MOSFET (Metalloxid) | 3W, 5.4W | 14-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 14.1a, 20a | 9,4mohm @ 11,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 32nc @ 10v | 1300PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI3909DV-T1-E3 | - - - | | 2906 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3909 | MOSFET (Metalloxid) | 1.15W | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | - - - | 200mohm @ 1,8a, 4,5 V. | 500 MV @ 250 um (min) | 4nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SQJA42EP-T1_GE3 | 1.4600 | | 6987 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja42 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,4mohm @ 6a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 27W (TC) | |||||
 | SQ3461EV-T1_BE3 | 0,8000 | | 4473 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-sq3461ev-t1_be3tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 25mo @ 7,9a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 28 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 2000 PF @ 6 V | - - - | 5W (TC) | ||||||
 | SIHP17N80AE-GE3 | 2.8100 | | 963 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP17 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHP17N80AE-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 15a (TC) | 10V | 290MOHM @ 8.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 30 v | 1260 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | ||||
| SI4963BDY-T1-GE3 | 0,7796 | | 4291 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4963 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4.9a | 32mohm @ 6,5a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 21nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI2365EDS-T1-GE3 | 0,4000 | | 7679 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2365 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 5.9a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 32mohm @ 4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 36 NC @ 8 V | ± 8 v | - - - | 1W (TA), 1,7W (TC) | |||||
 | SISA04DN-T1-GE3 | 1.2500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sisa04 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,15 MOHM @ 15a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | +20V, -16v | 3595 PF @ 15 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | Sia907edj-T4-GE3 | - - - | | 8775 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | - - - | - - - | SIA907 | - - - | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||
 | SIA975DJ-T1-GE3 | 0,6400 | | 179 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia975 | MOSFET (Metalloxid) | 7.8W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 4,5a | 41mohm @ 4,3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 26nc @ 8v | 1500pf @ 6v | Logikpegel -tor | |||||||
| SI4565ADY-T1-GE3 | - - - | | 8321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4565 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 6,6a, 5,6a | 39mohm @ 5a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 22nc @ 10v | 625PF @ 20V | - - - | ||||||
| SI4563DY-T1-GE3 | - - - | | 2431 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4563 | MOSFET (Metalloxid) | 3.25W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 8a | 16mohm @ 5a, 10V | 2v @ 250 ähm | 85nc @ 10v | 2390PF @ 20V | - - - | ||||||
| SI4542DY-T1-GE3 | - - - | | 8855 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4542 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | - - - | 25mohm @ 6.9a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 50nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SQJQ936EL-T1_GE3 | 2.7800 | | 4134 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 Dual | SQJQ936 | MOSFET (Metalloxid) | 75W (TC) | Powerpak® 8 x 8 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 2 N-Kanal | 40V | 100a (TC) | 2,3 MOHM @ 5A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 45nc @ 10v | 7300PF @ 25V | Standard | ||||||||
 | SQS840CENW-T1_GE3 | 0,7200 | | 7302 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8W | SQS840 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQS840Cenw-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 7,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 22,5 NC @ 10 V | ± 20 V | 1031 PF @ 20 V | - - - | 33W (TC) | ||||
| SI4562DY-T1-E3 | - - - | | 3507 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4562 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 20V | - - - | 25mo @ 7.1a, 4,5 V. | 1,6 V @ 250 ähm | 50nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SQ1922EH-T1_GE3 | 0,4900 | | 480 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1922 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5W | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 840 mA (TC) | 350MOHM @ 400 Ma, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 1,2nc @ 4,5 V | 50pf @ 10v | - - - | |||||||
| SUP60N06-12P-E3 | - - - | | 1117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup60 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SUP60N0612PE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 60 v | 60a (TC) | 10V | 12mohm @ 30a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 55 NC @ 10 V | ± 20 V | 1970 PF @ 30 V | - - - | 3,25W (TA), 100W (TC) | |||
 | SIR616DP-T1-GE3 | 1.4800 | | 5061 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir616 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 20,2a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 50,5 MOHM @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 28 NC @ 7,5 V. | ± 20 V | 1450 PF @ 100 V | - - - | 52W (TC) | |||||
 | SI7440DP-T1-GE3 | - - - | | 2964 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7440 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 6,5 MOHM @ 21A, 10V | 3v @ 250 ähm | 35 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||
 | SIHFR1N60A-GE3 | 1.0000 | | 2762 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihfr1 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 1.4a (TC) | 10V | 7ohm @ 840 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 30 v | 229 PF @ 25 V. | - - - | 36W (TC) | ||||||
| IRFBF20PBF | 2.4100 | | 996 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFBF20 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFBF20PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 900 V | 1.7a (TC) | 10V | 8ohm @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 54W (TC) | ||||
| SQD23N06-31L_T4GE3 | 0,4269 | | 4967 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD23 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQD23N06-31L_T4GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 23a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 31mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 845 PF @ 25 V. | - - - | 37W (TC) | ||||
 | SI8451DB-T2-E1 | - - - | | 7660 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-uFbga | SI8451 | MOSFET (Metalloxid) | 6-Mikro-Fuß ™ (1,5x1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 10.8a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 80MOHM @ 1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 24 nc @ 8 v | ± 8 v | 750 PF @ 10 V | - - - | 2,77W (TA), 13W (TC) | ||||
| SI4425DDY-T1-GE3 | 0,9100 | | 63 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4425 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 19,7a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,8 MOHM @ 13A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 80 nc @ 10 v | ± 20 V | 2610 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5,7W (TC) | |||||
| SI3467DV-T1-GE3 | - - - | | 6683 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3467 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.8a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 54mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) |
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