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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHP22N60EL-GE3 | 2.1903 |  | 2841 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP22 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 197mohm @ 11a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 74 NC @ 10 V | ± 30 v | 1690 PF @ 100 V | - - - | 227W (TC) | ||||||
 | SI4914BDY-T1-GE3 | - - - | | 6992 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4914 | MOSFET (Metalloxid) | 2.7W, 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 8.4a, 8a | 21mohm @ 8a, 10V | 2,7 V @ 250 ähm | 10.5nc @ 4,5V | - - - | - - - | |||||||
 | SI7302DN-T1-GE3 | - - - | | 2381 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7302 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 220 V | 8.4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 320mohm @ 2,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 645 PF @ 15 V | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | ||||
 | SQJA94EP-T1_GE3 | 1.2100 | | 3505 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja94 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 46a (TC) | 10V | 13,5 MOHM @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 2000 PF @ 25 V. | - - - | 55W (TC) | |||||
 | IRF9Z24STRRPBF | 1.3028 | | 7821 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9Z24 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 60 v | 11a (TC) | 10V | 280 MOHM @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | |||||
| SI4838DY-T1-GE3 | 1.5641 | | 2872 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4838 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 12 v | 17a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 3mohm @ 25a, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 60 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.6W (TA) | ||||||
 | SIZ980DT-T1-GE3 | 1.6300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | SIZ980 | MOSFET (Metalloxid) | 20W, 66W | 8-Powerpair® (6x5) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Dual), Schottky | 30V | 20A (TC), 60A (TC) | 6,7 MOHM @ 15a, 10V, 1,6 Mohm @ 19a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 8.1nc @ 4,5V, 35nc @ 4,5 V. | 930pf @ 15V, 4600pf @ 15V | - - - | ||||||||
 | SQD50P06-15L_T4GE3 | 1.6600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQD50P06-15L_T4GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 15,5 MOHM @ 17A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 20 V | 5910 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | ||||||
 | SI7214DN-T1-GE3 | - - - | | 2696 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7214 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 4.6a | 40mohm @ 6.4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 6,5nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | IRF9Z14LPBF | 0,8663 | | 9779 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF9Z14 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF9Z14LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 60 v | 6.7a (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | ||||
 | SI5447DC-T1-GE3 | - - - | | 1002 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5447 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3,5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 76mohm @ 3,5a, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 10 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,3W (TA) | |||||
| SIHB22N60EL-GE3 | 2.2344 | | 2818 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB22 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 197mohm @ 11a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 74 NC @ 10 V | ± 30 v | 1690 PF @ 100 V | - - - | 227W (TC) | ||||||
 | SI3456CDV-T1-E3 | - - - | | 6050 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3456 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 7.7a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 34mohm @ 6.1a, 10V | 3v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 460 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA), 3,3 W (TC) | ||||
 | SQJ420EP-T1_BE3 | 0,8800 | | 1720 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ420EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10Mohm @ 9.7a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 1860 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | ||||||
| SI4465ADY-T1-E3 | 1.9500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4465 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 8 v | 13,7a (TA), 20A (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 9mohm @ 14a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 85 NC @ 4,5 V | ± 8 v | - - - | 3W (TA), 6,5 W (TC) | ||||||
| SQJ474EP-T1_BE3 | 0,9800 | | 3488 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ474EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 26a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 30mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | ||||||
 | Sira20BDP-T1-GE3 | 1.6500 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira20 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIRA20BDP-T1-GE3CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 82A (TA), 335A (TC) | 0,58 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,1 V @ 250 ähm | 186 NC @ 10 V. | +16 V, -12v | 9950 PF @ 15 V | - - - | 6.3W (TA), 104W (TC) | ||||||
 | SUP90N06-5M0P-E3 | - - - | | 2525 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Streiflen | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup90 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 60 v | 90a (TC) | 10V | 5mohm @ 20a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 6190 PF @ 30 V | - - - | 3,75 W (TA), 300 W (TC) | ||||
| SI4497DY-T1-GE3 | 1.8800 | | 3879 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4497 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 36a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,3 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 285 NC @ 10 V | ± 20 V | 9685 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 7,8W (TC) | |||||
| SI4542DY-T1-GE3 | - - - | | 8855 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4542 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | - - - | 25mohm @ 6.9a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 50nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI4565ADY-T1-GE3 | - - - | | 8321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4565 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 6,6a, 5,6a | 39mohm @ 5a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 22nc @ 10v | 625PF @ 20V | - - - | ||||||
| SI4563DY-T1-GE3 | - - - | | 2431 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4563 | MOSFET (Metalloxid) | 3.25W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 8a | 16mohm @ 5a, 10V | 2v @ 250 ähm | 85nc @ 10v | 2390PF @ 20V | - - - | ||||||
| SI4833ADY-T1-E3 | - - - | | 2797 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4833 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 4.6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 72mohm @ 3,6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 750 PF @ 15 V | Schottky Diode (Isolier) | 1,93W (TA), 2,75W (TC) | ||||
 | SI6433BDQ-T1-GE3 | - - - | | 7852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6433 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 4a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 40mohm @ 4,8a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | ± 8 v | - - - | 1.05W (TA) | |||||
| SIS4634LDN-T1-GE3 | 0,7200 | | 5669 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS4634 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 7.8a (TA), 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 29mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 5 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 420 PF @ 30 V | - - - | 3,2 W (TA), 19,8W (TC) | |||||||
 | SI1067X-T1-GE3 | - - - | | 5038 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1067 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 1.06a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 150 MOHM @ 1,06A, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 9.3 NC @ 5 V. | ± 8 v | 375 PF @ 10 V. | - - - | 236 MW (TA) | ||||
 | Sizf360DT-T1-GE3 | 1.6100 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerpair ™ | Sizf360 | MOSFET (Metalloxid) | 3,8 W (TA), 52W (TC), 4,3W (TA), 78W (TC) | 6-Powerpair ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-Sizf360DT-T1-GE3CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Dual), Schottky | 30V | 23a (TA), 83a (TC), 34a (TA), 143a (TC) | 4,5 MOHM @ 10a, 10 V, 1,9 Mohm @ 10a, 10 V | 2,2 V @ 250 ähm | 22nc @ 10v, 62nc @ 10v | 1100pf @ 15V, 3150pf @ 15V | - - - | ||||||
 | IRF9610StrRPBF | 0,5187 | | 5411 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9610 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 742-IRF9610Strrpbftr | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 200 v | 1,8a (TC) | 10V | 3OHM @ 900 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 20W (TC) | ||||||
| SI6943BDQ-T1-E3 | - - - | | 7976 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6943 | MOSFET (Metalloxid) | 800 MW | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 2.3a | 80MOHM @ 2,5A, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 10nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SIHG28N60EF-GE3 | 6.6200 | | 500 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG28 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 28a (TC) | 10V | 123mohm @ 14a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 30 v | 2714 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) |
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