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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIR846DP-T1-GE3 | 2.5100 |  | 8527 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir846 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 60a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 7,8 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 2870 PF @ 50 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SISS46DN-T1-GE3 | 1.5500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS46 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 12,5a (TA), 45,3a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 12,8 MOHM @ 10a, 10V | 3,4 V @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2140 PF @ 50 V | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | |||||
 | SIR5108DP-T1-RE3 | 1.5700 | | 5133 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir5108 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 15,4a (TA), 55,9a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 7.45MOHM @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | 1150 PF @ 50 V | - - - | 5.2W (TA), 65,7W (TC) | ||||||
 | SIHK075N60EF-T1GE3 | 7.3900 | | 26 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerbsfn | SIHK075 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®10 x 12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 33a (TC) | 10V | 71Mohm @ 15a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 30 v | 2954 PF @ 100 V | - - - | 192W (TC) | |||||
 | SQJ431AEP-T1_BE3 | 1.6400 | | 2342 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-sqj431aep-t1_be3tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 200 v | 9,4a (TC) | 6 V, 10V | 305mohm @ 3,8a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 85 NC @ 10 V | ± 20 V | 3700 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | ||||||
 | IRFR110TRLPBF | 1.3900 | | 3865 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR110 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 4.3a (TC) | 10V | 540MOHM @ 2,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 25W (TC) | |||||
 | SQ2310ES-T1_GE3 | 0,9000 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2310 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 6a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 30mohm @ 5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 8,5 NC @ 4,5 V | ± 8 v | 485 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TC) | |||||
 | SI5903DC-T1-GE3 | - - - | | 8859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5903 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 2.1a | 155mohm @ 2,1a, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 6nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SQ2398ES-T1_GE3 | 0,6300 | | 458 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2398 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 1,6a (TC) | 10V | 300 MOHM @ 1,5A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 3.4 NC @ 10 V | ± 20 V | 152 PF @ 50 V | - - - | 2W (TC) | ||||||
 | SI4186DY-T1-GE3 | 1.2100 | | 69 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4186 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 20 v | 35.8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,6 MOHM @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 20 V | 3630 PF @ 10 V. | - - - | 3W (TA), 6W (TC) | |||||
| SI4048DY-T1-GE3 | - - - | | 2509 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4048 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 19,3a (TC) | 10V | 85mohm @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 51 NC @ 10 V | ± 20 V | 2060 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5,7W (TC) | |||||
| SQD40081EL_GE3 | 1.3700 | | 2265 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD40081 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 40 v | 50a (TC) | 10V | 8.5Mohm @ 25a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 210 nc @ 10 v | ± 20 V | 9950 PF @ 25 V. | - - - | 71W (TC) | |||||
 | Irfl214 | - - - | | 5602 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Irfl214 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfl214 | Ear99 | 8541.29.0095 | 80 | N-Kanal | 250 V | 790 Ma (TC) | 10V | 2OHM @ 470 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||
 | SIHD5N50D-GE3 | 1.0500 | | 1756 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd5 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 500 V | 5.3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,5a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 325 PF @ 100 V | - - - | 104W (TC) | |||||
 | IRFIBC40GLCPBF | 2.3946 | | 3626 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfibc40 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFIBC40GLCPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 3,5a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2,1A, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | ||||
 | SIA814DJ-T1-GE3 | - - - | | 7117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA814 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4,5a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 61Mohm @ 3,3a, 10 V | 1,5 V @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 12 V | 340 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 1,9W (TA), 6,5W (TC) | ||||
 | SI6966DQ-T1-GE3 | - - - | | 9688 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6966 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 4a | 30mohm @ 4,5a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 20nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI5933DC-T1-GE3 | - - - | | 3407 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5933 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 2.7a | 110 MOHM @ 2,7A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 7.7nc @ 4.5v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SUD25N15-52-T4-E3 | 1.5962 | | 1682 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud25 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 150 v | 25a (TC) | 6 V, 10V | 52mohm @ 5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1725 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
| IRFL9014TRPBF | 0,9300 | | 47 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | IRFL9014 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 60 v | 1,8a (TC) | 10V | 500mohm @ 1,1a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||||
 | SI8416DB-T1-GE3 | - - - | | 9882 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-uFbga | SI8416 | MOSFET (Metalloxid) | 6-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 8 v | 16a (TC) | 1,2 V, 4,5 V. | 23mohm @ 1,5a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 26 NC @ 4,5 V. | ± 5 V | 1470 PF @ 4 V. | - - - | 2,77W (TA), 13W (TC) | ||||
 | SIHG24N65E-E3 | 3.8346 | | 8861 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG24 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHG24N65EE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 30 v | 2740 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||
| SI4752DY-T1-GE3 | - - - | | 8028 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | SkyFet®, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4752 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 25a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,2 V @ 1ma | 43 NC @ 10 V | ± 20 V | 1700 PF @ 15 V | Schottky Diode (Körper) | 3W (TA), 6,25 W (TC) | |||||
| SI6544BDQ-T1-E3 | - - - | | 4583 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6544 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 3.7a, 3.8a | 43mohm @ 3,8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI1401EDH-T1-BE3 | 0,4100 | | 4662 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1401 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 742-SI1401EDH-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 4a (ta), 4a (TC) | 34mohm @ 5,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 36 NC @ 8 V | ± 10 V | - - - | 1,6W (TA), 2,8 W (TC) | ||||||
| Irfibe30g | - - - | | 7413 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfibe30 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfibe30g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 2.1a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 35W (TC) | |||
 | Sira20DP-T1-RE3 | 1.5800 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira20 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 81,7a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,58 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,1 V @ 250 ähm | 200 nc @ 10 v | +16 V, -12v | 10850 PF @ 10 V. | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SQM120P04-04L_GE3 | 3.6400 | | 8972 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM120 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 40 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 330 NC @ 10 V | ± 20 V | 13980 PF @ 20 V | - - - | 375W (TC) | |||||
 | SIR5708DP-T1-RE3 | 1.5100 | | 3427 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 9,5a (TA), 33,8a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 23mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 975 PF @ 75 V | - - - | 5.2W (TA), 65,7W (TC) | ||||||
| IRFP048PBF | 4.7600 | | 7338 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP048 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP048PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 60 v | 70a (TC) | 10V | 18mohm @ 44a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 2400 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) |
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