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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIR167DP-T1-GE3 | 1.0500 |  | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir167 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5,5 MOHM @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 111 NC @ 10 V | ± 25 V | 4380 PF @ 15 V | - - - | 65,8W (TC) | |||||
 | Sihu2N80E-GE3 | 0,6689 | | 4396 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Sihu2 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 800 V | 2.8a (TC) | 10V | 2,75OHM @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19,6 NC @ 10 V. | ± 30 v | 315 PF @ 100 V | - - - | 62,5W (TC) | |||||
 | Sidr626ldp-t1-re3 | 3.0400 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sidr626 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIDR626LDP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 45,6a (TA), 2,4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,5 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | 5900 PF @ 30 V | - - - | 6,25W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SIHB24N65E-GE3 | 5.9300 | | 4624 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB24 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 30 v | 2740 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
 | Siz720dt-T1-GE3 | 0,6395 | | 1017 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerpair ™ | Siz720 | MOSFET (Metalloxid) | 27W, 48W | 6-Powerpair ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 20V | 16a | 8.7mohm @ 16.8a, 10V | 2v @ 250 ähm | 23nc @ 10v | 825PF @ 10V | Logikpegel -tor | |||||||
| SI7456DDP-T1-GE3 | 1.6700 | | 9553 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7456 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 27,8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 23mohm @ 10a, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 29,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 900 PF @ 50 V | - - - | 5W (TA), 35,7W (TC) | |||||
 | IRF840BPBF | 1.5500 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF840 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 8.7a (TC) | 10V | 850Mohm @ 4a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 30 v | 527 PF @ 100 V | - - - | 156W (TC) | |||||
 | SI4511DY-T1-E3 | - - - | | 3529 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4511 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 20V | 7.2a, 4,6a | 14,5 MOHM @ 9,6A, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 18nc @ 4,5 v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI1308EDL-T1-GE3 | 0,4600 | | 68 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SI1308 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 1.4a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 132mohm @ 1,4a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 4.1 nc @ 10 v | ± 12 V | 105 PF @ 15 V | - - - | 400 MW (TA), 500 MW (TC) | ||||
 | Irfibg20g | - - - | | 1680 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | - - - | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfibg20 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *Irfibg20g | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 1000 v | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||
 | SI2303CDS-T1-GE3 | 0,4500 | | 115 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2303 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 2.7a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 190MOHM @ 1,9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 8 NC @ 10 V | ± 20 V | 155 PF @ 15 V | - - - | 1W (TA), 2,3 W (TC) | ||||
 | SQD100N03-3M4_GE3 | 1.6100 | | 8822 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD100 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 v | 100a (TC) | 10V | 3,4mohm @ 20a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 124 NC @ 10 V | ± 20 V | 7349 PF @ 15 V | - - - | 136W (TC) | ||||||
| SI4876DY-GE3 | - - - | | 9709 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4876 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 20 v | 14a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 5mohm @ 21a, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 80 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1.6W (TA) | |||||
 | IRFP340PBF | 5.1700 | | 999 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP340 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 400 V | 11a (TC) | 10V | 550MOHM @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||||
 | SI7900AEDN-T1-E3 | 1.7000 | | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7900 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 20V | 6a | 26mohm @ 8,5a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 16nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
| SI4862DY-T1-GE3 | - - - | | 9308 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4862 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 16 v | 17a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 3,3 MOHM @ 25A, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 70 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.6W (TA) | ||||||
 | SIS429DNT-T1-GE3 | 0,1378 | | 1479 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS429 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 21mohm @ 10.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 1350 PF @ 15 V | - - - | 27,8W (TC) | ||||||
 | SQ3419EEV-T1-GE3 | - - - | | 1109 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3419 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 7.4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 50 MOHM @ 2,5A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | ± 12 V | 1065 PF @ 20 V | - - - | 5W (TC) | ||||
 | SI7112DN-T1-E3 | 1.7500 | | 3205 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7112 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 11.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 17,8a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 27 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 2610 PF @ 15 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | SI4534DY-T1-GE3 | 1.4100 | | 3233 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4534 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA), 3,6 W (TC) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SI4534DY-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 60 v | 6,2a (TA), 8a (TC), 3A (TA), 4,1a (TC) | 29MOHM @ 5A, 10V, 120 MOHM @ 3,1A, 10V | 3v @ 250 ähm | 11nc @ 10v, 22nc @ 10v | 420pf @ 30v, 650pf @ 30v | - - - | ||||||
 | SIAA00DJ-T1-GE3 | 0,6800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIAA00 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 20.1a (TA), 40A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.6mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | +16 V, -12v | 1090 PF @ 12.5 V. | - - - | 3,5 W (TA), 19,2W (TC) | |||||
| SIHG28N60EF-GE3 | 6.6200 | | 500 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG28 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 28a (TC) | 10V | 123mohm @ 14a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 30 v | 2714 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
 | IRFRC20TRRPBF | 0,8236 | | 6797 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFRC20 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 2a (TC) | 10V | 4,4ohm @ 1,2a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
 | SIHFL110TR-BE3 | 0,6300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | SIHFL110 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHFL110TR-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 1,5a (TC) | 540MOHM @ 900 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | ||||||
| IRFPE50PBF | 4.8500 | | 175 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPE50 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFPE50PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 800 V | 7.8a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 4,7A, 10V | 4v @ 250 ähm | 200 nc @ 10 v | ± 20 V | 3100 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | ||||
| SI1303EDL-T1-E3 | - - - | | 7121 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SI1303 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 670 Ma (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 430mohm @ 1a, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 2,5 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 290 MW (TA) | |||||
| SIR422DP-T1-GE3 | 1.1800 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir422 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,6 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 20 V | 1785 PF @ 20 V | - - - | 5W (TA), 34,7W (TC) | |||||
| IRFI840G | - - - | | 4585 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI840 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfi840g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 4.6a (TC) | 10V | 850MOHM @ 2,8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 67 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | |||
| IRL640Strl | - - - | | 7857 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRL640 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 17a (TC) | 4V, 5V | 180Mohm @ 10a, 5V | 2v @ 250 ähm | 66 NC @ 5 V. | ± 10 V | 1800 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
| IRF614SPBF | 1.7300 | | 193 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF614 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 250 V | 2.7a (TC) | 10V | 2OHM @ 1,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 36W (TC) |
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