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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min rds an) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQD40031EL_GE3 | 1.6500 |  | 3668 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD40031 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 30 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,2 MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 280 nc @ 10 v | ± 20 V | 15000 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | |||||
 | SI7409ADN-T1-GE3 | - - - | | 6828 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7409 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 7a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 19mohm @ 11a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 40 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | SIHK045N60E-T1-GE3 | 9.9700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerbsfn | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®10 x 12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHK045N60E-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 48a (TC) | 10V | 49mohm @ 17a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 98 NC @ 10 V. | ± 30 v | 4013 PF @ 100 V | - - - | 278W (TC) | |||||
 | SUD50N02-09P-E3 | - - - | | 9366 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 20 v | 20a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 16 NC @ 4,5 V | ± 20 V | 1300 PF @ 10 V | - - - | 6,5W (TA), 39,5W (TC) | ||||
 | SI2334DS-T1-GE3 | - - - | | 6788 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2334 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4,9a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 44mohm @ 4,2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 10 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 634 PF @ 15 V | - - - | 1,3W (TA), 1,7W (TC) | ||||
 | SQJ958EP-T1_GE3 | 1.1100 | | 3783 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ958 | MOSFET (Metalloxid) | 35W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 20A (TC) | 34,9 MOHM @ 4,5A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 23nc @ 10v | 1075PF @ 30V | - - - | |||||||
 | SIA439EDJ-T1-GE3 | - - - | | 8077 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA439 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 28a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 16,5 MOHM @ 5A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 69 NC @ 8 V | ± 8 v | 2410 PF @ 10 V | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | |||||
| IRFR110TRPBF-BE3 | 1.0000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR110 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | - - - | 1 (unbegrenzt) | 742-IRFR110TRPBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 4.3a (TC) | 10V | 540MOHM @ 2,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
| SUD45P04-16P-GE3 | - - - | | 2221 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud45 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 40 v | 36a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 16.2mohm @ 14a, 20V | 2,5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 2765 PF @ 20 V | - - - | 2,1W (TA), 41,7W (TC) | |||||
 | SI1032R-T1-GE3 | 0,5200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | SI1032 | MOSFET (Metalloxid) | SC-75A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 140 mA (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 5OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 0,75 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | - - - | 250 MW (TA) | |||||
 | IRF640L | - - - | | 7480 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF640 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 18a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 130 W (TC) | ||||
 | SI3981DV-T1-GE3 | - - - | | 5843 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3981 | MOSFET (Metalloxid) | 800 MW | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 1.6a | 185mohm @ 1,9a, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | 5nc @ 4,5 v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRF840BPBF-BE3 | 1.4000 | | 995 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF840 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRF840BPBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 8.7a (TC) | 850Mohm @ 4a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 30 v | 527 PF @ 100 V | - - - | 156W (TC) | ||||||
| TN0200K-T1-E3 | - - - | | 1530 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TN0200 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 730 Ma (TA) | 400 MOHM @ 600 Ma, 4,5 V. | 1 V @ 50 µA | 2 NC @ 4,5 V. | - - - | |||||||||
 | IRFPE30PBF | 5.5600 | | 500 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPE30 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3OHM @ 2,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||||
 | SI5435BDC-T1-GE3 | - - - | | 9346 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5435 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4.3a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 45mohm @ 4,3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,3W (TA) | |||||
 | IRFL9110TR | - - - | | 7383 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | IRFL9110 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 100 v | 1.1a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 660 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 200 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | ||||
 | IRF9510s | - - - | | 4604 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9510 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF9510S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 4a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2,4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 200 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | |||
 | SQJB04ELP-T1_GE3 | 0,9700 | | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJB04 | MOSFET (Metalloxid) | 27W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 30a (TC) | 11Mohm @ 5a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 1055PF @ 25v | - - - | ||||||||
| SI3446ADV-T1-GE3 | - - - | | 4627 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3446 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 6a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 37mohm @ 5,8a, 4,5 V. | 1,8 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 12 V | 640 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA), 3,2 W (TC) | ||||
 | IRFBA22N50APBF | - - - | | 2342 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Super-220 ™ | IRFBA22 | MOSFET (Metalloxid) | Super-220 ™ (to-273aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFBA22N50APBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 24a (TC) | 10V | 230mohm @ 13.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 115 NC @ 10 V | ± 30 v | 3400 PF @ 25 V. | - - - | 340W (TC) | |||
 | IRFR9014 | - - - | | 9841 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9014 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFR9014 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 60 v | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||
 | SI1405BDH-T1-E3 | - - - | | 1758 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1405 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 1,6a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 112mohm @ 2,8a, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 5,5 NC @ 4,5 V | ± 8 v | 305 PF @ 4 V. | - - - | 1,47W (TA), 2,27W (TC) | ||||
| IRFBC40s | - - - | | 9477 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC40 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFBC40S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 3,7A, 10 V | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 130 W (TC) | |||
 | SQJQ960EL-T1_GE3 | 2.4400 | | 5774 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 Dual | SQJQ960 | MOSFET (Metalloxid) | 71W | Powerpak® 8 x 8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 63a (TC) | 9mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 24nc @ 10v | 1950pf @ 25v | - - - | |||||||
 | SIHA21N60EF-E3 | 2.1183 | | 4412 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha21 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 176mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 84 NC @ 10 V | ± 30 v | 2030 PF @ 100 V | - - - | 35W (TC) | |||||
 | SI4920DY-T1-E3 | - - - | | 6681 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4920 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | - - - | 25mohm @ 6.9a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 23nc @ 5v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SQM100N02-3M5L_GE3 | 2.4700 | | 7284 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM100 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 20 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,5 MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 5500 PF @ 10 V. | - - - | 150W (TC) | |||||
| SI4160DY-T1-GE3 | 1.3500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4160 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 25,4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,9 Mohm @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 54 NC @ 10 V | ± 20 V | 2071 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5,7W (TC) | |||||
 | SI7636DP-T1-E3 | 1.8500 | | 6060 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7636 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 17a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 25a, 10V | 3v @ 250 ähm | 50 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 5600 PF @ 15 V | - - - | 1,9W (TA) |
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