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Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SISS64DN-T1-GE3 | 1.3800 |  | 2142 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS64 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,1 MOHM @ 10a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 68 NC @ 10 V. | +20V, -16v | 3420 PF @ 15 V | - - - | 57W (TC) | |||||
 | SIA929DJ-T1-GE3 | 0,6400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia929 | MOSFET (Metalloxid) | 7.8W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 4,5a (TC) | 64mohm @ 3a, 10V | 1,1 V @ 250 ähm | 21nc @ 10v | 575PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIDR390DP-T1-GE3 | 2.4900 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sidr390 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 69,9a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,8 MOHM @ 20A, 10 V. | 2v @ 250 ähm | 153 NC @ 10 V | +20V, -16v | 10180 PF @ 15 V | - - - | 6,25W (TA), 125W (TC) | |||||
 | SQM100N04-2M7_GE3 | 1.7342 | | 3935 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM100 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 100a (TC) | 10V | 2,7 MOHM @ 30a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 145 NC @ 10 V. | ± 20 V | 7910 PF @ 25 V. | - - - | 157W (TC) | |||||
 | IRFD9020 | - - - | | 2528 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD9020 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFD9020 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 60 v | 1,6a (ta) | 10V | 280 MOHM @ 960 mA, 10V | 4 V @ 1 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 25 V. | - - - | 1,3W (TA) | |||
 | SI3407DV-T1-GE3 | 0,5100 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3407 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 8a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 24MOHM @ 7,5A, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 12 V | 1670 PF @ 10 V. | - - - | 4.2W (TC) | |||||
 | TN2404K-T1-E3 | 0,9100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TN2404 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 240 V | 200 Ma (TA) | 2,5 V, 10 V. | 4OHM @ 300 mA, 10V | 2v @ 250 ähm | 8 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 360 MW (TA) | |||||
 | Si4116dy-t1-e3 | 1.2500 | | 3658 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4116 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 18a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 8.6mohm @ 10a, 10V | 1,4 V @ 250 ähm | 56 NC @ 10 V | ± 12 V | 1925 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5W (TC) | |||||
 | SIR680ADP-T1-RE3 | 2.3400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir680 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 30,7a (TA), 125A (TC) | 7,5 V, 10 V. | 2,88 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 83 NC @ 10 V | ± 20 V | 4415 PF @ 40 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||||
| SI4833BDY-T1-GE3 | - - - | | 1830 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4833 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 4.6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 68mohm @ 3,6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 350 PF @ 15 V | Schottky Diode (Isolier) | 2,75W (TC) | |||||
 | IRL620PBF | 1,8000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRL620 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRL620PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 5.2a (TC) | 4V, 5V | 800mohm @ 3.1a, 5V | 2v @ 250 ähm | 16 NC @ 5 V | ± 10 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||
 | IRF740aStrrpbf | 1.8357 | | 5204 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF740 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 36 NC @ 10 V | ± 30 v | 1030 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
 | SI7224DN-T1-E3 | - - - | | 5255 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7224 | MOSFET (Metalloxid) | 17.8W, 23W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 6a | 35mohm @ 6.5a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 14.5nc @ 10v | 570PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
 | IRFR9120TRLPBF | 1.6400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9120 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 390 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
| SIHP8N50D-E3 | 1.7300 | | 6384 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP8 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 8.7a (TC) | 10V | 850Mohm @ 4a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 30 v | 527 PF @ 100 V | - - - | 156W (TC) | |||||
 | SIHP21N60EF-BE3 | 2.9200 | | 4159 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP21 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 176mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 84 NC @ 10 V | ± 30 v | 2030 PF @ 100 V | - - - | 227W (TC) | ||||||
| SQ4064EY-T1_BE3 | 1.0500 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4064 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19,8 MOHM @ 6.1A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 43 NC @ 10 V | ± 20 V | 2096 PF @ 25 V. | - - - | 6.8W (TC) | ||||||
| SI4324DY-T1-E3 | - - - | | 5464 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4324 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 36a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,2 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 85 NC @ 10 V | ± 20 V | 3510 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 7,8W (TC) | ||||
| SIS888DN-T1-GE3 | 1.6400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | Sis888 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 20,2a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 58mohm @ 10a, 10V | 4,2 V @ 250 ähm | 14,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 420 PF @ 75 V | - - - | 52W (TC) | |||||
 | IRll1905TR | - - - | | 7411 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | IRll1905 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 55 v | 1,6a (ta) | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||
 | SUM85N15-19-E3 | 5.8400 | | 2708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum85 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 150 v | 85a (TC) | 10V | 19Mohm @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 4750 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 375W (TC) | |||||
 | SQD30N05-20L_T4GE3 | 0,4851 | | 9765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD30 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQD30N05-20L_T4GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 55 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 5 V. | ± 20 V | 1175 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||
 | SUD50N03-16P-E3 | - - - | | 3279 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 v | 15a (ta), 37a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 16mohm @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 13 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1150 PF @ 25 V. | - - - | 6,5 W (TA), 40,8W (TC) | ||||
| SQ3456BEV-T1_GE3 | 0,6900 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3456 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 7.8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 35mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 370 PF @ 15 V | - - - | 4W (TC) | |||||
 | SI7317DN-T1-GE3 | 1.1700 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7317 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 150 v | 2.8a (TC) | 6 V, 10V | 1,2OHM @ 500 mA, 10 V. | 4,5 V @ 250 ähm | 9.8 NC @ 10 V. | ± 30 v | 365 PF @ 75 V | - - - | 3,2 W (TA), 19,8W (TC) | |||||
 | IRFPE40 | - - - | | 9320 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPE40 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFPE40 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 800 V | 5.4a (TC) | 10V | 2OHM @ 3.2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 1900 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||
| SI7900AEDN-T1-GE3 | 0,4998 | | 2939 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7900 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 20V | 6a | 26mohm @ 8,5a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 16nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIR580DP-T1-RE3 | 1.8900 | | 6082 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen v | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIR580DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 35,8a (TA), 146a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 2,7 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 76 NC @ 10 V | ± 20 V | 4100 PF @ 40 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | IRF820LPBF | 0,8983 | | 4248 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Irf820 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF820LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 2,5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
| SQ3457ev-T1_GE3 | 0,6900 | | 735 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3457 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 6.8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 65mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 705 PF @ 15 V | - - - | 5W (TC) |
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