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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFR120 | - - - |  | 8110 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 100 v | 7.7a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 4,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
 | SISH472DN-T1-GE3 | 0,6500 | | 437 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | SISH472 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 15a (ta), 20a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8,9mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 997 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 28W (TC) | |||||
 | V30410-T1-GE3 | - - - | | 2846 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | V30410 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | SI9926BDY-T1-GE3 | - - - | | 6712 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9926 | MOSFET (Metalloxid) | 1.14W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 6.2a | 20mohm @ 8.2a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 20nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRF830S | - - - | | 6092 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF830S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 4,5a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,7a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 610 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
 | SQD50N05-11L_GE3 | 1.7000 | | 952 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 50 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11MOHM @ 45A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 20 V | 2106 PF @ 25 V. | - - - | 75W (TC) | |||||
 | IRF9640 | - - - | | 3506 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9640 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF9640 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 200 v | 11a (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||
 | SIR618DP-T1-GE3 | 1.1000 | | 4242 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir618 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 14.2a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 95mohm @ 8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 7,5 V. | ± 20 V | 740 PF @ 100 V | - - - | 48W (TC) | |||||
| SI4497DY-T1-GE3 | 1.8800 | | 3879 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4497 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 36a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,3 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 285 NC @ 10 V | ± 20 V | 9685 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 7,8W (TC) | |||||
 | SI1067X-T1-GE3 | - - - | | 5038 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1067 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 1.06a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 150 MOHM @ 1,06A, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 9.3 NC @ 5 V. | ± 8 v | 375 PF @ 10 V. | - - - | 236 MW (TA) | ||||
| SI4833ADY-T1-E3 | - - - | | 2797 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4833 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 4.6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 72mohm @ 3,6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 750 PF @ 15 V | Schottky Diode (Isolier) | 1,93W (TA), 2,75W (TC) | ||||
 | IRF9610StrRPBF | 0,5187 | | 5411 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9610 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 742-IRF9610Strrpbftr | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 200 v | 1,8a (TC) | 10V | 3OHM @ 900 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 20W (TC) | ||||||
| SQD10950E_GE3 | 1.4500 | | 9860 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD10950 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 250 V | 11,5a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 162mohm @ 12a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 785 PF @ 25 V. | - - - | 62W (TC) | |||||
 | SI6943BDQ-T1-E3 | - - - | | 7976 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6943 | MOSFET (Metalloxid) | 800 MW | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 2.3a | 80MOHM @ 2,5A, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 10nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SISS10DN-T1-GE3 | 1.0200 | | 5890 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS10 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,65 MOHM @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | +20V, -16v | 3750 PF @ 20 V | - - - | 57W (TC) | |||||
| SI6433BDQ-T1-GE3 | - - - | | 7852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6433 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 4a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 40mohm @ 4,8a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | ± 8 v | - - - | 1.05W (TA) | |||||
 | SIS4634LDN-T1-GE3 | 0,7200 | | 5669 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS4634 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 7.8a (TA), 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 29mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 5 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 420 PF @ 30 V | - - - | 3,2 W (TA), 19,8W (TC) | |||||||
| IRF9640STRLPBF | 2.4000 | | 60 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9640 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 200 v | 11a (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 125W (TC) | |||||
 | SIHG73N60AEL-GE3 | 12.0500 | | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | El | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG73 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 69a (TC) | 10V | 42mohm @ 36,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 342 NC @ 10 V | ± 30 v | 6709 PF @ 100 V | - - - | 520W (TC) | |||||
| SI4842BDY-T1-GE3 | 2.4500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4842 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 28a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.2mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 3650 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA), 6,25 W (TC) | |||||
| IRFP354 | - - - | | 6022 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP354 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRFP354 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 450 V | 14a (TC) | 10V | 350MOHM @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 2700 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | ||||
 | SI7850DP-T1-GE3 | 2.0000 | | 2541 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7850 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 6.2a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 22mohm @ 10.3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,8W (TA) | ||||||
| IRFR024TRL | - - - | | 6591 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR024 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 14a (TC) | 10V | 100MOHM @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 640 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
| IRFPC50LCPBF | 4.0688 | | 4345 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPC50 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFPC50LCPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 600MOHM @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 84 NC @ 10 V | ± 30 v | 2300 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | ||||
| SI7882DP-T1-GE3 | - - - | | 3629 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7882 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 13a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 5,5 MOHM @ 17A, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 30 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,9W (TA) | |||||
| IRF9Z10PBF | 1.6300 | | 958 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9Z10 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF9Z10PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 60 v | 6.7a (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) | ||||
| IRFP354PBF | - - - | | 8209 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP354 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP354PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 450 V | 14a (TC) | 10V | 350MOHM @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 2700 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | |||
| IRFP22N60K | - - - | | 1857 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP22 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 22a (TC) | 10V | 280mohm @ 13a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 30 v | 3570 PF @ 25 V. | - - - | 370W (TC) | ||||
 | Irfz24l | - - - | | 7664 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Irfz24 | MOSFET (Metalloxid) | To-262-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *Irfz24l | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 17a (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 640 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | ||||
 | SQD15N06-42L_T4GE3 | 0,9400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQD15N06-42L_T4GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 15a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 42mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 535 PF @ 25 V. | - - - | 37W (TC) |
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Standardprodukteinheit
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