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Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SUP70101EL-GE3 | 2.9700 |  | 9952 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SUP70101 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,5 V @ 250 ähm | 190 nc @ 10 v | ± 20 V | 7000 PF @ 50 V | - - - | 375W (TC) | ||||||
 | SI5402DC-T1-E3 | - - - | | 8823 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5402 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4,9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 35mohm @ 4,9a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,3W (TA) | |||||
 | SIHB068N60EF-GE3 | 5.5500 | | 700 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB068 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHB068N60EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 41a (TC) | 10V | 68mohm @ 16a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | ± 30 v | 2628 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
 | SI7804DN-T1-E3 | 0,5292 | | 5330 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7804 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6,5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 18,5 MOHM @ 10a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 13 NC @ 5 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
| SI7613DN-T1-GE3 | 1.0700 | | 52 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7613 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.7mohm @ 17a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 87 NC @ 10 V | ± 16 v | 2620 PF @ 10 V | - - - | 3,8 W (TA), 52,1W (TC) | |||||
 | SIDR626DP-T1-RE3 | 2.9100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 42,8a (TA), 100A (TC) | 6 V, 10V | 1,7 MOHM @ 20A, 10V | 3,4 V @ 250 ähm | 102 NC @ 10 V | ± 20 V | 5130 PF @ 30 V | - - - | 6,25W (TA), 125W (TC) | |||||||
 | SI4920DY-T1-E3 | - - - | | 6681 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4920 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | - - - | 25mohm @ 6.9a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 23nc @ 5v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | IRFR9014 | - - - | | 9841 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9014 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFR9014 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 60 v | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||
 | SIHA14N60E-E3 | 2.3700 | | 2678 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha14 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 13a (TC) | 10V | 309mohm @ 7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 64 NC @ 10 V | ± 30 v | 1205 PF @ 100 V | - - - | 147W (TC) | |||||
| IRFR9120TRL | - - - | | 7811 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9120 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 390 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
 | SQM100N02-3M5L_GE3 | 2.4700 | | 7284 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM100 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 20 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,5 MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 5500 PF @ 10 V. | - - - | 150W (TC) | |||||
 | IRF9540L | - - - | | 5581 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF9540 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRF9540L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 19A (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 61 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | - - - | ||||
 | SI5480DU-T1-E3 | - - - | | 5994 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Single | SI5480 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® Chipfet ™ Single | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 16mohm @ 7.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1230 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 31W (TC) | ||||
 | SI1488DH-T1-E3 | - - - | | 2035 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1488 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 6.1a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 49mohm @ 4,6a, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 10 nc @ 5 v | ± 8 v | 530 PF @ 10 V. | - - - | 1,5 W (TA), 2,8 W (TC) | ||||
 | SIHG039N60E-GE3 | 11.1400 | | 392 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG039 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 63a (TC) | 10V | 39mohm @ 32a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 126 NC @ 10 V | ± 30 v | 4369 PF @ 100 V | - - - | 357W (TC) | |||||
| IRFPE30PBF | 5.5600 | | 500 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPE30 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3OHM @ 2,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||||
 | SI3981DV-T1-GE3 | - - - | | 5843 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3981 | MOSFET (Metalloxid) | 800 MW | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 1.6a | 185mohm @ 1,9a, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | 5nc @ 4,5 v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI1046R-T1-GE3 | - - - | | 2205 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | SI1046 | MOSFET (Metalloxid) | SC-75A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 606 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 420mohm @ 606 mA, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 1,49 NC @ 5 V. | ± 8 v | 66 PF @ 10 V. | - - - | 250 MW (TA) | ||||
| SI4160DY-T1-GE3 | 1.3500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4160 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 25,4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,9 Mohm @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 54 NC @ 10 V | ± 20 V | 2071 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5,7W (TC) | |||||
| SIS892DN-T1-GE3 | 1.5900 | | 8714 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sis892 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 29mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 21,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 611 PF @ 50 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SIDR140DP-T1-GE3 | 2.4700 | | 5855 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sidr140 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 79A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,67 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,1 V @ 250 ähm | 170 nc @ 10 v | +20V, -16v | 8150 PF @ 10 V. | - - - | 6,25W (TA), 125W (TC) | |||||
 | IRFBA22N50APBF | - - - | | 2342 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Super-220 ™ | IRFBA22 | MOSFET (Metalloxid) | Super-220 ™ (to-273aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFBA22N50APBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 24a (TC) | 10V | 230mohm @ 13.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 115 NC @ 10 V | ± 30 v | 3400 PF @ 25 V. | - - - | 340W (TC) | |||
| SQ3419ev-T1_GE3 | 0,6900 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3419 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 6.9a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 58mohm @ 2,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 11.3 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 990 PF @ 20 V | - - - | 5W (TC) | |||||
| IRFR010TR | - - - | | 3899 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR010 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 50 v | 8.2a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 25W (TC) | ||||
| SQJ446EP-T1_GE3 | 0,6209 | | 7490 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ446 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5mohm @ 14a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | ± 20 V | 4220 PF @ 20 V | - - - | 46W (TC) | ||||||
 | SIR638DP-T1-GE3 | 1.6600 | | 3258 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir638 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,88 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,3 V @ 250 ähm | 204 NC @ 10 V. | +20V, -16v | 10500 PF @ 20 V | - - - | 104W (TC) | |||||
 | SISH116DN-T1-GE3 | 1.7000 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | Sish116 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 10.5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7,8 MOHM @ 16,4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 23 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | IRL620Strr | - - - | | 5318 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRL620 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 5.2a (TC) | 4 V, 10V | 800MOHM @ 3.1a, 10V | 2v @ 250 ähm | 16 NC @ 5 V | ± 10 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||
| SI4816BDY-T1-E3 | 1.6400 | | 4884 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4816 | MOSFET (Metalloxid) | 1W, 1,25W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 5.8a, 8.2a | 18,5 MOHM @ 6.8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10nc @ 5v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
| SI4931DY-T1-E3 | 1.2300 | | 8988 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4931 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 6.7a | 18mohm @ 8,9a, 4,5 V. | 1 V @ 350 µA | 52nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor |
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