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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHG24N65E-E3 | 3.8346 |  | 8861 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG24 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHG24N65EE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 30 v | 2740 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||
 | Sira20DP-T1-RE3 | 1.5800 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira20 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 81,7a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,58 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,1 V @ 250 ähm | 200 nc @ 10 v | +16 V, -12v | 10850 PF @ 10 V. | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
| IRFP048PBF | 4.7600 | | 7338 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP048 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP048PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 60 v | 70a (TC) | 10V | 18mohm @ 44a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 2400 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | ||||
 | Irf820al | - - - | | 5546 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Irf820 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irf820al | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 2,5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 30 v | 340 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||
 | SQ4184EY-T1_GE3 | 1.6500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4184 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 29a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.6mohm @ 14a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 5400 PF @ 20 V | - - - | 7.1W (TC) | |||||
 | SI6423DQ-T1-E3 | 1.7700 | | 9569 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6423 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 8.2a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 8,5 MOHM @ 9,5A, 4,5 V. | 800 MV @ 400 ähm | 110 nc @ 5 v | ± 8 v | - - - | 1.05W (TA) | |||||
 | SIHF12N60E-E3 | 2.8200 | | 8175 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF12 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHF12N60EE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 380Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 58 NC @ 10 V | ± 30 v | 937 PF @ 100 V | - - - | 33W (TC) | ||||
 | SIHP30N60E-E3 | - - - | | 9155 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP30 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHP30N60EE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 125mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 30 v | 2600 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||
 | SIHB17N80AE-GE3 | 4.1600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB17 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHB17N80AE-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 15a (TC) | 10V | 290MOHM @ 8.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 30 v | 1260 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | ||||
 | SQM120P04-04L_GE3 | 3.6400 | | 8972 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM120 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 40 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 330 NC @ 10 V | ± 20 V | 13980 PF @ 20 V | - - - | 375W (TC) | |||||
 | SQD50N04_4M5LT4GE3 | 0,6985 | | 2916 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQD50N04_4M5LT4GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,5 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 5860 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | ||||
| SI4565ADY-T1-E3 | - - - | | 1983 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4565 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 6,6a, 5,6a | 39mohm @ 5a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 22nc @ 10v | 625PF @ 20V | - - - | ||||||
 | SQS462en-T1_BE3 | 1.0300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-sqs462en-t1_be3tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 63mohm @ 4.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 470 PF @ 25 V. | - - - | 33W (TC) | ||||||
| IRFBE20PBF-BE3 | 1.5700 | | 985 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irfbe20 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRFBE20PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 1,8a (TC) | 6,5OHM @ 1,1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 530 PF @ 25 V. | - - - | 54W (TC) | ||||||
| V961-0007-E3 | - - - | | 7506 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Rohr | Veraltet | V961 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 742-V961-0007-E3 | Veraltet | 25 | - - - | |||||||||||||||||||||
 | Siz910dt-T1-GE3 | - - - | | 2736 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Siz910 | MOSFET (Metalloxid) | 48W, 100W | 8-Powerpair® (6x5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 40a | 5.8mohm @ 20a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 40nc @ 10v | 1500pf @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIR412DP-T1-GE3 | - - - | | 2765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir412 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 600 PF @ 10 V. | - - - | 3,9W (TA), 15,6 W (TC) | |||||
 | SI2374DS-T1-BE3 | 0,4800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 4,5a (TA), 5,9a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 30mohm @ 4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 8 v | 735 PF @ 10 V. | - - - | 960 MW (TA), 1,7W (TC) | |||||||
 | SI8406DB-T2-E1 | 0,6400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-uFbga | SI8406 | MOSFET (Metalloxid) | 6-Mikro-Fuß ™ (1,5x1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 16a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 33mohm @ 1a, 4,5 V. | 850 MV @ 250 ähm | 20 nc @ 8 v | ± 8 v | 830 PF @ 10 V | - - - | 2,77W (TA), 13W (TC) | ||||
 | SQJ868EP-T1_BE3 | 0,9800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ868EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 58a (TC) | 10V | 7.35MOHM @ 14A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 55 NC @ 10 V | ± 20 V | 2450 PF @ 20 V | - - - | 48W (TC) | ||||||
| SIHG120N60E-GE3 | 3.4093 | | 6192 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG120 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 25a (TC) | 10V | 120Mohm @ 12a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 30 v | 1562 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | |||||
| IRF9540STRLPBF | 2.9500 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9540 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 100 v | 19A (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 61 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||||
| IRF730STRLPBF | 2.3800 | | 2880 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf730 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 400 V | 5.5a (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 700 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||||
| IRF730L | - - - | | 9249 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Irf730 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF730L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 5.5a (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 600 PF @ 25 V. | - - - | - - - | |||
 | IRF620StrRPBF | 2.0400 | | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf620 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 5.2a (TC) | 10V | 800MOHM @ 3.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 50 W (TC) | |||||
 | SIHR080N60E-T1-GE3 | 6.1300 | | 3222 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powermd, Möwenflügel | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 51a (TC) | 10V | 84mohm @ 17a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 30 v | 2557 PF @ 100 V | - - - | 500W (TC) | ||||||
| SI4840BDY-T1-GE3 | 1.6600 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4840 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 19A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 12.4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 2000 PF @ 20 V | - - - | 2,5 W (TA), 6W (TC) | ||||
| IRL520LPBF | 0,6856 | | 6297 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRL520 | MOSFET (Metalloxid) | To-262-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRL520LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 9.2a (TC) | 4V, 5V | 270 MOHM @ 5,5a, 5V | 2v @ 250 ähm | 12 NC @ 5 V | ± 10 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) | ||||
 | IRFZ30 | - - - | | 3175 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFZ30 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfz30 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 50 v | 30a (TC) | 10V | 50mohm @ 16a, 10V | 4v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | |||
| SIR464DP-T1-GE3 | 1.4200 | | 475 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir464 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,1 MOHM @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 3545 PF @ 15 V | - - - | 5.2W (TA), 69W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
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Weltweite Hersteller
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