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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Leistung – max | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Konfiguration | FET-Typ | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIA907EDJT-T1-GE3 | 0,5500 | ![]() | 785 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SC-70-6 Dual | SIA907 | MOSFET (Metalloxid) | 7,8 W | PowerPAK® SC-70-6 Dual | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 P-Kanal (Dual) | 20V | 4,5 A (Tc) | 57 mOhm bei 3,6 A, 4,5 V | 1,4 V bei 250 µA | 23 nC bei 10 V | - | Logikpegel-Gate | |||||||
![]() | IRF520S | - | ![]() | 6941 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | IRF520 | MOSFET (Metalloxid) | D²PAK (TO-263) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | *IRF520S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 V | 9,2A (Tc) | 10V | 270 mOhm bei 5,5 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 16 nC bei 10 V | ±20V | 360 pF bei 25 V | - | 3,7 W (Ta), 60 W (Tc) | |||
![]() | SI1403CDL-T1-GE3 | - | ![]() | 4141 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1403 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 V | 2,1A (Tc) | 2,5 V, 4,5 V | 140 mOhm bei 1,6 A, 4,5 V | 1,5 V bei 250 µA | 8 nC bei 4,5 V | ±12V | 281 pF bei 10 V | - | 600 mW (Ta), 900 mW (Tc) | ||||
![]() | SISS64DN-T1-GE3 | 1.3800 | ![]() | 2142 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® 1212-8S | SISS64 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® 1212-8S | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 V | 40A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 2,1 mOhm bei 10 A, 10 V | 2,2 V bei 250 µA | 68 nC bei 10 V | +20V, -16V | 3420 pF bei 15 V | - | 57W (Tc) | |||||
![]() | IRLU024PBF | 1.7000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA | IRLU024 | MOSFET (Metalloxid) | TO-251AA | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | *IRLU024PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 60 V | 14A (Tc) | 4V, 5V | 100 mOhm bei 8,4 A, 5 V | 2V bei 250µA | 18 nC bei 5 V | ±10V | 870 pF bei 25 V | - | 2,5 W (Ta), 42 W (Tc) | ||||
![]() | SI2342DS-T1-BE3 | 0,5100 | ![]() | 3935 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (TO-236) | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 742-SI2342DS-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 8 V | 6A (Ta), 6A (Tc) | 1,2 V, 4,5 V | 17 mOhm bei 7,2 A, 4,5 V | 800 mV bei 250 µA | 15,8 nC bei 4,5 V | ±5V | 1070 pF bei 4 V | - | 1,3 W (Ta), 2,5 W (Tc) | ||||||
![]() | SIHG73N60E-GE3 | 12.6600 | ![]() | 7443 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | SIHG73 | MOSFET (Metalloxid) | TO-247AC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 73A (Tc) | 10V | 39 mOhm bei 36 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 362 nC bei 10 V | ±30V | 7700 pF bei 100 V | - | 520 W (Tc) | |||||
![]() | SIRA22DP-T1-RE3 | 0,5977 | ![]() | 9201 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 | SIRA22 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SO-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 V | 60A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 0,76 mOhm bei 15 A, 10 V | 2,2 V bei 250 µA | 155 nC bei 10 V | +16V, -12V | 7570 pF bei 10 V | - | 83,3 W (Tc) | |||||
![]() | SIRC06DP-T1-GE3 | 0,3733 | ![]() | 8732 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 | SIRC06 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SO-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 V | 32A (Ta), 60A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 2,7 mOhm bei 15 A, 10 V | 2,1 V bei 250 µA | 58 nC bei 10 V | +20V, -16V | 2455 pF bei 15 V | Schottky-Diode (Körper) | 5 W (Ta), 50 W (Tc) | |||||
![]() | SIS472BDN-T1-GE3 | 0,6400 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® 1212-8 | SIS472 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® 1212-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 V | 15,3 A (Ta), 38,3 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 7,5 mOhm bei 10 A, 10 V | 2,4 V bei 250 µA | 21,5 nC bei 10 V | +20V, -16V | 1000 pF bei 15 V | - | 3,2 W (Ta), 19,8 W (Tc) | |||||
![]() | SQJ443EP-T2_GE3 | 1.1200 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SO-8 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 V | 40A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 29 mOhm bei 18 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 57 nC bei 10 V | ±20V | 2030 pF bei 20 V | - | 83W (Tc) | |||||||
![]() | SIDR220DP-T1-GE3 | 2.8000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 | SIDR220 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SO-8DC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 V | 87,7 A (Ta), 100 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 5,8 mOhm bei 20 A, 10 V | 2,1 V bei 250 µA | 200 nC bei 10 V | +16V, -12V | 1085 pF bei 10 V | - | 6,25 W (Ta), 125 W (Tc) | |||||
![]() | SI4947ADY-T1-GE3 | - | ![]() | 6959 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SI4947 | MOSFET (Metalloxid) | 1,2 W | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 P-Kanal (Dual) | 30V | 3A | 80 mOhm bei 3,9 A, 10 V | 1 V bei 250 µA (min.) | 8 nC bei 5 V | - | Logikpegel-Gate | ||||||
![]() | SIHU3N50DA-GE3 | 0,3532 | ![]() | 1524 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-251-3 lange Leitungen, IPak, TO-251AB | SIHU3 | MOSFET (Metalloxid) | IPAK (TO-251) | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 500 V | 3A (Tc) | 10V | 3,2 Ohm bei 1,5 A, 10 V | 4,5 V bei 250 µA | 12 nC bei 10 V | ±30V | 177 pF bei 100 V | - | 69W (Tc) | ||||||
![]() | SI8806DB-T2-E1 | 0,4600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 4-XFBGA | SI8806 | MOSFET (Metalloxid) | 4-Mikrofuß | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 V | 2,8A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 43 mOhm bei 1 A, 4,5 V | 1 V bei 250 µA | 17 nC bei 8 V | ±8V | - | 500 mW (Ta) | |||||
![]() | SI3443DDV-T1-GE3 | 0,4300 | ![]() | 6970 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6 | SI3443 | MOSFET (Metalloxid) | 6-TSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 V | 4A (Ta), 5,3A (Tc) | 2,5 V, 4,5 V | 47 mOhm bei 4,5 A, 4,5 V | 1,5 V bei 250 µA | 30 nC bei 8 V | ±12V | 970 pF bei 10 V | - | 1,7 W (Ta), 2,7 W (Tc) | |||||
![]() | SIA441DJ-T1-GE3 | 0,6900 | ![]() | 103 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SC-70-6 | SIA441 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SC-70-6 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 V | 12A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 47 mOhm bei 4,4 A, 10 V | 2,2 V bei 250 µA | 35 nC bei 10 V | ±20V | 890 pF bei 20 V | - | 19W (Tc) | |||||
![]() | SIA437DJ-T1-GE3 | 0,6900 | ![]() | 2425 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -50°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SC-70-6 | SIA437 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SC-70-6 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 V | 29,7A (Tc) | 1,5 V, 4,5 V | 14,5 mOhm bei 8 A, 4,5 V | 900 mV bei 250 µA | 90 nC bei 8 V | ±8V | 2340 pF bei 10 V | - | 3,5 W (Ta), 19 W (Tc) | |||||
![]() | SI4436DY-T1-E3 | 0,9400 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SI4436 | MOSFET (Metalloxid) | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 V | 8A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 36 mOhm bei 4,6 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 32 nC bei 10 V | ±20V | 1100 pF bei 30 V | - | 2,5 W (Ta), 5 W (Tc) | |||||
![]() | SIHG25N40D-E3 | 3.7000 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | SIHG25 | MOSFET (Metalloxid) | TO-247AC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | SIHG25N40DE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 400 V | 25A (Tc) | 10V | 170 mOhm bei 13 A, 10 V | 5 V bei 250 µA | 88 nC bei 10 V | ±30V | 1707 pF bei 100 V | - | 278 W (Tc) | ||||
![]() | IRFP9140 | - | ![]() | 6074 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | IRFP9140 | MOSFET (Metalloxid) | TO-247AC | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | *IRFP9140 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | P-Kanal | 100 V | 21A (Tc) | 10V | 200 mOhm bei 13 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 61 nC bei 10 V | ±20V | 1400 pF bei 25 V | - | 180 W (Tc) | |||
![]() | SI3407DV-T1-E3 | - | ![]() | 7620 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6 | SI3407 | MOSFET (Metalloxid) | 6-TSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 V | 8A (Tc) | 2,5 V, 4,5 V | 24 mOhm bei 7,5 A, 4,5 V | 1,5 V bei 250 µA | 63 nC bei 10 V | ±12V | 1670 pF bei 10 V | - | 2 W (Ta), 4,2 W (Tc) | ||||
| SUP90N03-03-E3 | - | ![]() | 8019 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | SUP90 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 30 V | 90A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 2,9 mOhm bei 28,8 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 257 nC bei 10 V | ±20V | 12065 pF bei 15 V | - | 3,75 W (Ta), 250 W (Tc) | |||||
![]() | SI2328DS-T1-E3 | 0,8600 | ![]() | 7093 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2328 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (TO-236) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 V | 1,15 A (Ta) | 10V | 250 mOhm bei 1,5 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 5 nC bei 10 V | ±20V | - | 730 mW (Ta) | |||||
![]() | SQJ488EP-T1_GE3 | 1.5800 | ![]() | 4062 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 | SQJ488 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SO-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 V | 42A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 21 mOhm bei 7,4 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 27 nC bei 10 V | ±20V | 979 pF bei 25 V | - | 83W (Tc) | |||||
![]() | IRFU014PBF | 1.3900 | ![]() | 34 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA | IRFU014 | MOSFET (Metalloxid) | TO-251AA | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | *IRFU014PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 60 V | 7,7A (Tc) | 10V | 200 mOhm bei 4,6 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 11 nC bei 10 V | ±20V | 300 pF bei 25 V | - | 2,5 W (Ta), 25 W (Tc) | ||||
![]() | SI7119DN-T1-GE3 | 1.0000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -50°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® 1212-8 | SI7119 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® 1212-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 200 V | 3,8A (Tc) | 6V, 10V | 1,05 Ohm bei 1 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 25 nC bei 10 V | ±20V | 666 pF bei 50 V | - | 3,7 W (Ta), 52 W (Tc) | |||||
![]() | IRF644L | - | ![]() | 4905 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA | IRF644 | MOSFET (Metalloxid) | I2PAK | - | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | *IRF644L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 14A (Tc) | 10V | 280 mOhm bei 8,4 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 68 nC bei 10 V | ±20V | 1300 pF bei 25 V | - | - | |||
![]() | IRF9620L | - | ![]() | 6745 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA | IRF9620 | MOSFET (Metalloxid) | I2PAK | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | *IRF9620L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 200 V | 3,5 A (Tc) | 10V | 1,5 Ohm bei 1,5 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 22 nC bei 10 V | ±20V | 350 pF bei 25 V | - | - | ||||
| SUP85N04-03-E3 | - | ![]() | 2150 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | SUP85 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 40 V | 85A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 3,5 mOhm bei 30 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 250 nC bei 10 V | ±20V | 6860 pF bei 25 V | - | 3,75 W (Ta), 250 W (Tc) |

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