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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Ausfluss - rds (on) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF9610strr | - - - |  | 7926 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9610 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 200 v | 1,8a (TC) | 10V | 3OHM @ 900 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 20W (TC) | |||||||||
| IRF510S | - - - | | 2862 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF510 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF510S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 10V | 540MOHM @ 3.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 180 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | |||||||
 | Siz916dt-T1-GE3 | - - - | | 6283 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Siz916 | MOSFET (Metalloxid) | 22.7W, 100W | 8-Powerpair® (6x5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 16a, 40a | 6.4mohm @ 19a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 26nc @ 10v | 1208PF @ 15V | - - - | |||||||||||
 | SI7812DN-T1-E3 | 2.0800 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7812 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 75 V | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 37mohm @ 7.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 840 PF @ 35 V | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | |||||||||
 | IRFP9140 | - - - | | 6074 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP9140 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP9140 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | P-Kanal | 100 v | 21a (TC) | 10V | 200mohm @ 13a, 10V | 4v @ 250 ähm | 61 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 180W (TC) | |||||||
 | SIR640DP-T1-GE3 | - - - | | 4553 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir640 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,7 MOHM @ 20A, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 113 NC @ 10 V | ± 20 V | 4930 PF @ 20 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||||||
 | SI1300BDL-T1-E3 | - - - | | 9245 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SI1300 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 400 mA (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 850MOHM @ 250 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,84 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 35 PF @ 10 V. | - - - | 190 MW (TA), 200 MW (TC) | ||||||||
 | SI1013X-T1-E3 | - - - | | 8836 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | SI1013 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 350 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 1,2OHM @ 350 mA, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 1,5 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | - - - | 250 MW (TA) | |||||||||
 | SIA938DJT-T1-GE3 | 0,6700 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia938 | MOSFET (Metalloxid) | 1,9W (TA), 7,8W (TC) | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIA938DJT-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 4,5a (TA), 4,5a (TC) | 21,5 MOHM @ 5A, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 11.5nc @ 10v | 425PF @ 10V | - - - | |||||||||||
 | SQJA46EP-T1_GE3 | 1.1500 | | 9232 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja46 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 10V | 3mohm @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 105 NC @ 10 V | ± 20 V | 5000 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | |||||||||
 | SI1022R-T1-GE3 | 0,6300 | | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | SI1022 | MOSFET (Metalloxid) | SC-75A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 330 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 1,25OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 0,6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 30 PF @ 25 V. | - - - | 250 MW (TA) | ||||||||
 | SQ3989ev-T1_BE3 | 0,6000 | | 8623 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3989 | MOSFET (Metalloxid) | 1,67W (TC) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-sq3989ev-t1_be3tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 2,5a (TC) | 155mohm @ 400 mA, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 11.1nc @ 10v | - - - | - - - | |||||||||||
 | SUD50N02-04P-E3 | - - - | | 1213 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 20 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,3 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 60 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 5000 PF @ 10 V | - - - | 8.3W (TA), 136W (TC) | ||||||||
 | SIDR390DP-T1-GE3 | 2.4900 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sidr390 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 69,9a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,8 MOHM @ 20A, 10 V. | 2v @ 250 ähm | 153 NC @ 10 V | +20V, -16v | 10180 PF @ 15 V | - - - | 6,25W (TA), 125W (TC) | |||||||||
 | 2N4393-e3 | - - - | | 1646 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4393 | 1,8 w | To-206aa (to-18) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | N-Kanal | 14pf @ 20V | 40 v | 5 ma @ 20 v | 500 mV @ 1 na | 100 Ohm | |||||||||||||
 | SI4153DY-T1-GE3 | 0,7100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SI4153DY-GE3DKR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 14.3a (ta), 19.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 93 NC @ 10 V | ± 25 V | 3600 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 5,6W (TC) | |||||||||
 | SIDR104AEP-T1-RE3 | 3.0500 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 21,1a (TA), 90,5a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 6.1MOHM @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 3250 PF @ 50 V | - - - | 6,5 W (TA), 120 W (TC) | |||||||||||
 | TN2404K-T1-E3 | 0,9100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TN2404 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 240 V | 200 Ma (TA) | 2,5 V, 10 V. | 4OHM @ 300 mA, 10V | 2v @ 250 ähm | 8 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 360 MW (TA) | |||||||||
 | SIA929DJ-T1-GE3 | 0,6400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia929 | MOSFET (Metalloxid) | 7.8W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 4,5a (TC) | 64mohm @ 3a, 10V | 1,1 V @ 250 ähm | 21nc @ 10v | 575PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||||||
 | IRFD9020 | - - - | | 2528 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD9020 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFD9020 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 60 v | 1,6a (ta) | 10V | 280 MOHM @ 960 mA, 10V | 4 V @ 1 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 25 V. | - - - | 1,3W (TA) | |||||||
 | SI4936BDY-T1-GE3 | 1.3200 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4936 | MOSFET (Metalloxid) | 2.8W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 6.9a | 35mohm @ 5.9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15nc @ 10v | 530pf @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||||||
 | SI3407DV-T1-GE3 | 0,5100 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3407 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 8a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 24MOHM @ 7,5A, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 12 V | 1670 PF @ 10 V. | - - - | 4.2W (TC) | |||||||||
 | SIHP14N60E-Be3 | 2.3600 | | 978 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 13a (TC) | 10V | 309mohm @ 7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 64 NC @ 10 V | ± 30 v | 1205 PF @ 100 V | - - - | 147W (TC) | |||||||||||
 | IRFR9020 | - - - | | 6135 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9020 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFR9020 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 50 v | 9,9a (TC) | 10V | 280MOHM @ 5.7A, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 42W (TC) | |||||||
 | IRF9540PBF | 2.1500 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9540 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF9540PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 19A (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 61 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||||||
| SI1303DL-T1-GE3 | - - - | | 1080 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SI1303 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 670 Ma (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 430mohm @ 1a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 2,2 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 290 MW (TA) | |||||||||
 | SI7228DN-T1-GE3 | - - - | | 7066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7228 | MOSFET (Metalloxid) | 23W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 26a | 20mohm @ 8.8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 13nc @ 10v | 480pf @ 15V | - - - | |||||||||||
| IRFP460LC | - - - | | 3133 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP460 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRFP460LC | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 270 MOHM @ 12A, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 30 v | 3600 PF @ 25 V. | - - - | 280W (TC) | ||||||||
| SI4346DY-T1-E3 | - - - | | 7317 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4346 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 5.9a (TA) | 2,5 V, 10 V. | 23mohm @ 8a, 10V | 2v @ 250 ähm | 10 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1.31W (TA) | ||||||||||
| SI2318CDS-T1-GE3 | 0,4600 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2318 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 5.6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 42mohm @ 4.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 340 PF @ 20 V | - - - | 1,25W (TA), 2,1W (TC) |
2000+
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