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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SUD25N15-52-BE3 | 2.5100 |  | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud25 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | - - - | 1 (unbegrenzt) | 742-Sud25N15-52-BE3CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 150 v | 25a (TC) | 6 V, 10V | 52mohm @ 5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1725 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 136W (TC) | ||||||||
 | SST201-T1-E3 | - - - | | 5427 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SST201 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 4.5PF @ 15V | 40 v | 200 µa @ 15 V | 300 mv @ 10 na | |||||||||||||
 | SIHG25N60EFL-GE3 | 5.1900 | | 2092 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG25 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 25a (TC) | 10V | 146mohm @ 12.5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 30 v | 2274 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||||||
 | Sira90DP-T1-GE3 | 1.5500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira90 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,8 MOHM @ 20A, 10 V. | 2v @ 250 ähm | 153 NC @ 10 V | +20V, -16v | 10180 PF @ 15 V | - - - | 104W (TC) | ||||||||
 | SQJ951EP-T1_GE3 | 1.6100 | | 1355 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ951 | MOSFET (Metalloxid) | 56W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 30a | 17mohm @ 7.5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 50nc @ 10v | 1680pf @ 10v | - - - | ||||||||||
 | SI7738DP-T1-GE3 | 3.0500 | | 4722 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7738 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 30a (TC) | 10V | 38mohm @ 7.7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 53 NC @ 10 V | ± 20 V | 2100 PF @ 75 V | - - - | 5.4W (TA), 96W (TC) | ||||||||
 | 2N6660-2 | - - - | | 3199 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N6660 | MOSFET (Metalloxid) | To-205ad (to-39) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-Kanal | 60 v | 990 Ma (TC) | 5v, 10V | 3OHM @ 1a, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 725 MW (TA), 6,25W (TC) | ||||||||
 | SI4941EDY-T1-E3 | - - - | | 3427 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4941 | MOSFET (Metalloxid) | 3.6W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 10a | 21mohm @ 8.3a, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 70NC @ 10V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||||
 | SUD50N03-06AP-T4E3 | - - - | | 1942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 90a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.7mohm @ 20a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 3800 PF @ 15 V | - - - | 10W (TA), 83W (TC) | |||||||
| SI7157DP-T1-GE3 | 1.5500 | | 1702 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7157 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 60a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 1,6 MOHM @ 25a, 10V | 1,4 V @ 250 ähm | 625 NC @ 10 V | ± 12 V | 22000 PF @ 10 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||||||
 | IRLI540G | - - - | | 8299 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRLI540 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRLI540G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 17a (TC) | 4V, 5V | 77mohm @ 10a, 5V | 2v @ 250 ähm | 64 NC @ 5 V | ± 10 V | 2200 PF @ 25 V. | - - - | 48W (TC) | |||||||
| SI4831DY-T1-E3 | - - - | | 7337 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4831 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 45mohm @ 5a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 20 NC @ 5 V | ± 20 V | Schottky Diode (Isolier) | 2W (TA) | ||||||||
 | SQ3410ev-t1_be3 | 0,7600 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-sq3410ev-t1_be3tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 17,5 MOHM @ 5A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 1005 PF @ 15 V | - - - | 5W (TC) | |||||||||
 | SIS407ADN-T1-GE3 | 0,8900 | | 2768 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS407 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 18a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 9mohm @ 15a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 168 NC @ 8 V | ± 8 v | 5875 PF @ 10 V | - - - | 3,7W (TA), 39,1W (TC) | ||||||||
| SIHG21N80AE-GE3 | 4.7800 | | 500 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG21 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2266-SIHG21N80AE-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 800 V | 17,4a (TC) | 10V | 235mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 30 v | 1388 PF @ 100 V | - - - | 32W (TC) | |||||||
| SI4848DY-T1-GE3 | 1.6400 | | 880 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4848 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 150 v | 2.7a (TA) | 6 V, 10V | 85mohm @ 3,5a, 10V | 2V @ 250 ähm (min) | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||||||
 | SQJQ980EL-T1_GE3 | 2.6800 | | 3770 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 Dual | SQJQ980 | MOSFET (Metalloxid) | 187W | Powerpak® 8 x 8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 2 n-kanal (dual) | 80V | 36a (TC) | 13,5 MOHM @ 5A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 36nc @ 10v | 1995pf @ 40V | - - - | ||||||||||
| SUD35N10-26P-T4GE3 | 0,9951 | | 1852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud35 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 35a (TC) | 7v, 10V | 26mohm @ 12a, 10V | 4,4 V @ 250 ähm | 47 NC @ 10 V | ± 20 V | 2000 PF @ 12 V | - - - | 8.3W (TA), 83W (TC) | ||||||||
| IRLIZ24GPBF | 0,4772 | | 8689 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Irliz24 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 14a (TC) | 4V, 5V | 100MOHM @ 8.4a, 5V | 2v @ 250 ähm | 18 NC @ 5 V. | ± 10 V | 870 PF @ 25 V. | - - - | 37W (TC) | |||||||||
 | IRF9Z14 | - - - | | 3487 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf9 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF9Z14 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 60 v | 6.7a (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) | ||||||
| IRFP31N50L | - - - | | 8528 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP31 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP31N50L | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 500 V | 31a (TC) | 10V | 180MOHM @ 19A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 210 nc @ 10 v | ± 30 v | 5000 PF @ 25 V. | - - - | 460W (TC) | ||||||
| SIHG33N60E-GE3 | 6.6800 | | 6903 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG33 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 33a (TC) | 10V | 99mohm @ 16.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 30 v | 3508 PF @ 100 V | - - - | 278W (TC) | ||||||||
 | Irlz24strl | - - - | | 5958 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRLZ24 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 17a (TC) | 4V, 5V | 100mohm @ 10a, 5V | 2v @ 250 ähm | 18 NC @ 5 V. | ± 10 V | 870 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | ||||||||
 | SI5902DC-T1-E3 | - - - | | 7164 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5902 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 2.9a | 85mohm @ 2,9a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 7.5nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||||
| SI2316DS-T1-E3 | 0,8200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2316 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 2,9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 50MOHM @ 3.4a, 10V | 800 MV @ 250 um (min) | 7 NC @ 10 V | ± 20 V | 215 PF @ 15 V | - - - | 700 MW (TA) | |||||||
 | SI9634DY-T1-GE3 | 0,9200 | | 9280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9634 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA), 3,6 W (TC) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SI9634DY-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 6.2a (TA), 8a (TC) | 29mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 11nc @ 10v | 420pf @ 30v | - - - | |||||||||
 | IRL540PBF-BE3 | 2.5100 | | 995 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRL540 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRL540PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 77mohm @ 17a, 5V | 2v @ 250 ähm | 64 NC @ 5 V | ± 10 V | 2200 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||||||||
| SI4446DY-T1-GE3 | - - - | | 1502 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4446 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 3.9a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 40mohm @ 5.2a, 10V | 1,6 V @ 250 ähm | 12 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 700 PF @ 20 V | - - - | 1.1W (TA) | |||||||
 | SQS484en-T1_GE3 | 1.0100 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SQS484 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 16.4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1855 PF @ 25 V. | - - - | 62W (TC) | ||||||||
| SI4866DY-T1-E3 | 2.2000 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4866 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 12 v | 11a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 5,5 MOHM @ 17A, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 30 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.6W (TA) |
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