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Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SISH402DN-T1-GE3 | 0,9400 |  | 480 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | SISH402 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 19A (TA), 35A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 19a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1700 PF @ 15 V | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | ||||||||
 | SIHD6N62E-GE3 | 0,6918 | | 7517 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd6 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 6a (TC) | 10V | 900mohm @ 3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 30 v | 578 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | |||||||||
 | SI5999edu-T1-GE3 | - - - | | 9313 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Dual | SI5999 | MOSFET (Metalloxid) | 10.4W | Powerpak® Chipfet Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 6a | 59mohm @ 3,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 496PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||||||
 | SI7456DP-T1-GE3 | 2.1000 | | 942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7456 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 5.7A (TA) | 6 V, 10V | 25mohm @ 9.3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||||||
 | SI2331DS-T1-GE3 | - - - | | 2644 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2331 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 3.2a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 48mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 14 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 780 PF @ 6 V | - - - | 710 MW (TA) | |||||||
| SI5517DU-T1-E3 | - - - | | 7282 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Dual | SI5517 | MOSFET (Metalloxid) | 8.3W | Powerpak® Chipfet Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 6a | 39mohm @ 4,4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 16nc @ 8v | 520pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||
 | IRFB9N65APBF-BE3 | 2.8500 | | 863 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFB9 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRFB9N65APBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 8.5a (TC) | 930mohm @ 5.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 30 v | 1417 PF @ 25 V. | - - - | 167W (TC) | |||||||||
 | Irliz14g | - - - | | 9268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irliz14 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irliz14g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 8a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 4.8a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 27W (TC) | ||||||
 | SI6469DQ-T1-GE3 | - - - | | 9451 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6469 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 6a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 28mohm @ 6a, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 40 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||||
 | SIJ458DP-T1-GE3 | - - - | | 4687 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIJ458 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,2 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 20 V | 4810 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 69,4W (TC) | ||||||||
 | SQJ200EP-T1_GE3 | 1.2100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ200 | MOSFET (Metalloxid) | 27W, 48W | Powerpak® So-8 Dual Asymmetrisch | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 20a, 60a | 8,8 MOHM @ 16A, 10V | 2v @ 250 ähm | 18nc @ 10v | 975PF @ 10V | - - - | ||||||||||
 | U440-e3 | - - - | | 4218 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-71-6 | U440 | 500 MW | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | 2 n-kanal (dual) | 3PF @ 10v | 25 v | 6 ma @ 10 v | 1 V @ 1 na | |||||||||||||
 | SQD50N04-5M6_T4GE3 | 1.6700 | | 48 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 50a (TC) | 10V | 5.6mohm @ 20a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 85 NC @ 10 V | ± 20 V | 4000 PF @ 25 V. | - - - | 71W (TC) | |||||||||
 | SI3442BDV-T1-BE3 | 0,5900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SI3442BDV-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 3a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 57mohm @ 4a, 4,5 V. | 1,8 V @ 250 ähm | 5 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 295 PF @ 10 V. | - - - | 860 MW (TA) | |||||||||
 | SIS447DN-T1-GE3 | 0,9300 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS447 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 18a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 7.1MOHM @ 20A, 10V | 1,2 V @ 250 ähm | 181 NC @ 10 V. | ± 12 V | 5590 PF @ 10 V. | - - - | 52W (TC) | |||||||||
 | SI7615ADN-T1-GE3 | 0,7600 | | 1222 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7615 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 35a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 4.4mohm @ 20a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 183 NC @ 10 V. | ± 12 V | 5590 PF @ 10 V. | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | ||||||||
 | SISHA14DN-T1-GE3 | 0,6400 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | Sisha14 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 19,7a (TA), 20a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.1MOHM @ 10a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | +20V, -16v | 1450 PF @ 15 V | - - - | 3,57W (TA), 26,5 W (TC) | ||||||||
 | SI7901EDN-T1-GE3 | - - - | | 8131 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7901 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4.3a | 48mohm @ 6,3a, 4,5 V. | 1V @ 800 ähm | 18nc @ 4,5 v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||||
| SUD25N15-52-BE3 | 2.5100 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud25 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | - - - | 1 (unbegrenzt) | 742-Sud25N15-52-BE3CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 150 v | 25a (TC) | 6 V, 10V | 52mohm @ 5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1725 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 136W (TC) | ||||||||
| SST201-T1-E3 | - - - | | 5427 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SST201 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 4.5PF @ 15V | 40 v | 200 µa @ 15 V | 300 mv @ 10 na | |||||||||||||
 | SIHG25N60EFL-GE3 | 5.1900 | | 2092 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG25 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 25a (TC) | 10V | 146mohm @ 12.5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 30 v | 2274 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||||||
| Sira90DP-T1-GE3 | 1.5500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira90 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,8 MOHM @ 20A, 10 V. | 2v @ 250 ähm | 153 NC @ 10 V | +20V, -16v | 10180 PF @ 15 V | - - - | 104W (TC) | ||||||||
 | SQJ951EP-T1_GE3 | 1.6100 | | 1355 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ951 | MOSFET (Metalloxid) | 56W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 30a | 17mohm @ 7.5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 50nc @ 10v | 1680pf @ 10v | - - - | ||||||||||
| SI7738DP-T1-GE3 | 3.0500 | | 4722 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7738 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 30a (TC) | 10V | 38mohm @ 7.7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 53 NC @ 10 V | ± 20 V | 2100 PF @ 75 V | - - - | 5.4W (TA), 96W (TC) | ||||||||
 | 2N6660-2 | - - - | | 3199 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N6660 | MOSFET (Metalloxid) | To-205ad (to-39) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-Kanal | 60 v | 990 Ma (TC) | 5v, 10V | 3OHM @ 1a, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 725 MW (TA), 6,25W (TC) | ||||||||
 | SI4941EDY-T1-E3 | - - - | | 3427 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4941 | MOSFET (Metalloxid) | 3.6W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 10a | 21mohm @ 8.3a, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 70NC @ 10V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||||
| SUD50N03-06AP-T4E3 | - - - | | 1942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 90a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.7mohm @ 20a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 3800 PF @ 15 V | - - - | 10W (TA), 83W (TC) | |||||||
| SI7157DP-T1-GE3 | 1.5500 | | 1702 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7157 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 60a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 1,6 MOHM @ 25a, 10V | 1,4 V @ 250 ähm | 625 NC @ 10 V | ± 12 V | 22000 PF @ 10 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||||||
| IRLI540G | - - - | | 8299 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRLI540 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRLI540G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 17a (TC) | 4V, 5V | 77mohm @ 10a, 5V | 2v @ 250 ähm | 64 NC @ 5 V | ± 10 V | 2200 PF @ 25 V. | - - - | 48W (TC) | |||||||
| SI4831DY-T1-E3 | - - - | | 7337 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4831 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 45mohm @ 5a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 20 NC @ 5 V | ± 20 V | Schottky Diode (Isolier) | 2W (TA) |
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