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Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4858DY-T1-GE3 | - - - |  | 2808 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4858 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 13a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 5.25MOHM @ 20A, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 40 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1.6W (TA) | |||||
 | SIHFB20N50K-E3 | 3.2369 | | 2601 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHFB20 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 250 Mohm @ 12a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 30 v | 2870 PF @ 25 V. | - - - | 280W (TC) | ||||||
 | SI7252DP-T1-GE3 | 2.1700 | | 5432 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7252 | MOSFET (Metalloxid) | 46W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 100V | 36.7a | 18mohm @ 15a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 27nc @ 10v | 1170PF @ 50V | Logikpegel -tor | |||||||
| SQ4949EY-T1_BE3 | 1.6100 | | 7212 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4949 | MOSFET (Metalloxid) | 3.3W (TC) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 7.5a (TC) | 35mohm @ 5.9a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30nc @ 10v | 1020pf @ 25v | - - - | ||||||||
 | SI2341DS-T1-GE3 | - - - | | 4512 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2341 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 2,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 72mohm @ 2,8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 400 PF @ 15 V | - - - | 710 MW (TA) | ||||
 | SIHF540S-GE3 | 0,7655 | | 4299 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHF540 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||||
 | SIHG125N60EF-GE3 | 4.9100 | | 6891 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG125 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHG125N60EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 25a (TC) | 10V | 125mohm @ 12a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 47 NC @ 10 V | ± 30 v | 1533 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | |||||
 | SQJ464EP-T1_BE3 | 1.0100 | | 1608 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ464EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 32a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 17mohm @ 7.1a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2086 PF @ 30 V | - - - | 45W (TC) | ||||||
 | SIJA74DP-T1-GE3 | 0,9700 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sija74 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 24A (TA), 81,2a (TC) | 3,99 MOHM @ 10A, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | +20V, -16v | 2000 PF @ 20 V | - - - | 4,1W (TA), 46,2W (TC) | |||||||
 | SI5515CDC-T1-GE3 | 0,8300 | | 7885 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5515 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 4a | 36mohm @ 6a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 11.3nc @ 5v | 632pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI5485DU-T1-E3 | - - - | | 5665 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Single | SI5485 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® Chipfet ™ Single | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 12a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 25mo @ 5,9a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 42 NC @ 8 V | ± 12 V | 1100 PF @ 10 V | - - - | 3.1W (TA), 31W (TC) | ||||
 | SIS415DNT-T1-GE3 | 0,7500 | | 9694 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS415 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 35a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 4mohm @ 20a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 180 nc @ 10 v | ± 12 V | 5460 PF @ 10 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SIHP12N50E-Be3 | 1.8600 | | 990 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 10.5a (TC) | 10V | 380Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 30 v | 886 PF @ 100 V | - - - | 114W (TC) | |||||||
 | IRF840ALPBF | 2.7800 | | 475 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF840 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF840ALPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850MOHM @ 4.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 30 v | 1018 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
| 2N5546JTXL01 | - - - | | 2172 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-71-6 | 2n5546 | To-71 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - - - | - - - | ||||||||||||||
 | SIR668ADP-T1-RE3 | 2.3000 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir668 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 93.6a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 4,8 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 81 NC @ 10 V | ± 20 V | 3750 PF @ 50 V | - - - | 104W (TC) | |||||
 | SQ3460EV-T1_GE3 | 0,9100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3460 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 30mohm @ 5.1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 14 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 1060 PF @ 10 V. | - - - | 3.6W (TC) | |||||
 | SI6913DQ-T1-BE3 | 2.1400 | | 8472 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6913 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW (TA) | 8-tssop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SI6913DQ-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 4,9a (ta) | 21mohm @ 5,8a, 4,5 V. | 900 MV @ 400 ähm | 28nc @ 4,5V | - - - | - - - | |||||||
 | SIHF22N60S-E3 | - - - | | 2615 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF22 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 22a (TC) | 190mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | 2810 PF @ 25 V. | - - - | 250 W (TC) | |||||||
 | SI2312CDS-T1-BE3 | 0,3900 | | 4771 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 5a (ta), 6a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 31.8mohm @ 5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 18 NC @ 5 V. | ± 8 v | 865 PF @ 10 V. | - - - | 1,25W (TA), 2,1W (TC) | |||||||
| SI7478DP-T1-E3 | 2.8500 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7478 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 15a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
 | SI1967DH-T1-E3 | 0,4100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1967 | MOSFET (Metalloxid) | 1.25W | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 1.3a | 490MOHM @ 910 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 4nc @ 8v | 110pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||
 | SIHP30N60E-GE3 | 5.9800 | | 7039 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP30 | MOSFET (Metalloxid) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 125mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 30 v | 2600 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||||
 | SQM100P10-19L_GE3 | 3.4300 | | 3547 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM100 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 100 v | 93a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19Mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 350 NC @ 10 V | ± 20 V | 14100 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | |||||
 | SIR586DP-T1-RE3 | 1.4100 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen v | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 20,7a (TA), 78,4a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 5.8mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1905 PF @ 40 V. | - - - | 5W (TA), 71,4W (TC) | ||||||
| SIDR608DP-T1-RE3 | 2.4300 | | 6315 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sidr608 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8DC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 45 V | 51A (TA), 208a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,2 MOHM @ 20A, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 167 NC @ 10 V | +20V, -16v | 8900 PF @ 20 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SISH536DN-T1-GE3 | 0,6400 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen v | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 24,7a (TA), 67,4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,25 MOHM @ 10a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | +16 V, -12v | 1150 PF @ 15 V | - - - | 3,57W (TA), 26,5 W (TC) | ||||||
 | SQA442EJ-T1_GE3 | 0,6300 | | 29 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SQA442 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 9a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 32mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 9.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 636 PF @ 25 V. | - - - | 13.6W (TC) | |||||
| SI3442CDV-T1-GE3 | - - - | | 6589 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3442 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 8a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 27mohm @ 6.5a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 12 V | 335 PF @ 10 V. | - - - | 1,7W (TA), 2,7W (TC) | |||||
| SI4992EY-T1-GE3 | - - - | | 6227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4992 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 75 V | 3.6a | 48mohm @ 4,8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 21nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor |
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