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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI5853CDC-T1-E3 | - - - |  | 3250 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5853 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 104mohm @ 2,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 11 NC @ 8 V | ± 8 v | 350 PF @ 10 V | Schottky Diode (Isolier) | 1,5 W (TA), 3,1W (TC) | ||||
 | IRLR120TRL | - - - | | 5658 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRLR120 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 270 MOHM @ 4,6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 12 NC @ 5 V | ± 10 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
| IRLR120TRPBF | 1.6500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRLR120 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 270 MOHM @ 4,6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 12 NC @ 5 V | ± 10 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
 | SI8435DB-T1-E1 | - - - | | 2179 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8435 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 10a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 41mohm @ 1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 35 NC @ 5 V. | ± 5 V | 1600 PF @ 10 V. | - - - | 2,78W (TA), 6,25W (TC) | ||||
 | SI6463BDQ-T1-GE3 | - - - | | 3319 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6463 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 6.2a (ta) | 15mohm @ 7,4a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 60 NC @ 5 V | - - - | |||||||||
 | Sira18dp-t1-re3 | 0,1904 | | 4824 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira18 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 33a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 21,5 NC @ 10 V. | +20V, -16v | 1000 PF @ 15 V | - - - | 14.7W (TC) | ||||||
 | SI4778DY-T1-GE3 | - - - | | 8387 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4778 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 23mohm @ 7a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 16 v | 680 PF @ 13 V. | - - - | 2,4 W (TA), 5W (TC) | |||||
 | SQJQ144AE-T1_GE3 | 2.7700 | | 4319 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 | SQJQ144 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJQ144AE-T1_GE3CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 575a (TC) | 10V | 0,9 MOHM @ 20A, 10 V. | 3,5 V @ 250 ähm | 145 NC @ 10 V. | ± 20 V | 9020 PF @ 25 V. | - - - | 600W (TC) | ||||
 | SQ2310ES-T1_GE3 | 0,9000 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2310 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 6a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 30mohm @ 5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 8,5 NC @ 4,5 V | ± 8 v | 485 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TC) | |||||
 | IRLI540GPBF | 2.1600 | | 364 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRLI540 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 17a (TC) | 4V, 5V | 77mohm @ 10a, 5V | 2v @ 250 ähm | 64 NC @ 5 V | ± 10 V | 2200 PF @ 25 V. | - - - | 48W (TC) | |||||
 | IRF830aStrl | - - - | | 6793 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 5a (TC) | 10V | 1,4ohm @ 3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 30 v | 620 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
| SI5473DC-T1-E3 | - - - | | 8297 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5473 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 5.9a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 27mohm @ 5,9a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 32 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,3W (TA) | |||||
 | SIE854DF-T1-GE3 | - - - | | 6300 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie854 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 60a (TC) | 10V | 14,2mohm @ 13,2a, 10V | 4,4 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 20 V | 3100 PF @ 50 V | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SIHK075N60E-T1-GE3 | 6.6700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerbsfn | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®10 x 12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 80MOHM @ 13A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 30 v | 2582 PF @ 100 V | - - - | 167W (TC) | ||||||
 | SI3900DV-T1-E3 | 0,7600 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3900 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 2a | 125mohm @ 2,4a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 4nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIHB6N80AE-GE3 | 2.0700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHB6N80AE-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 5a (TC) | 10V | 950Mohm @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 22,5 NC @ 10 V | ± 30 v | 422 PF @ 100 V | - - - | 62,5W (TC) | |||||
| IRFR9220PBF | 1.8300 | | 245 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9220 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 200 v | 3.6a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 340 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
| IRFIB7N50APBF | 3.1400 | | 838 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfib7 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFIB7N50APBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 6.6a (TC) | 10V | 520mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 30 v | 1423 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) | ||||
| IRFR224PBF | 1.6200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR224 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 250 V | 3.8a (TC) | 10V | 1,1OHM @ 2,3a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
 | SUD50N03-09P-E3 | - - - | | 3065 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 v | 63a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 16 NC @ 4,5 V | ± 20 V | 2200 PF @ 25 V. | - - - | 7,5W (TA), 65,2W (TC) | |||||
 | SIHG33N65EF-GE3 | 6.9500 | | 3945 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG33 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 650 V | 31.6a (TC) | 10V | 109mohm @ 16.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 171 NC @ 10 V | ± 30 v | 4026 PF @ 100 V | - - - | 313W (TC) | |||||
 | SIHJ690N60E-T1-GE3 | 1.7400 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIHJ690 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 5.6a (TC) | 10V | 700MOHM @ 2a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 30 v | 347 PF @ 100 V | - - - | 48W (TC) | |||||
 | IRFU9120PBF | 1.7700 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU9120 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFU9120PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 100 v | 5.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 390 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
 | SQJA06EP-T1_GE3 | 1.2100 | | 1742 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja06 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 57a (TC) | 10V | 8.7mohm @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 2800 PF @ 25 V. | - - - | 55W (TC) | ||||||
 | SI7121ADN-T1-GE3 | 0,6200 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7121 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 12a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 15mohm @ 7a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 25 V | 1870 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 27,8 W (TC) | |||||
 | IRLZ24PBF-BE3 | 1.7000 | | 841 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRLZ24 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742 -irlz24pbf -be3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 17a (TC) | 100mohm @ 10a, 5V | 2v @ 250 ähm | 18 NC @ 5 V. | ± 10 V | 870 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) | ||||||
| SQJ860EP-T1_GE3 | 0,9600 | | 8541 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ860 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 55 NC @ 10 V | ± 20 V | 2700 PF @ 25 V. | - - - | 48W (TC) | |||||
 | IRFL014TRPBF | 0,9300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | IRFL014 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 2.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 1,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 300 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||||
| SIR846DP-T1-GE3 | 2.5100 | | 8527 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir846 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 60a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 7,8 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 2870 PF @ 50 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
| SI4143DY-T1-GE3 | 0,7800 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4143 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 25,3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,2 Mohm @ 12a, 10 V | 2,5 V @ 250 ähm | 167 NC @ 10 V | ± 25 V | 6630 PF @ 15 V | - - - | 6W (TC) |
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