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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHP17N80E-GE3 | 4.8400 |  | 5002 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP17 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 15a (TC) | 10V | 290MOHM @ 8.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 30 v | 2408 PF @ 100 V | - - - | 208W (TC) | |||||
 | SI4630DY-T1-E3 | 2.0000 | | 8741 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4630 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,7 MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 161 NC @ 10 V | ± 16 v | 6670 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 7,8W (TC) | ||||
 | SIA914DJ-T1-GE3 | - - - | | 6455 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia914 | MOSFET (Metalloxid) | 6.5W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 4,5a | 53mohm @ 3,7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 11.5nc @ 8v | 400PF @ 10V | Logikpegel -tor | |||||
 | SISS12DN-T1-GE3 | 1.1700 | | 9706 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS12 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 37,5a (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,98 MOHM @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 89 NC @ 10 V | +20V, -16v | 4270 PF @ 20 V | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | ||||
| SI4406DY-T1-GE3 | - - - | | 1906 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4406 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 13a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4,5 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 50 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1.6W (TA) | ||||
 | SI1024X-T1-GE3 | 0,5500 | | 132 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1024 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 485 Ma | 700 MOHM @ 600 Ma, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 0,75nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | |||||
 | SQD70140EL_GE3 | 1.2100 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD70140 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 15mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 2100 PF @ 25 V | - - - | 71W (TC) | ||||
 | SI2318D-T1-GE3 | 0,5300 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2318 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 45mohm @ 3,9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 540 PF @ 20 V | - - - | 750 MW (TA) | |||
 | SI7858ADP-T1-E3 | 2.7500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7858 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 20a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 2,6 MOHM @ 29A, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 80 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 5700 PF @ 6 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||
 | SIJA52DP-T1-GE3 | 1.3900 | | 2746 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sija52 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,7 MOHM @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 150 NC @ 20 V | +20V, -16v | 7150 PF @ 20 V | - - - | 48W (TC) | ||||
 | SI3457BDV-T1-E3 | - - - | | 1221 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3457 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3.7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 54mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) | ||||
 | SQ1902AEL-T1_GE3 | - - - | | 6841 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | SQ1902 | MOSFET (Metalloxid) | 430 MW | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 780 Ma (TC) | 415mohm @ 660 mA, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 1,2nc @ 4,5 V | 75PF @ 10V | - - - | |||||||
| SI4403BDY-T1-GE3 | - - - | | 6298 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4403 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 7.3a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 17mohm @ 9.9a, 4,5 V. | 1 V @ 350 µA | 50 nc @ 5 v | ± 8 v | - - - | 1,35W (TA) | ||||
| SIR878DP-T1-GE3 | - - - | | 8008 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir878 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 15a, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 43 NC @ 10 V | ± 20 V | 1250 PF @ 50 V | - - - | 5W (TA), 44,5W (TC) | ||||
 | SQJ912AEP-T1_GE3 | - - - | | 5227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ912 | MOSFET (Metalloxid) | 48W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 30a | 9,3mohm @ 9.7a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 38nc @ 10v | 1835PF @ 20V | - - - | ||||||
 | SQJ170ELP-T1_GE3 | 1.0800 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 63a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 16.3mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 1165 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | ||||||
 | SI5935CDC-T1-GE3 | 0,5500 | | 4202 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5935 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4a | 100MOHM @ 3,1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 11nc @ 5v | 455PF @ 10V | - - - | |||||
 | IRF634Strr | - - - | | 4361 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF634 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 250 V | 8.1a (TC) | 10V | 450MOHM @ 5.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 770 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
| Irlz14strl | - - - | | 6846 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRLZ14 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 10a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | ||||
| SI7356ADP-T1-GE3 | - - - | | 6539 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7356 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 145 NC @ 10 V. | ± 20 V | 6215 PF @ 15 V | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||
 | IRFRC20TRPBF | 1.2900 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFRC20 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 2a (TC) | 10V | 4,4ohm @ 1,2a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
| SI4442DY-T1-GE3 | 1.5780 | | 6018 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4442 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 15a (ta) | 2,5 V, 10 V. | 4,5 MOHM @ 22A, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 50 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1.6W (TA) | |||||
| SI3477DV-T1-GE3 | 0,7500 | | 9052 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3477 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 17,5 MOHM @ 9A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 10 V | 2600 PF @ 6 V | - - - | 2W (TA), 4,2W (TC) | ||||
| Irfz14strr | - - - | | 7497 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfz14 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 10a (TC) | 10V | 200mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 300 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | ||||
| SQJ570EP-T1_GE3 | 1.2100 | | 5611 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ570 | MOSFET (Metalloxid) | 27W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 100V | 15a (TC), 9,5a (TC) | 45mohm @ 6a, 10V, 146Mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20nc @ 10v, 15nc @ 10v | 650pf @ 25v, 600pf @ 25v | - - - | ||||||
 | SI1402DH-T1-GE3 | - - - | | 5669 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1402 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 2.7a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 77mohm @ 3a, 4,5 V. | 1,6 V @ 250 ähm | 4,5 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 950 MW (TA) | ||||
 | SI3456DDV-T1-BE3 | 0,3900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 5A (TA), 6,3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 40mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 325 PF @ 15 V | - - - | 1,7W (TA), 2,7W (TC) | ||||||
| SI4831BDY-T1-GE3 | - - - | | 2412 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4831 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 6.6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 42mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 20 V | 625 PF @ 15 V | Schottky Diode (Isolier) | 2W (TA), 3,3 W (TC) | |||
| SI4834CDY-T1-GE3 | - - - | | 5791 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4834 | MOSFET (Metalloxid) | 2.9W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8a | 20mohm @ 8a, 10V | 3V @ 1ma | 25nc @ 10v | 950pf @ 15V | - - - | ||||||
| IRFBE30STRLPBF | 3.5800 | | 7632 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfbe30 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3OHM @ 2,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) |
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