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Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHB35N60EF-GE3 | 6.4600 |  | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB35 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 32a (TC) | 10V | 97mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 134 NC @ 10 V. | ± 30 v | 2568 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
 | SIHP12N65E-GE3 | 2.3700 | | 2051 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP12 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 12a (TC) | 10V | 380Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 30 v | 1224 PF @ 100 V | - - - | 156W (TC) | |||||
 | SIHP22N65E-GE3 | 2.4402 | | 1004 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP22 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 22a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 30 v | 2415 PF @ 100 V | - - - | 227W (TC) | |||||
 | SI7222DN-T1-E3 | - - - | | 7562 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7222 | MOSFET (Metalloxid) | 17.8W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 6a | 42mohm @ 5.7a, 10V | 1,6 V @ 250 ähm | 29nc @ 10v | 700PF @ 20V | - - - | ||||||
| SUP85N15-21-E3 | 5.4000 | | 7896 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup85 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 150 v | 85a (TC) | 10V | 21mohm @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 4750 PF @ 25 V. | - - - | 2,4 W (TA), 300 W (TC) | |||||
 | V30433-T1-GE3 | - - - | | 9520 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | V30433 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | SI1024X-T1-E3 | - - - | | 3662 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1024 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 485 Ma | 700 MOHM @ 600 Ma, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 0,75nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI1553DL-T1 | - - - | | 4798 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1553 | MOSFET (Metalloxid) | 270 MW | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 660 mA, 410 mA | 385mohm @ 660 mA, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 1,2nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| IRFBG20PBF-BE3 | 1.8300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFBG20 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRFBG20PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 1000 v | 1.4a (TC) | 10V | 11OHM @ 840 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 500 PF @ 25 V. | - - - | 54W (TC) | |||||
 | SQA407CEJW-T1_GE3 | 0,5700 | | 6843 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | Powerpak® SC-70-6 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®SC-70W-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 9a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 25mo @ 4,5a, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 24 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 2100 PF @ 10 V | - - - | 13.6W (TC) | ||||||
| IRF520S | - - - | | 6941 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF520 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF520S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 9.2a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 5,5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | |||
 | SQJ974EP-T1_BE3 | 1.2800 | | 6570 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ974 | MOSFET (Metalloxid) | 48W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 100V | 30a (TC) | 25,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30nc @ 10v | 1050pf @ 25v | - - - | ||||||||
 | SIA477edjt-T1-GE3 | 0,4800 | | 7823 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA477 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 Single | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 12a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 13mohm @ 5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 50 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 3050 PF @ 6 V | - - - | 19W (TC) | |||||
 | SI5475BDC-T1-E3 | - - - | | 8312 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5475 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 6a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 28mohm @ 5,6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 40 nc @ 8 v | ± 8 v | 1400 PF @ 6 V | - - - | 2,5 W (TA), 6,3 W (TC) | ||||
 | IRFR9220TRPBF-BE3 | 1.3600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9220 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 200 v | 3.6a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 340 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||||
 | SI4204DY-T1-GE3 | 1.8900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4204 | MOSFET (Metalloxid) | 3.25W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 19,8a | 4.6mohm @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 45nc @ 10v | 2110pf @ 10v | - - - | |||||||
 | SI6423DQ-T1-GE3 | 1.7700 | | 191 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6423 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 8.2a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 8,5 MOHM @ 9,5A, 4,5 V. | 800 MV @ 400 ähm | 110 nc @ 5 v | ± 8 v | - - - | 1.05W (TA) | |||||
 | SI3455ADV-T1-GE3 | - - - | | 8974 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3455 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 2.7a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 100mohm @ 3,5a, 10 V | 3v @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) | |||||
| SI9434BDY-T1-GE3 | - - - | | 8281 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9434 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 4,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 40mohm @ 6,3a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,3W (TA) | |||||
 | SI7888DP-T1-E3 | - - - | | 7782 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7888 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 9,4a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 12.4a, 10V | 2v @ 250 ähm | 10.5 NC @ 5 V. | ± 12 V | - - - | 1,8W (TA) | |||||
| SUD50P06-15L-T4-E3 | 1.4803 | | 9068 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 15mohm @ 17a, 10V | 3v @ 250 ähm | 165 NC @ 10 V. | ± 20 V | 4950 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
 | IRLZ24LPBF | 1.6400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRLZ24 | MOSFET (Metalloxid) | To-262-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRLZ24LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 17a (TC) | 4V, 5V | 100mohm @ 10a, 5V | 2v @ 250 ähm | 18 NC @ 5 V. | ± 10 V | 870 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | ||||
| 2N4861JTXV02 | - - - | | 1214 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4861 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - - - | - - - | ||||||||||||||
 | SQJ476EP-T1_GE3 | 0,9400 | | 2630 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ476 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 23a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 38mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 700 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | |||||
| SI7448DP-T1-GE3 | - - - | | 2402 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7448 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 13,4a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 6,5 MOHM @ 22A, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 50 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||
| SI7172DP-T1-GE3 | 2.8200 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7172 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 25a (TC) | 6 V, 10V | 70 MOHM @ 5.9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | ± 20 V | 2250 PF @ 100 V | - - - | 5.4W (TA), 96W (TC) | |||||
| IRF540Strr | - - - | | 8233 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF540 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
 | SIE808DF-T1-E3 | 3.9800 | | 6782 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie808 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,6 MOHM @ 25a, 10V | 3v @ 250 ähm | 155 NC @ 10 V | ± 20 V | 8800 PF @ 10 V. | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) | |||||
| SI3447BDV-T1-E3 | - - - | | 9859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3447 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 4,5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 40mohm @ 6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 14 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.1W (TA) | |||||
| SQA405EJ-T1_GE3 | 0,6300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SQA405 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 10a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 35mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1815 PF @ 25 V. | - - - | 13.6W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
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