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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Ausfluss - rds (on) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4896DY-GE3 | 1.9500 |  | 450 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4896 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 80 v | 6.7a (ta) | 6 V, 10V | 16,5 MOHM @ 10a, 10V | 2V @ 250 ähm (min) | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,56W (TA) | ||||||||
 | SISA18BDN-T1-GE3 | 0,7000 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Sisa18 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8pt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 18A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,83 MOHM @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | +20V, -16v | 680 PF @ 15 V | - - - | 3,2 W (TA), 36,8 W (TC) | |||||||
 | SIR644DP-T1-GE3 | - - - | | 7553 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir644 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,7 MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 71 NC @ 10 V | ± 20 V | 3200 PF @ 20 V | - - - | 5.2W (TA), 69W (TC) | |||||||
 | SIHF8N50L-E3 | - - - | | 6750 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF8 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 1ohm @ 4a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 34 nc @ 0 v | ± 30 v | 873 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | |||||||
 | SQJ415EP-T1_GE3 | 1.0000 | | 8070 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ415 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 6000 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | |||||||
 | SI1417EDH-T1-GE3 | - - - | | 9164 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1417 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 2.7a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 85mohm @ 3,3a, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 8 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1W (TA) | |||||||
 | SI1069X-T1-E3 | - - - | | 4696 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1069 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 970 mA (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 184mohm @ 940 mA, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 6,86 NC @ 5 V. | ± 12 V | 308 PF @ 10 V | - - - | 236 MW (TA) | ||||||
 | SI2301CDS-T1-E3 | 0,3900 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2301 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.1a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 112mohm @ 2,8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 10 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 405 PF @ 10 V. | - - - | 860 MW (TA), 1,6 W (TC) | ||||||
| SI4412ADY-T1-GE3 | - - - | | 3852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4412 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 5.8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 24MOHM @ 8a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,3W (TA) | |||||||
 | SI5475DC-T1-E3 | - - - | | 5330 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5475 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 5.5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 31mohm @ 5,5a, 4,5 V. | 450 mV @ 1ma (min) | 29 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,3W (TA) | |||||||
 | SI7114ADN-T1-GE3 | 0,9400 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Si7114 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 18A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 1230 PF @ 15 V | - - - | 3.7W (TA), 39W (TC) | |||||||
| Sira06DP-T1-GE3 | 1.1800 | | 710 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira06 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,5 MOHM @ 15a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | +20V, -16v | 3595 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 62,5W (TC) | |||||||
 | SIHP10N40D-E3 | 0,8761 | | 1020 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP10 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 600mohm @ 5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 30 v | 526 PF @ 100 V | - - - | 147W (TC) | |||||||
 | SIHH24N65EF-T1-GE3 | 4.2342 | | 7509 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | SIHH24 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 650 V | 23a (TC) | 10V | 158mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 30 v | 2780 PF @ 100 V | - - - | 202W (TC) | |||||||
 | 2N6660Jan02 | - - - | | 6560 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | - - - | 2N6660 | - - - | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
 | SQD90P04-9M4L_GE3 | 2.7600 | | 88 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD90 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 40 v | 90a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9.4mohm @ 17a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 155 NC @ 10 V | ± 20 V | 6675 PF @ 20 V | - - - | 136W (TC) | |||||||
 | SIHP8N50D-GE3 | 1.4000 | | 280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP8 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 8.7a (TC) | 10V | 850Mohm @ 4a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 30 v | 527 PF @ 100 V | - - - | 156W (TC) | |||||||
| SST204-E3 | - - - | | 3203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SST204 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | N-Kanal | 4.5PF @ 15V | 40 v | 200 µa @ 15 V | 300 mv @ 10 na | ||||||||||||
| SST204-T1-E3 | - - - | | 8684 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SST204 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 4.5PF @ 15V | 25 v | 200 µa @ 15 V | 300 mv @ 10 na | ||||||||||||
| SST4119-T1-E3 | - - - | | 4656 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SST4119 | 350 MW | To-236 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 3PF @ 10v | 40 v | 200 µa @ 10 V | 2 V @ 1 na | ||||||||||||
| SST5486-E3 | - - - | | 7733 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SST5486 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | N-Kanal | 5pf @ 15V | 25 v | 8 ma @ 15 V | 2 V @ 10 na | ||||||||||||
| SST5486-T1-E3 | - - - | | 8951 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SST5486 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 5pf @ 15V | 25 v | 8 ma @ 15 V | 2 V @ 10 na | ||||||||||||
 | U290-e3 | - - - | | 1859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-206AC, bis 52-3 Metall Kann | U290 | 500 MW | To-206AC (bis 52) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | N-Kanal | 160pf @ 0v | 30 v | 500 mA @ 10 V. | 4 v @ 3 na | 3 Ohm | |||||||||||
 | 2N4117a-e3 | - - - | | 2319 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-206af, bis 72-4 Metall Kann | 2N4117 | 300 MW | To-206af (bis 72) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | N-Kanal | 3PF @ 10v | 40 v | 30 µa @ 10 V | 600 mv @ 1 na | ||||||||||||
| 2N4118A-2 | - - - | | 5189 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-206af, bis 72-4 Metall Kann | 2N4118 | 300 MW | To-206af (bis 72) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | N-Kanal | 3PF @ 10v | 40 v | 80 µa @ 10 V | 1 V @ 1 na | ||||||||||||
| 2N4118a-e3 | - - - | | 1513 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-206af, bis 72-4 Metall Kann | 2N4118 | 300 MW | To-206af (bis 72) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | N-Kanal | 3PF @ 10v | 40 v | 80 µa @ 10 V | 1 V @ 1 na | ||||||||||||
| 2N4338 | - - - | | 7153 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4338 | 300 MW | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | N-Kanal | 7pf @ 15V | 50 v | 200 µa @ 15 V | 300 mV @ 100 na | ||||||||||||
| 2N4338-2 | - - - | | 3263 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4338 | 300 MW | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | N-Kanal | 7pf @ 15V | 50 v | 200 µa @ 15 V | 300 mV @ 100 na | ||||||||||||
| 2N4338-E3 | - - - | | 8878 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4338 | 300 MW | To-206aa (to-18) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | N-Kanal | 7pf @ 15V | 50 v | 200 µa @ 15 V | 300 mV @ 100 na | ||||||||||||
| 2N4339-2 | - - - | | 6614 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4339 | 300 MW | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | N-Kanal | 7pf @ 15V | 50 v | 500 µa @ 15 V | 600 mv @ 100 na |
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