- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7137DP-T1-GE3 | 3.3800 |  | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7137 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 60a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 1,95 MOHM @ 25a, 10V | 1,4 V @ 250 ähm | 585 NC @ 10 V | ± 12 V | 20000 PF @ 10 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SISS12DN-T1-GE3 | 1.1700 | | 9706 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS12 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 37,5a (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,98 MOHM @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 89 NC @ 10 V | +20V, -16v | 4270 PF @ 20 V | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | |||||
 | SIHB125N60EF-GE3 | 4.4000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB125 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHB125N60EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 25a (TC) | 10V | 125mohm @ 12a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 47 NC @ 10 V | ± 30 v | 1533 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | |||||
 | SUM27N20-78-E3 | - - - | | 4642 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum27 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 27a (TC) | 6 V, 10V | 78mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 2150 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 150W (TC) | ||||
 | SI1307DL-T1-E3 | - - - | | 8792 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SI1307 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 850 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 290MOHM @ 1A, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 5 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 290 MW (TA) | |||||
 | SI4838DY-T1-E3 | 3.1200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4838 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 12 v | 17a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 3mohm @ 25a, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 60 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.6W (TA) | ||||||
| SI4406DY-T1-GE3 | - - - | | 1906 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4406 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 13a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4,5 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 50 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1.6W (TA) | |||||
 | SI1024X-T1-GE3 | 0,5500 | | 132 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1024 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 485 Ma | 700 MOHM @ 600 Ma, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 0,75nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI2318D-T1-GE3 | 0,5300 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2318 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 45mohm @ 3,9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 540 PF @ 20 V | - - - | 750 MW (TA) | ||||
 | SIA914DJ-T1-GE3 | - - - | | 6455 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia914 | MOSFET (Metalloxid) | 6.5W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 4,5a | 53mohm @ 3,7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 11.5nc @ 8v | 400PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||
 | SQD70140EL_GE3 | 1.2100 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD70140 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 15mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 2100 PF @ 25 V | - - - | 71W (TC) | |||||
 | SI3457BDV-T1-E3 | - - - | | 1221 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3457 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3.7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 54mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) | |||||
 | SQ1902AEL-T1_GE3 | - - - | | 6841 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | SQ1902 | MOSFET (Metalloxid) | 430 MW | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 780 Ma (TC) | 415mohm @ 660 mA, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 1,2nc @ 4,5 V | 75PF @ 10V | - - - | ||||||||
 | SI7810DN-T1-GE3 | 1.5100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7810 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 3.4a (TA) | 6 V, 10V | 62mohm @ 5.4a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | IRF9520PBF-BE3 | 1.2900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9520 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRF9520PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 6.8a (TC) | 600mohm @ 4.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 390 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) | ||||||
| SI4630DY-T1-E3 | 2.0000 | | 8741 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4630 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,7 MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 161 NC @ 10 V | ± 16 v | 6670 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA), 7,8W (TC) | |||||
 | SIHP17N80E-GE3 | 4.8400 | | 5002 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP17 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 15a (TC) | 10V | 290MOHM @ 8.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 30 v | 2408 PF @ 100 V | - - - | 208W (TC) | ||||||
 | SIHG47N60AE-GE3 | 7.7900 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG47 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 43a (TC) | 10V | 65mohm @ 24a, 10V | 4v @ 250 ähm | 182 NC @ 10 V. | ± 30 v | 3600 PF @ 100 V | - - - | 313W (TC) | |||||
| V50383-E3 | - - - | | 8432 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | V50383 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-V50383-E3tr | Veraltet | 500 | - - - | ||||||||||||||||||||
| SUP90N08-7M7P-E3 | - - - | | 9675 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup90 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 75 V | 90a (TC) | 10V | 7.7Mohm @ 20a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 105 NC @ 10 V | ± 20 V | 4250 PF @ 30 V | - - - | 3,75W (TA), 208,3W (TC) | ||||
| SIHP25N60EFL-GE3 | 4.7300 | | 1625 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP25 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 25a (TC) | 10V | 146mohm @ 12.5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 30 v | 2274 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
| SIHP12N60E-E3 | 2.6900 | | 3456 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP12 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHP12N60EE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 380Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 58 NC @ 10 V | ± 30 v | 937 PF @ 100 V | - - - | 147W (TC) | ||||
| SI7392DP-T1-GE3 | - - - | | 1165 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7392 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 9,75 MOHM @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | ± 20 V | - - - | 1,8W (TA) | |||||
 | IRFI9520G | - - - | | 1099 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI9520 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfi9520g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 100 v | 5.2a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 390 PF @ 25 V. | - - - | 37W (TC) | |||
 | SI4401FDY-T1-GE3 | 0,8800 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4401 | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 9,9a (TA), 14A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 14.2mohm @ 10a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 4000 PF @ 20 V | - - - | 2,5 W (TA), 5W (TC) | |||||
| SIR890DP-T1-GE3 | - - - | | 2659 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir890 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,9 MOHM @ 10a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 2747 PF @ 10 V. | - - - | 5W (TA), 50W (TC) | |||||
| IRFP254 | - - - | | 8500 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP254 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP254 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 250 V | 23a (TC) | 10V | 140Mohm @ 14a, 10V | 4v @ 250 ähm | 140 nc @ 10 v | ± 20 V | 2700 PF @ 25 V. | - - - | 190W (TC) | |||
| SIR476DP-T1-GE3 | - - - | | 8203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir476 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,7 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | 6150 PF @ 10 V. | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SI6562DQ-T1-GE3 | - - - | | 3826 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6562 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | - - - | 30mohm @ 4,5a, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 25nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI6459BDQ-T1-E3 | - - - | | 9009 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6459 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 2.2a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 115mohm @ 2,7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 1W (TA) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)