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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQJB70EP-T1_GE3 | 0,9600 |  | 8970 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJB70 | MOSFET (Metalloxid) | 27W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 100V | 11.3a (TC) | 95mohm @ 4a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 7nc @ 10v | 220pf @ 25v | - - - | |||||||
 | SI7386DP-T1-E3 | 1.6200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7386 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 19a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | - - - | 1,8W (TA) | ||||||
 | Sud80460e-Be3 | 0,9700 | | 1259 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SUD80460 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | - - - | 1 (unbegrenzt) | 742-sud80460e-be3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 150 v | 42a (TC) | 10V | 44.7mohm @ 8.3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 560 PF @ 50 V | - - - | 65,2W (TC) | |||||
| SI7368DP-T1-E3 | - - - | | 1746 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7368 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 13a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 5.5MOHM @ 20A, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 25 NC @ 4,5 V. | ± 16 v | - - - | 1.7W (TA) | |||||
 | SI7415DN-T1-GE3 | 1.6000 | | 4985 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7415 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 3.6a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 65mohm @ 5.7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | SI4890DY-T1-E3 | 1.3466 | | 9915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4890 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 11a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 11a, 10V | 800 MV @ 250 um (min) | 20 NC @ 5 V | ± 25 V | - - - | 2,5 W (TA) | ||||||
 | SI3483CDV-T1-BE3 | 0,4700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 6.1a (TA), 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 34mohm @ 6.1a, 10V | 3v @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1000 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA), 4,2W (TC) | |||||||
 | Sia923aedj-t1-GE3 | 0,6500 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia923 | MOSFET (Metalloxid) | 7.8W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4,5a | 54mohm @ 3,8a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 25nc @ 8v | 770PF @ 10V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI1039X-T1-GE3 | - - - | | 6050 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1039 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 870 mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 165mohm @ 870 mA, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 6 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 170 MW (TA) | |||||
 | SIHG22N60E-GE3 | 4.4900 | | 470 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG22 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 30 v | 1920 PF @ 100 V | - - - | 227W (TC) | |||||
 | SISS50DN-T1-GE3 | 0,8800 | | 6639 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS50 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SISS50DN-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 45 V | 29,7a (TA), 108a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,83 MOHM @ 15a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | +20V, -16v | 4000 PF @ 20 V | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | |||||
| SIHG35N60E-GE3 | 6.6700 | | 4693 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG35 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 32a (TC) | 10V | 94mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 132 NC @ 10 V | ± 30 v | 2760 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
 | SUP85N02-03-E3 | - - - | | 3975 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup85 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 20 v | 85a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 3mohm @ 30a, 4,5 V. | 450 mV @ 2MA (min) | 200 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 21250 PF @ 20 V | - - - | 250 W (TC) | ||||
 | SI1046X-T1-GE3 | - - - | | 1821 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | SI1046 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 606 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 420mohm @ 606 mA, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 1,49 NC @ 5 V. | ± 8 v | 66 PF @ 10 V. | - - - | 250 MW (TA) | ||||
 | SIE806DF-T1-E3 | - - - | | 7943 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie806 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,7 MOHM @ 25a, 10V | 2v @ 250 ähm | 250 NC @ 10 V | ± 12 V | 13000 PF @ 15 V | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
 | IRFZ44StrRPBF | - - - | | 4326 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfz44 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10V | 4v @ 250 ähm | 67 NC @ 10 V | ± 20 V | 1900 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
 | SIJA52DP-T1-GE3 | 1.3900 | | 2746 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sija52 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,7 MOHM @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 150 NC @ 20 V | +20V, -16v | 7150 PF @ 20 V | - - - | 48W (TC) | |||||
| SIJ400DP-T1-GE3 | - - - | | 8880 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIJ400 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 32a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 20 V | 7765 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 69,4W (TC) | ||||
| SI7858ADP-T1-E3 | 2.7500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7858 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 20a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 2,6 MOHM @ 29A, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 80 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 5700 PF @ 6 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||
| SQS140LNW-T1_GE3 | 1.1400 | | 4697 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, Trenchfet® Geniv | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | Powerpak® 1212-8slw | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8slw | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 153a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,53MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 80 nc @ 10 v | ± 20 V | 4051 PF @ 25 V. | - - - | 119W (TC) | ||||||||
 | SIHP17N80AEF-GE3 | 2.9400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 742-SIHP17N80AEF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 15a (TC) | 10V | 305mohm @ 8.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 30 v | 1300 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | |||||
 | SQM25N15-52_GE3 | 1.4674 | | 2819 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM25 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 150 v | 25a (TC) | 10V | 52mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 51 NC @ 10 V | ± 20 V | 2360 PF @ 25 V. | - - - | 107W (TC) | ||||||
| SI7868ADP-T1-GE3 | 2.2623 | | 4724 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7868 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,25 MOHM @ 20A, 10V | 1,6 V @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 16 v | 6110 PF @ 10 V | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
 | IRF9Z10PBF-BE3 | 1.6300 | | 862 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9Z10 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRF9Z10PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 60 v | 6.7a (TC) | 500mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) | ||||||
 | SISH101DN-T1-GE3 | 0,7700 | | 22 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | SISH101 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 16,9a (TA), 35A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,2 Mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 102 NC @ 10 V | ± 25 V | 3595 PF @ 15 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
| SIR112DP-T1-RE3 | 1.3800 | | 7139 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir112 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 37,6a (TA), 133a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,96 MOHM @ 10A, 10 V. | 2,4 V @ 250 ähm | 89 NC @ 10 V | +20V, -16v | 4270 PF @ 20 V | - - - | 5W (TA), 62,5W (TC) | |||||
 | SI3421DV-T1-GE3 | 0,5200 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3421 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 19.2mohm @ 7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 69 NC @ 10 V | ± 20 V | 2580 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA), 4,2W (TC) | |||||
| SI7682DP-T1-E3 | - - - | | 1336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7682 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1595 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 27,5 W (TC) | ||||
 | SIHF068N60EF-GE3 | 5.4600 | | 760 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF068 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHF068N60EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 16a (TC) | 10V | 68mohm @ 16a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | ± 30 v | 2628 PF @ 100 V | - - - | 39W (TC) | |||||
| SI4448DY-T1-E3 | - - - | | 6508 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4448 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 12 v | 50a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 1,7 MOHM @ 20A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 150 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 12350 PF @ 6 V. | - - - | 3,5 W (TA), 7,8W (TC) |
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