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Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHH14N60EF-T1-GE3 | 4.7300 |  | 4568 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | SIHH14 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 15a (TC) | 10V | 266mohm @ 7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 84 NC @ 10 V | ± 30 v | 1449 PF @ 100 V | - - - | 147W (TC) | |||||
 | SIRS4401DP-T1-GE3 | 3.2900 | | 8939 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIRS4401 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 46,8a (TA), 198a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,2 MOHM @ 20A, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 588 NC @ 10 V | ± 20 V | 21850 PF @ 20 V | - - - | 7.4W (TA), 132W (TC) | |||||
 | SI2311D-T1-E3 | - - - | | 5828 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2311 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 3a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 45mohm @ 3,5a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 12 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 970 PF @ 4 V. | - - - | 710 MW (TA) | ||||
 | SQD40031EL_GE3 | 1.6500 | | 3668 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD40031 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 30 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,2 MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 280 nc @ 10 v | ± 20 V | 15000 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | |||||
 | SI7409ADN-T1-GE3 | - - - | | 6828 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7409 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 7a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 19mohm @ 11a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 40 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||
 | SIHK045N60E-T1-GE3 | 9.9700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerbsfn | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®10 x 12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHK045N60E-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 48a (TC) | 10V | 49mohm @ 17a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 98 NC @ 10 V. | ± 30 v | 4013 PF @ 100 V | - - - | 278W (TC) | |||||
 | SUD50N02-09P-E3 | - - - | | 9366 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 20 v | 20a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 16 NC @ 4,5 V | ± 20 V | 1300 PF @ 10 V | - - - | 6,5W (TA), 39,5W (TC) | ||||
| SI2334DS-T1-GE3 | - - - | | 6788 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2334 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4,9a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 44mohm @ 4,2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 10 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 634 PF @ 15 V | - - - | 1,3W (TA), 1,7W (TC) | ||||
 | IRF9Z24PBF-BE3 | 1.9400 | | 892 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF9Z24 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRF9Z24PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 60 v | 11a (TC) | 280 MOHM @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) | ||||||
 | SI5513DC-T1-E3 | - - - | | 9650 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5513 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 3.1a, 2.1a | 75mohm @ 3,1a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 6nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI7621DN-T1-GE3 | - - - | | 8521 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7621 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 90 MOHM @ 3,9a, 4,5 V. | 2v @ 250 ähm | 6.2 NC @ 5 V. | ± 12 V | 300 PF @ 10 V. | - - - | 3,1W (TA), 12,5 W (TC) | ||||
 | Si4686dy-e3 | 1.4000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4686 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 18,2a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 13,8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 20 V | 1220 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA), 5,2W (TC) | |||||
 | V30391-T1-E3 | - - - | | 5017 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | V30391 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | |||||||||||||||||||||
 | SI2308BDS-T1-BE3 | 0,5500 | | 438 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 1,9a (TA), 2,3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 156mohm @ 1,9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 6,8 nc @ 10 v | ± 20 V | 190 PF @ 30 V | - - - | 1,09W (TA), 1,66W (TC) | |||||||
 | SIA448DJ-T1-GE3 | - - - | | 9720 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA448 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 12a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 15mohm @ 12,4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 35 nc @ 8 v | ± 8 v | 1380 PF @ 1 v | - - - | 3,5 W (TA), 19,2W (TC) | |||||
| SI2316BDS-T1-GE3 | 0,5900 | | 58 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2316 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 50MOHM @ 3,9a, 10 V. | 3v @ 250 ähm | 9.6 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 15 V | - - - | 1,25W (TA), 1,66W (TC) | ||||
| SISA88DN-T1-GE3 | 0,5300 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sisa88 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 16,2a (TA), 40,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,7 MOHM @ 10A, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 25,5 NC @ 10 V | +20V, -16v | 985 PF @ 15 V | - - - | 3,2 W (TA), 19,8W (TC) | |||||
 | SISS32ADN-T1-GE3 | 1.5500 | | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS32 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | - - - | 1 (unbegrenzt) | 742-SISS32ADN-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 17,4a (TA), 63A (TC) | 7,5 V, 10 V. | 7.3mohm @ 10a, 10V | 3,6 V @ 250 ähm | 36 NC @ 10 V | ± 20 V | 1520 PF @ 40 V | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | |||||
| SIB422EDK-T4-GE3 | 0,2021 | | 4369 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-75-6 | SIB422 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-75-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIB422edk-T4-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 7.1a (TA), 9A (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 30mohm @ 5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 8 v | - - - | 2,5 W (TA), 13W (TC) | |||||
| SI4650DY-T1-E3 | - - - | | 4186 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4650 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 8a | 18Mohm @ 8a, 10V | 3V @ 1ma | 40nc @ 10v | 1550pf @ 15V | - - - | ||||||
 | SI7898DP-T1-E3 | 1.8300 | | 20 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7898 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 3a (ta) | 6 V, 10V | 85mohm @ 3,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
 | IRFZ48SPBF | 4.4200 | | 104 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfz48 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 2400 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 190 W (TC) | |||||
| Sira14DP-T1-GE3 | 0,6900 | | 8431 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira14 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 58a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.1MOHM @ 10a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | +20V, -16v | 1450 PF @ 15 V | - - - | 3,6 W (TA), 31,2W (TC) | |||||
| SQ2348ES-T1_GE3 | 0,6700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2348 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 24MOHM @ 12a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 14,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 540 PF @ 15 V | - - - | 3W (TC) | |||||
 | SQS411ENW-T1_GE3 | 0,9400 | | 7842 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8W | SQS411 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 27.3mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 3191 PF @ 25 V. | - - - | 39,5W (TC) | |||||
| SQ2398ES-T1_BE3 | 0,6300 | | 4432 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2398 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | - - - | 1 (unbegrenzt) | 742-SQ2398ES-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 1,6a (TC) | 10V | 300 MOHM @ 1,5A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 3.4 NC @ 10 V | ± 20 V | 152 PF @ 50 V | - - - | 2W (TC) | |||||
| SI2307BDS-T1-BE3 | 0,6400 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 2,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 78mohm @ 3.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 380 PF @ 15 V | - - - | 750 MW (TA) | |||||||
| SI7138DP-T1-GE3 | - - - | | 5350 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7138 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 30a (TC) | 6 V, 10V | 7,8 MOHM @ 19.7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | 6900 PF @ 30 V | - - - | 5.4W (TA), 96W (TC) | ||||
| SQ2348CE-T1_GE3 | 0,4300 | | 9162 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2348 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 24MOHM @ 12a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 14,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 540 PF @ 15 V | - - - | 3W (TC) | |||||||
 | SIHP15N60E-Be3 | 2.9500 | | 977 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 15a (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 30 v | 1350 PF @ 100 V | - - - | 180W (TC) |
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