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Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4401FDY-T1-GE3 | 0,8800 |  | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4401 | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 9,9a (TA), 14A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 14.2mohm @ 10a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 4000 PF @ 20 V | - - - | 2,5 W (TA), 5W (TC) | |||||
 | SIR890DP-T1-GE3 | - - - | | 2659 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir890 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,9 MOHM @ 10a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 2747 PF @ 10 V. | - - - | 5W (TA), 50W (TC) | |||||
 | SI6562DQ-T1-GE3 | - - - | | 3826 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6562 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | - - - | 30mohm @ 4,5a, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 25nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | SI6459BDQ-T1-E3 | - - - | | 9009 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6459 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 2.2a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 115mohm @ 2,7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 1W (TA) | |||||
 | SIHB12N65E-GE3 | 2.9300 | | 729 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB12 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 12a (TC) | 10V | 380Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 30 v | 1224 PF @ 100 V | - - - | 156W (TC) | |||||
| SIR476DP-T1-GE3 | - - - | | 8203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir476 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,7 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | 6150 PF @ 10 V. | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | IRFI9634G | - - - | | 6326 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI9634 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfi9634g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 250 V | 4.1a (TC) | 10V | 1OHM @ 2,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 680 PF @ 25 V. | - - - | 35W (TC) | |||
 | SI4896DY-T1-E3 | 1.9500 | | 1853 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4896 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 80 v | 6.7a (ta) | 6 V, 10V | 16,5 MOHM @ 10a, 10V | 2V @ 250 ähm (min) | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,56W (TA) | ||||||
| IRF9Z24strr | - - - | | 4600 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf9 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 60 v | 11a (TC) | 10V | 280 MOHM @ 6.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | ||||
 | SQJA60EP-T1_BE3 | 1.1100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | Sqja60 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 Dual | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12,5 MOHM @ 8A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | ||||||
 | SIHG73N60AE-GE3 | 11.4800 | | 74 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG73 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 60a (TC) | 10V | 40mohm @ 36,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 394 NC @ 10 V. | ± 30 v | 5500 PF @ 100 V | - - - | 417W (TC) | |||||
 | IRLU024 | - - - | | 5183 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRLU024 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *IRLU024 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 60 v | 14a (TC) | 4V, 5V | 100MOHM @ 8.4a, 5V | 2v @ 250 ähm | 18 NC @ 5 V. | ± 10 V | 870 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
 | IRL520PBF-BE3 | 1.4600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRL520 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742 -irl520pbf -be3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 9.2a (TC) | 270 MOHM @ 5,5a, 5V | 2v @ 250 ähm | 12 NC @ 5 V | ± 10 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) | ||||||
| SI4943CDY-T1-E3 | 1.7000 | | 8274 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4943 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 8a | 19,2mohm @ 8.3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 62nc @ 10v | 1945pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||
| SIR838DP-T1-GE3 | - - - | | 3144 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir838 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 35a (TC) | 10V | 33mohm @ 8.3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 2075 PF @ 75 V | - - - | 5.4W (TA), 96W (TC) | ||||
 | SISS46DN-T1-GE3 | 1.5500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS46 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 12,5a (TA), 45,3a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 12,8 MOHM @ 10a, 10V | 3,4 V @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2140 PF @ 50 V | - - - | 5W (TA), 65,7W (TC) | |||||
 | SIR5108DP-T1-RE3 | 1.5700 | | 5133 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir5108 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 15,4a (TA), 55,9a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 7.45MOHM @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | 1150 PF @ 50 V | - - - | 5.2W (TA), 65,7W (TC) | ||||||
 | SIHK075N60EF-T1GE3 | 7.3900 | | 26 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerbsfn | SIHK075 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®10 x 12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 33a (TC) | 10V | 71Mohm @ 15a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 30 v | 2954 PF @ 100 V | - - - | 192W (TC) | |||||
| SI4048DY-T1-GE3 | - - - | | 2509 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4048 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 19,3a (TC) | 10V | 85mohm @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 51 NC @ 10 V | ± 20 V | 2060 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5,7W (TC) | |||||
 | SQD40081EL_GE3 | 1.3700 | | 2265 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD40081 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 40 v | 50a (TC) | 10V | 8.5Mohm @ 25a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 210 nc @ 10 v | ± 20 V | 9950 PF @ 25 V. | - - - | 71W (TC) | |||||
 | SIHD5N50D-GE3 | 1.0500 | | 1756 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd5 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 500 V | 5.3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,5a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 325 PF @ 100 V | - - - | 104W (TC) | |||||
| IRFIBC40GLCPBF | 2.3946 | | 3626 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfibc40 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFIBC40GLCPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 3,5a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2,1A, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | ||||
 | SIA814DJ-T1-GE3 | - - - | | 7117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA814 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4,5a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 61Mohm @ 3,3a, 10 V | 1,5 V @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 12 V | 340 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 1,9W (TA), 6,5W (TC) | ||||
| SI6966DQ-T1-GE3 | - - - | | 9688 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6966 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 4a | 30mohm @ 4,5a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 20nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI5933DC-T1-GE3 | - - - | | 3407 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5933 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 2.7a | 110 MOHM @ 2,7A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 7.7nc @ 4.5v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI8416DB-T1-GE3 | - - - | | 9882 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-uFbga | SI8416 | MOSFET (Metalloxid) | 6-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 8 v | 16a (TC) | 1,2 V, 4,5 V. | 23mohm @ 1,5a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 26 NC @ 4,5 V. | ± 5 V | 1470 PF @ 4 V. | - - - | 2,77W (TA), 13W (TC) | ||||
| SI4752DY-T1-GE3 | - - - | | 8028 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | SkyFet®, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4752 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 25a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,2 V @ 1ma | 43 NC @ 10 V | ± 20 V | 1700 PF @ 15 V | Schottky Diode (Körper) | 3W (TA), 6,25 W (TC) | |||||
| SI6544BDQ-T1-E3 | - - - | | 4583 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6544 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 3.7a, 3.8a | 43mohm @ 3,8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI1401EDH-T1-BE3 | 0,4100 | | 4662 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1401 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 742-SI1401EDH-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 4a (ta), 4a (TC) | 34mohm @ 5,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 36 NC @ 8 V | ± 10 V | - - - | 1,6W (TA), 2,8 W (TC) | ||||||
 | Sira20DP-T1-RE3 | 1.5800 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira20 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 81,7a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,58 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,1 V @ 250 ähm | 200 nc @ 10 v | +16 V, -12v | 10850 PF @ 10 V. | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) |
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