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Diskette HalblerProdukte (5717)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQJ951EP-T1_GE3 | 1.6100 |  | 1355 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ951 | MOSFET (Metalloxid) | 56W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 30a | 17mohm @ 7.5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 50nc @ 10v | 1680pf @ 10v | - - - | |||||||
 | SISHA14DN-T1-GE3 | 0,6400 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | Sisha14 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 19,7a (TA), 20a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.1MOHM @ 10a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | +20V, -16v | 1450 PF @ 15 V | - - - | 3,57W (TA), 26,5 W (TC) | |||||
 | SI7901EDN-T1-GE3 | - - - | | 8131 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7901 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4.3a | 48mohm @ 6,3a, 4,5 V. | 1V @ 800 ähm | 18nc @ 4,5 v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | Sira90DP-T1-GE3 | 1.5500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira90 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,8 MOHM @ 20A, 10 V. | 2v @ 250 ähm | 153 NC @ 10 V | +20V, -16v | 10180 PF @ 15 V | - - - | 104W (TC) | |||||
| IRLIZ24GPBF | 0,4772 | | 8689 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Irliz24 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 14a (TC) | 4V, 5V | 100MOHM @ 8.4a, 5V | 2v @ 250 ähm | 18 NC @ 5 V. | ± 10 V | 870 PF @ 25 V. | - - - | 37W (TC) | ||||||
 | SUD35N10-26P-T4GE3 | 0,9951 | | 1852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud35 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 35a (TC) | 7v, 10V | 26mohm @ 12a, 10V | 4,4 V @ 250 ähm | 47 NC @ 10 V | ± 20 V | 2000 PF @ 12 V | - - - | 8.3W (TA), 83W (TC) | |||||
 | IRF9Z14 | - - - | | 3487 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf9 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF9Z14 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 60 v | 6.7a (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) | |||
| SIHD6N62ET1-GE3 | 0,6924 | | 9883 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd6 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 620 v | 6a (TC) | 10V | 900mohm @ 3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 30 v | 578 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | ||||||
 | SIS435DNT-T1-GE3 | 0,7900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS435 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 30a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 5.4mohm @ 13a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 180 nc @ 8 v | ± 8 v | 5700 PF @ 10 V. | - - - | 3.7W (TA), 39W (TC) | |||||
 | SI2305ADS-T1-GE3 | - - - | | 1910 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2305 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 5.4a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 40mohm @ 4,1a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | ± 8 v | 740 PF @ 4 V. | - - - | 960 MW (TA), 1,7W (TC) | ||||
| SQ2303ES-T1_BE3 | 0,5300 | | 658 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2303 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQ2303ES-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 2,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 170 MOHM @ 1,7A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 6,8 nc @ 10 v | ± 20 V | 210 PF @ 25 V. | - - - | 1,9W (TC) | |||||
 | SI3585DV-T1-GE3 | - - - | | 5975 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3585 | MOSFET (Metalloxid) | 830 MW | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 2a, 1,5a | 125mohm @ 2,4a, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 3.2nc @ 4.5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI7115DN-T1-E3 | 2.1000 | | 3583 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7115 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 150 v | 8.9a (TC) | 6 V, 10V | 295Mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1190 PF @ 50 V | - - - | 52W (TC) | |||||
| 2N4857JTXL02 | - - - | | 9658 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4857 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - - - | - - - | ||||||||||||||
 | SI4320DY-T1-E3 | - - - | | 7887 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4320 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 17a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 3mohm @ 25a, 10V | 3v @ 250 ähm | 70 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 6500 PF @ 15 V | - - - | 1.6W (TA) | ||||
 | SQS181LNW-T1_GE3 | 1.1200 | | 20 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | Powerpak® 1212-8slw | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8slw | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 80 v | 44a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 31mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 2771 PF @ 25 V. | - - - | 119W (TC) | ||||||
 | SI1026X-T1-E3 | - - - | | 7760 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1026 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 305 Ma | 1,4OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 0,6nc @ 4,5 V | 30pf @ 25v | Logikpegel -tor | ||||||
| SI3465DV-T1-E3 | - - - | | 4278 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3465 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 80Mohm @ 4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 5,5 NC @ 5 V. | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) | ||||||
 | SI5499DC-T1-E3 | - - - | | 2207 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5499 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 6a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 36mohm @ 5.1a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 35 nc @ 8 v | ± 5 V | 1290 PF @ 4 V. | - - - | 2,5 W (TA), 6,2 W (TC) | ||||
| SI4590DY-T1-GE3 | 0,9500 | | 4861 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4590 | - - - | 2.4W, 3.4W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 100V | 3,4a, 2,8a | 57mohm @ 2a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 11.5nc @ 10v | 360PF @ 50V | - - - | |||||||
| SI2392ADS-T1-GE3 | 0,5400 | | 4955 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2392 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 3.1a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 126mohm @ 2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10.4 NC @ 10 V | ± 20 V | 196 PF @ 50 V | - - - | 1,25W (TA), 2,5W (TC) | ||||
 | SUM110P04-04L-E3 | 4.7600 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum110 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 40 v | 110a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.2mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 350 NC @ 10 V | ± 20 V | 11200 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 375W (TC) | |||||
 | SIR878DP-T1-GE3 | - - - | | 8008 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir878 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 15a, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 43 NC @ 10 V | ± 20 V | 1250 PF @ 50 V | - - - | 5W (TA), 44,5W (TC) | |||||
 | SIHA17N80E-GE3 | 4.8600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHA17N80E-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 6a (TC) | 10V | 290MOHM @ 8.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 30 v | 2408 PF @ 100 V | - - - | 35W (TC) | ||||||
| SI7452DP-T1-E3 | - - - | | 2169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7452 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 11,5a (ta) | 10V | 8.3mohm @ 19.3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||
| SIR646DP-T1-GE3 | - - - | | 3786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir646 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,8 MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 51 NC @ 10 V | ± 20 V | 2230 PF @ 20 V | - - - | 5W (TA), 54W (TC) | |||||
 | SI2347D-T1-BE3 | 0,4300 | | 461 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SI2347D-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3,8a (TA), 5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 42mohm @ 3,8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 705 PF @ 15 V | - - - | 1,2W (TA), 1,7W (TC) | |||||
 | SI1302DL-T1-BE3 | 0,4400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SI1302 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 600 mA (TA) | 480MOHM @ 600 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 1,4 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 280 MW (TA) | |||||||
 | 2N6661JTXP02 | - - - | | 8781 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N6661 | MOSFET (Metalloxid) | To-39 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-Kanal | 90 v | 860 mA (TC) | 5v, 10V | 4OHM @ 1a, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 725 MW (TA), 6,25W (TC) | |||||
 | IRF830BPBF-BE3 | 1.1200 | | 33 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRF830BPBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 5.3a (TC) | 1,5OHM @ 2,5a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 325 PF @ 100 V | - - - | 104W (TC) |
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Standardprodukteinheit
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