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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Leistung – max | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Konfiguration | FET-Typ | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) | Spannung - Durchschlag (V(BR)GSS) | Strom – Entleerung (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Spannung – Abschaltung (VGS aus) @ Id | Widerstand – RDS(Ein) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N4393-E3 | - | ![]() | 1646 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Schüttgut | Veraltet | -65°C ~ 200°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-206AA, TO-18-3 Metalldose | 2N4393 | 1,8 W | TO-206AA (TO-18) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | N-Kanal | 14 pF bei 20 V | 40 V | 5 mA bei 20 V | 500 mV bei 1 nA | 100 Ohm | |||||||||||||
![]() | IRF744L | - | ![]() | 9534 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Aktiv | - | Durchgangsloch | TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA | IRF744 | MOSFET (Metalloxid) | I2PAK | - | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | *IRF744L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 450 V | 8,8A (Tc) | 10V | 630 mOhm bei 5,3 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 80 nC bei 10 V | ±20V | 1400 pF bei 25 V | - | - | ||||||||
![]() | SI2319CDS-T1-BE3 | 0,5700 | ![]() | 216 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2319 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (TO-236) | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 V | 3,1 A (Ta), 4,4 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 77 mOhm bei 3,1 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 21 nC bei 10 V | ±20V | 595 pF bei 20 V | - | 1,25 W (Ta), 2,5 W (Tc) | |||||||||
![]() | SQJ409EP-T2_GE3 | 1.4900 | ![]() | 7432 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SO-8 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 742-SQJ409EP-T2_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 V | 60A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 7 mOhm bei 10 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 260 nC bei 10 V | ±20V | 11000 pF bei 25 V | - | 68W (Tc) | ||||||||||
![]() | SI7236DP-T1-E3 | - | ![]() | 5143 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 Dual | SI7236 | MOSFET (Metalloxid) | 46W | PowerPAK® SO-8 Dual | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Dual) | 20V | 60A | 5,2 mOhm bei 20,7 A, 4,5 V | 1,5 V bei 250 µA | 105 nC bei 10 V | 4000pF bei 10V | - | |||||||||||
![]() | SI5403DC-T1-GE3 | 1.0400 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SMD, Flachanschluss | SI5403 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 ChipFET™ | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 V | 6A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 30 mOhm bei 7,2 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 42 nC bei 10 V | ±20V | 1340 pF bei 15 V | - | 2,5 W (Ta), 6,3 W (Tc) | ||||||||
![]() | SIR820DP-T1-GE3 | 0,6350 | ![]() | 3781 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 | SIR820 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SO-8 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 V | 40A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 3 mOhm bei 15 A, 10 V | 2,4 V bei 250 µA | 95 nC bei 10 V | ±20V | 3512 pF bei 15 V | - | 37,8 W (Tc) | ||||||||||
| SUP85N03-04P-E3 | - | ![]() | 2868 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | SUP85 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 30 V | 85A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 4,3 mOhm bei 30 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 90 nC bei 10 V | ±20V | 4500 pF bei 25 V | - | 3,75 W (Ta), 166 W (Tc) | |||||||||
| SUP85N15-21-E3 | 5.4000 | ![]() | 7896 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | SUP85 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 150 V | 85A (Tc) | 10V | 21 mOhm bei 30 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 110 nC bei 10 V | ±20V | 4750 pF bei 25 V | - | 2,4 W (Ta), 300 W (Tc) | ||||||||||
![]() | SIF912EDZ-T1-E3 | - | ![]() | 8478 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® 2x5 | SIF912 | MOSFET (Metalloxid) | 1,6 W | PowerPAK® (2x5) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (doppelter) gemeinsamer Abfluss | 30V | 7,4A | 19 mOhm bei 7,4 A, 4,5 V | 1,5 V bei 250 µA | 15 nC bei 4,5 V | - | Logikpegel-Gate | ||||||||||
![]() | SIHB33N60E-GE3 | 6.1800 | ![]() | 7896 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | SIHB33 | MOSFET (Metalloxid) | D²PAK (TO-263) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | SIHB33N60EGE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 33A (Tc) | 10V | 99 mOhm bei 16,5 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 150 nC bei 10 V | ±30V | 3508 pF bei 100 V | - | 278 W (Tc) | ||||||||
![]() | SQD50P08-28-T4_GE3 | 0,6985 | ![]() | 7852 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | SQD50 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252AA | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 742-SQD50P08-28-T4_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 80 V | 48A (Tc) | 10V | 28 mOhm bei 12,5 A, 10 V | 3,5 V bei 250 µA | 145 nC bei 10 V | ±20V | 6035 pF bei 25 V | - | 136W (Tc) | ||||||||
![]() | SQJ403EP-T1_GE3 | 1.5700 | ![]() | 819 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 | SQJ403 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SO-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 V | 30A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 8,5 mOhm bei 10 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 109 nC bei 10 V | ±20V | 4500 pF bei 15 V | - | 68W (Tc) | |||||||||
![]() | SI6924AEDQ-T1-GE3 | - | ![]() | 9759 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-TSSOP (0,173", 4,40 mm Breite) | SI6924 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | 8-TSSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (doppelter) gemeinsamer Abfluss | 28V | 4.1A | 33 mOhm bei 4,6 A, 4,5 V | 1,5 V bei 250 µA | 10 nC bei 4,5 V | - | Logikpegel-Gate | ||||||||||
| SUP50020EL-GE3 | 3.0600 | ![]() | 6173 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | SUP50020 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 60 V | 120A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 2,3 mOhm bei 30 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 126 nC bei 10 V | ±20V | 11113 pF bei 30 V | - | 375 W (Tc) | ||||||||||
![]() | SI9936BDY-T1-E3 | - | ![]() | 3861 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SI9936 | MOSFET (Metalloxid) | 1,1 W | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Dual) | 30V | 4,5A | 35 mOhm bei 6 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 13 nC bei 10 V | - | Logikpegel-Gate | ||||||||||
![]() | SIHH120N60E-T1-GE3 | 6.0900 | ![]() | 4280 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerTDFN | SIHH120 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® 8 x 8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 24A (Tc) | 10V | 120 mOhm bei 12 A, 10 V | 5 V bei 250 µA | 44 nC bei 10 V | ±30V | 1600 pF bei 100 V | - | 156 W (Tc) | |||||||||
![]() | SIE726DF-T1-GE3 | - | ![]() | 8611 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | SkyFET®, TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 10-PolarPAK® (L) | SIE726 | MOSFET (Metalloxid) | 10-PolarPAK® (L) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 V | 60A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 2,4 mOhm bei 25 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 160 nC bei 10 V | ±20V | 7400 pF bei 15 V | - | 5,2 W (Ta), 125 W (Tc) | ||||||||
![]() | VQ2001P-2 | - | ![]() | 7358 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | 14-DIP | VQ2001 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 14-DIP | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 4 P-Kanal | 30V | 600mA | 2 Ohm bei 1 A, 12 V | 4,5 V bei 1 mA | - | 150pF bei 15V | - | ||||||||||
![]() | IRLI630GPBF | 2.7800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 Vollpackung, isolierte Registerkarte | IRLI630 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220-3 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | *IRLI630GPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 V | 6,2A (Tc) | 4V, 5V | 400 mOhm bei 3,7 A, 5 V | 2V bei 250µA | 40 nC bei 10 V | ±10V | 1100 pF bei 25 V | - | 35W (Tc) | ||||||||
![]() | 2N6661JAN02 | - | ![]() | 3321 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-205AD, TO-39-3 Metalldose | 2N6661 | MOSFET (Metalloxid) | TO-39 | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | N-Kanal | 90 V | 860mA (Tc) | 5V, 10V | 4 Ohm bei 1 A, 10 V | 2V bei 1mA | ±20V | 50 pF bei 25 V | - | 725 mW (Ta), 6,25 W (Tc) | |||||||||
![]() | SQ2360EES-T1-GE3 | - | ![]() | 4081 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Schnittband (CT) | Veraltet | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2360 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (TO-236) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 V | 4,4A (Tc) | 85 mOhm bei 6 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 12 nC bei 10 V | 370 pF bei 25 V | - | ||||||||||||
![]() | SUM110N03-04P-E3 | - | ![]() | 5275 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | SUMME110 | MOSFET (Metalloxid) | TO-263 (D²Pak) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 30 V | 110A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 4,2 mOhm bei 20 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 60 nC bei 4,5 V | ±20V | 5100 pF bei 25 V | - | 3,75 W (Ta), 120 W (Tc) | ||||||||
| SUP60N10-16L-E3 | - | ![]() | 9230 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | SUP60 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 V | 60A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 16 mOhm bei 30 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 110 nC bei 10 V | ±20V | 3820 pF bei 25 V | - | 150 W (Tc) | |||||||||
![]() | SI6544BDQ-T1-GE3 | - | ![]() | 9899 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-TSSOP (0,173", 4,40 mm Breite) | SI6544 | MOSFET (Metalloxid) | 830 mW | 8-TSSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N- und P-Kanal | 30V | 3,7A, 3,8A | 43 mOhm bei 3,8 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 15 nC bei 10 V | - | Logikpegel-Gate | ||||||||||
![]() | SI2306BDS-T1-GE3 | 0,6000 | ![]() | 6988 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2306 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (TO-236) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 V | 3,16 A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 47 mOhm bei 3,5 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 4,5 nC bei 5 V | ±20V | 305 pF bei 15 V | - | 750 mW (Ta) | ||||||||
![]() | SI7148DP-T1-E3 | 2.4500 | ![]() | 6444 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 | SI7148 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SO-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 75 V | 28A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 11 mOhm bei 15 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 100 nC bei 10 V | ±20V | 2900 pF bei 35 V | - | 5,4 W (Ta), 96 W (Tc) | |||||||||
![]() | IRF540PBF-BE3 | 2.1500 | ![]() | 199 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | IRF540 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | - | 1 (Unbegrenzt) | 742-IRF540PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 V | 28A (Tc) | 10V | 77 mOhm bei 11 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 72 nC bei 10 V | ±20V | 1700 pF bei 25 V | - | 150 W (Tc) | |||||||||
![]() | SIRC16DP-T1-RE3 | 1.3600 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SO-8 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 742-SIRC16DP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 V | 57A (Ta), 60A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 0,96 mOhm bei 15 A, 10 V | 2,4 V bei 250 µA | 105 nC bei 10 V | +20V, -16V | 5150 pF bei 10 V | Schottky-Diode (Körper) | 5 W (Ta), 54,3 W (Tc) | ||||||||||
![]() | SQM50034E_GE3 | 2.4700 | ![]() | 1155 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | SQM50034 | MOSFET (Metalloxid) | TO-263 (D²Pak) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 V | 100A (Tc) | 10V | 3,9 mOhm bei 20 A, 10 V | 3,5 V bei 250 µA | 90 nC bei 10 V | ±20V | 6600 pF bei 25 V | - | 150 W (Tc) |

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