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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4462DY-T1-GE3 | - - - |  | 2403 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4462 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 1.15a (TA) | 6 V, 10V | 480 MOHM @ 1,5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 9 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 1,3W (TA) | |||||
 | SIJA58ADP-T1-GE3 | 0,9800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sija58 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 32,3a (TA), 109a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,65 MOHM @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 61 NC @ 10 V | +20V, -16v | 3030 PF @ 20 V | - - - | 5W (TA), 56,8W (TC) | |||||
 | SQJQ100EL-T1_GE3 | 3.0300 | | 2552 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 | SQJQ100 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 200a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,2 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 220 NC @ 10 V | ± 20 V | 14500 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||||
| SQ4431EY-T1_GE3 | 1.0300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4431 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 10.8a (TC) | 10V | 30mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 1265 PF @ 15 V | - - - | 6W (TC) | |||||
 | IRFU9110 | - - - | | 5198 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU9 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFU9110 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 100 v | 3.1a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 1,9a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 8.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 200 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||
 | SI6433BDQ-T1-E3 | - - - | | 5047 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6433 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 4a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 40mohm @ 4,8a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | ± 8 v | - - - | 1.05W (TA) | |||||
 | SIHFR430ATR-GE3 | 0,4263 | | 2827 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SIHFR430 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHFR430ATR-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 500 V | 5a (TC) | 10V | 1,7ohm @ 3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 30 v | 490 PF @ 25 V. | - - - | 110W (TC) | ||||
 | SI3447BDV-T1-GE3 | - - - | | 5935 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3447 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 4,5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 40mohm @ 6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 14 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.1W (TA) | |||||
 | IRF640Strr | - - - | | 5661 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF640 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 18a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 130 W (TC) | ||||
 | SIHA5N80AE-GE3 | 1.3800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 742-SIHA5N80AE-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 3a (TC) | 10V | 1,35 Ohm @ 1,5a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 16,5 NC @ 10 V. | ± 30 v | 321 PF @ 100 V | - - - | 29W (TC) | |||||
 | SIHS90N65E-GE3 | 20.6200 | | 233 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-274aa | MOSFET (Metalloxid) | Super-247 ™ (to-274aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 742-SIHS90N65E-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 87a (TC) | 10V | 29mohm @ 45a, 10V | 4v @ 250 ähm | 591 NC @ 10 V | ± 30 v | 11826 PF @ 100 V | - - - | 625W (TC) | |||||
 | SIHG068N60EF-GE3 | 6.0600 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG068 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHG068N60EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 41a (TC) | 10V | 68mohm @ 16a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | ± 30 v | 2628 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
 | SIR888DP-T1-GE3 | - - - | | 6224 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir888 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,25 MOHM @ 15a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 16 v | 5065 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 48W (TC) | ||||
 | SIR624DP-T1-GE3 | 1.2000 | | 5356 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir624 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 18,6a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 60MOHM @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 23 NC @ 7,5 V. | ± 20 V | 1110 PF @ 100 V | - - - | 52W (TC) | |||||
 | SI7421DN-T1-E3 | 1.4600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7421 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 6.4a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 25mohm @ 9.8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
| IRFPG30PBF | 3.5400 | | 161 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFPG30 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFPG30PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 1000 v | 3.1a (TC) | 10V | 5ohm @ 1,9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 80 nc @ 10 v | ± 20 V | 980 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||
 | Irfibf30g | - - - | | 4558 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfibf30 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfibf30g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 900 V | 1,9a (TC) | 10V | 3,7OHM @ 1,1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 35W (TC) | |||
| SI4554DY-T1-GE3 | 0,7900 | | 2207 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4554 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W, 3.2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 8a | 24MOHM @ 6.8a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 690PF @ 20V | Logikpegel -tor | |||||||
| SI9433BDY-T1-E3 | 0,8900 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI9433 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 4,5a (TA) | 2,7 V, 4,5 V. | 40mohm @ 6.2a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 14 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1,3W (TA) | ||||||
| SI4774DY-T1-GE3 | 0,3900 | | 65 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | SkyFet®, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4774 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 16a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,3 V @ 1ma | 14,3 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1025 PF @ 15 V | Schottky Diode (Körper) | 5W (TC) | |||||
 | SIHA150N60E-GE3 | 3.6100 | | 9374 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha150 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHA150N60E-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 9a (TC) | 10V | 155mohm @ 10a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 36 NC @ 10 V | ± 30 v | 1514 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | ||||
| SI7120DN-T1-GE3 | - - - | | 1466 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7120 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 6.3a (ta) | 19Mohm @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | - - - | |||||||||
 | SIHA22N60E-GE3 | 3.9000 | | 997 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | El | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 8a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 30 v | 1920 PF @ 100 V | - - - | 35W (TC) | |||||||
 | SI5459DU-T1-GE3 | 0,6100 | | 901 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Single | SI5459 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® Chipfet ™ Single | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 8a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 52mohm @ 6.7a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 12 V | 665 PF @ 10 V. | - - - | 3,5 W (TA), 10,9W (TC) | |||||
 | SIHF6N65E-GE3 | 1.2028 | | 5949 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF6 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 30 v | 820 PF @ 100 V | - - - | 31W (TC) | |||||
| IRFP064PBF | 5.3400 | | 452 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP064 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFP064PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 60 v | 70a (TC) | 10V | 9mohm @ 78a, 10V | 4v @ 250 ähm | 190 nc @ 10 v | ± 20 V | 7400 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | ||||
 | SIHF9540PBF | - - - | | 7246 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Rohr | Aktiv | SIHF9540 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | |||||||||||||||||||||
| SIHB22N60E-GE3 | 4.1200 | | 1632 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB22 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHB22N60EGE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 30 v | 1920 PF @ 100 V | - - - | 227W (TC) | ||||
 | SUP85N10-10P-GE3 | - - - | | 6079 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup85 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 v | 85a (TC) | 10V | 10Mohm @ 20a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 4660 PF @ 50 V | - - - | 3,75W (TA), 227W (TC) | ||||
 | SIE854DF-T1-E3 | - - - | | 4705 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie854 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 60a (TC) | 10V | 14,2mohm @ 13,2a, 10V | 4,4 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 20 V | 3100 PF @ 50 V | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
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