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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7356ADP-T1-E3 | - - - |  | 7151 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7356 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 145 NC @ 10 V. | ± 20 V | 6215 PF @ 15 V | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | ||||
 | SIHG24N65EF-GE3 | 6.2600 | | 1279 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG24 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 156mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 122 NC @ 10 V | ± 30 v | 2774 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
 | SI5414DC-T1-GE3 | - - - | | 9131 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5414 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 6a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 17mohm @ 9.9a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 12 V | 1500 PF @ 10 V. | - - - | 2,5 W (TA), 6,3 W (TC) | ||||
 | SQM120P06-07L_GE3 | 3.6400 | | 2557 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM120 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 60 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6.7mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 270 nc @ 10 v | ± 20 V | 14280 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | |||||
 | Sizf906DT-T1-GE3 | 1.6700 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Sizf906 | MOSFET (Metalloxid) | 38W (TC), 83W (TC) | 8-Powerpair® (6x5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 60a (TC) | 3,8 MOHM @ 15a, 10 V, 1,17 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,2 V @ 250 ähm | 22nc @ 4,5V, 92nc @ 4,5 V. | 2000pf @ 15V, 8200PF @ 15V | - - - | |||||||
| SIR403EDP-T1-GE3 | 0,9000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir403 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,5 MOHM @ 13A, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 153 NC @ 10 V | ± 25 V | 4620 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 56,8W (TC) | |||||
 | SI7904DN-T1-E3 | - - - | | 5923 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7904 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 5.3a | 30mohm @ 7.7a, 4,5 V. | 1V @ 935 µA | 15nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI5944DU-T1-GE3 | - - - | | 5386 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Dual | SI5944 | MOSFET (Metalloxid) | 10W | Powerpak® Chipfet Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 6a | 112mohm @ 3,3a, 10 V | 3v @ 250 ähm | 6.6nc @ 10v | 210pf @ 20V | Logikpegel -tor | ||||||
| SI7880ADP-T1-GE3 | 2.0808 | | 4171 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7880 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 125 NC @ 10 V | ± 20 V | 5600 PF @ 15 V | - - - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
| SI5511DC-T1-E3 | - - - | | 9656 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5511 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W, 2.6W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 4a, 3,6a | 55mohm @ 4,8a, 4,5 V. | 2v @ 250 ähm | 7.1nc @ 5v | 435PF @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI2309CDS-T1-BE3 | 0,5500 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 1,2a (TA), 1,6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 345MOHM @ 1,25A, 10V | 3v @ 250 ähm | 4.1 NC @ 4.5 V. | ± 20 V | 210 PF @ 30 V | - - - | 1W (TA), 1,7W (TC) | |||||||
 | SQ2315ES-T1_GE3 | 0,6000 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2315 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 5a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 50 MOHM @ 3,5A, 10V | 1V @ 250 ähm | 13 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 870 PF @ 4 V. | - - - | 2W (TC) | |||||
| SI7925DN-T1-GE3 | - - - | | 8830 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 Dual | SI7925 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | Powerpak® 1212-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 4.8a | 42mohm @ 6,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 12nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI7806ADN-T1-GE3 | 0,6174 | | 4247 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7806 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 11Mohm @ 14a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20 NC @ 5 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | SI3812DV-T1-GE3 | - - - | | 4771 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3812 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 2a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 125mohm @ 2,4a, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 4 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | Schottky Diode (Isolier) | 830 MW (TA) | |||||
 | IRF840A | - - - | | 1316 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF840 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irf840a | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850MOHM @ 4.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 30 v | 1018 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||
 | IRFU214 | - - - | | 6693 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Irfu2 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFU214 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 250 V | 2.2a (TC) | 10V | 2OHM @ 1,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||
 | IRFR024TRLPBF | 1.6800 | | 9041 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR024 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 14a (TC) | 10V | 100MOHM @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 640 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
 | SIHA25N60EFL-E3 | 2.4990 | | 8882 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha25 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 25a (TC) | 10V | 146mohm @ 12.5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 30 v | 2274 PF @ 100 V | - - - | 39W (TC) | |||||
 | IRFS9N60ATRLPBF | 3.6100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFS9 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 9.2a (TC) | 10V | 750MOHM @ 5.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 49 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 170W (TC) | |||||
 | SIR450DP-T1-RE3 | 1.5600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 45 V | 36a (ta), 113a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,8 MOHM @ 10a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 114 NC @ 10 V | +20V, -16v | 5920 PF @ 20 V | - - - | 4,8W (TA), 48W (TC) | ||||||
| SI2305ADS-T1-E3 | - - - | | 8948 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2305 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 5.4a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 40mohm @ 4,1a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | ± 8 v | 740 PF @ 4 V. | - - - | 960 MW (TA), 1,7W (TC) | ||||
| SI3442CDV-T1-GE3 | - - - | | 6589 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3442 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 8a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 27mohm @ 6.5a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 12 V | 335 PF @ 10 V. | - - - | 1,7W (TA), 2,7W (TC) | |||||
| SI7478DP-T1-E3 | 2.8500 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7478 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 15a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
 | SIHP180N60E-GE3 | 3.2500 | | 3536 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP180 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 19A (TC) | 10V | 180MOHM @ 9.5A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1085 PF @ 100 V | - - - | 156W (TC) | |||||
| SI2307CDS-T1-E3 | 0,5400 | | 32 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2307 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 88mohm @ 3,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 6,2 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 340 PF @ 15 V | - - - | 1,1W (TA), 1,8W (TC) | ||||
| SI2365EDS-T1-BE3 | 0,4000 | | 3627 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SI2365EDS-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4,5a (TA), 5,9a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 32mohm @ 4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 36 NC @ 8 V | ± 8 v | - - - | 1W (TA), 1,7W (TC) | |||||||
 | SI6933DQ-T1-GE3 | - - - | | 7142 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6933 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | - - - | 45mohm @ 3,5a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 30nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI7856ADP-T1-E3 | - - - | | 6892 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7856 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 15a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 3,7 MOHM @ 25a, 10V | 3v @ 250 ähm | 55 NC @ 4,5 V | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||
| SI6443DQ-T1-E3 | - - - | | 4402 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | SI6443 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 7.3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 8.8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 60 NC @ 5 V | ± 20 V | - - - | 1.05W (TA) |
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