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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI5402DC-T1-GE3 | - - - |  | 7014 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5402 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4,9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 35mohm @ 4,9a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,3W (TA) | |||||
 | SI7485DP-T1-E3 | - - - | | 9839 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7485 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 12,5a (TA) | 7,3 MOHM @ 20A, 4,5 V. | 900 MV @ 1ma | 150 NC @ 5 V | - - - | |||||||||
 | IRF840HPBF | 1.5800 | | 2304 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRF840HPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 7.3a (TC) | 10V | 850MOHM @ 4.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1059 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||||
 | SQM40016EM_GE3 | 3.0900 | | 8666 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) | SQM40016 | MOSFET (Metalloxid) | To-263-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 250a (TC) | 10V | 1mohm @ 40a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 245 NC @ 10 V | ± 20 V | 15000 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | |||||
 | Siz728dt-T1-GE3 | - - - | | 4950 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerpair ™ | Siz728 | MOSFET (Metalloxid) | 27W, 48W | 6-Powerpair ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 25 v | 16a, 35a | 7,7 MOHM @ 18A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 26nc @ 10v | 890PF @ 12.5V | Logikpegel -tor | |||||||
 | SIHB22N60ET5-GE3 | 2.5796 | | 9425 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB22 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 30 v | 1920 PF @ 100 V | - - - | 227W (TC) | ||||||
 | SIA433edj-t1-GE3 | 0,7100 | | 9587 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA433 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 12a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 18Mohm @ 7,6a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 75 NC @ 8 V | ± 12 V | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | ||||||
 | SQ2319ES-T1-GE3 | - - - | | 3302 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2319 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 4.6a (TC) | 75mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | 620 PF @ 25 V. | - - - | ||||||||
| SI7145DP-T1-GE3 | 2.2900 | | 53 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7145 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,6 MOHM @ 25a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 413 NC @ 10 V. | ± 20 V | 15660 PF @ 15 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SQJ402EP-T1_GE3 | 1.5900 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ402 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 32a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 51 NC @ 10 V | ± 20 V | 2289 PF @ 40 V. | - - - | 83W (TC) | |||||
 | SIHFL9110TR-GE3 | 0,6000 | | 2077 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | SIHFL9110 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 100 v | 1.1a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 660 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 200 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||||
 | SUM75N15-18P-E3 | - - - | | 8160 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Sum75 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 150 v | 75a (TC) | 10V | 18MOHM @ 20A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 4180 PF @ 75 V | - - - | 3.12W (TA), 312,5W (TC) | ||||
 | VQ1004P-2 | - - - | | 6690 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | - - - | - - - | VQ1004 | - - - | - - - | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | - - - | - - - | 5v, 10V | - - - | - - - | ± 20 V | - - - | - - - | |||||||
 | SQ7414aenw-t1_GE3 | - - - | | 3575 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SQ7414 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 23mohm @ 8.7a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 1590 PF @ 30 V | - - - | 62W (TC) | ||||||
 | SIHP21N65EF-GE3 | 4.6600 | | 3994 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP21 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 21a (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4v @ 250 ähm | 106 NC @ 10 V | ± 20 V | 2322 PF @ 100 V | - - - | 208W (TC) | |||||
 | SISA72ADN-T1-GE3 | 0,7700 | | 4070 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | Sisa72 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 25,4a (TA), 94a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,25 MOHM @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | +20V, -16v | 2530 PF @ 20 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SQ3426ev-T1_GE3 | 0,7700 | | 498 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3426 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 7a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 42mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 720 PF @ 30 V | - - - | 5W (TC) | ||||
| IRF9Z14strr | - - - | | 7722 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9Z14 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 60 v | 6.7a (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | IRFD113PBF | 2.1700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD113 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-Kanal | 60 v | 800 Ma (TC) | 10V | 800mohm @ 800 mA, 10 V | 4v @ 250 ähm | 7 NC @ 10 V | ± 20 V | 200 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TC) | |||||
| IRF9540Strl | - - - | | 7576 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9540 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 100 v | 19A (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 61 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
 | TP0610KL-TR1-E3 | - - - | | 7685 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | TP0610 | MOSFET (Metalloxid) | To-226aa (bis 92) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | P-Kanal | 60 v | 270 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 6OHM @ 500 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 3 NC @ 15 V | ± 20 V | - - - | 800 MW (TA) | |||||
| IRL520strr | - - - | | 1731 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRL520 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 9.2a (TC) | 4V, 5V | 270 MOHM @ 5,5a, 5V | 2v @ 250 ähm | 12 NC @ 5 V | ± 10 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 60 W (TC) | |||||
 | SI4904DY-T1-GE3 | 2.2300 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4904 | MOSFET (Metalloxid) | 3.25W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 8a | 16mohm @ 5a, 10V | 2v @ 250 ähm | 85nc @ 10v | 2390PF @ 20V | - - - | |||||||
| IRFZ30PBF | - - - | | 3560 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFZ30 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFZ30PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 50 v | 30a (TC) | 10V | 50mohm @ 16a, 10V | 4v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | |||
| SQM85N15-19_GE3 | 3.6400 | | 2289 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM85 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 150 v | 85a (TC) | 10V | 19Mohm @ 30a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 6285 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | |||||
 | SI7842DP-T1-GE3 | - - - | | 7603 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SI7842 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 6.3a | 22mohm @ 7,5a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 20nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI4114DY-T1-E3 | 1.7000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4114 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 20 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 10a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 16 v | 3700 PF @ 10 V. | - - - | 2,5 W (TA), 5,7W (TC) | |||||
| SI7478DP-T1-GE3 | 2.8700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7478 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 15a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
 | SI2315BDS-T1-BE3 | 0,5400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 3a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 50 MOHM @ 3,85a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | ± 8 v | 715 PF @ 6 V | - - - | 750 MW (TA) | |||||||
 | SQJ952EP-T1_GE3 | 1.4600 | | 4707 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ952 | MOSFET (Metalloxid) | 25W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 23a (TC) | 20mohm @ 10.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30nc @ 10v | 1800pf @ 30v | - - - |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
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