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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHFR420A-GE3 | 0,3624 |  | 9283 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SIHFR420 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHFR420A-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 500 V | 3.3a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 30 v | 3400 PF @ 25 V. | - - - | 83W (TC) | ||||
 | IRFR210TRRPBF | 0,5880 | | 8328 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR210 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 2.6a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
 | IRFR220TRPBF-BE3 | 0,6674 | | 3024 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR220 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 742-IRFR220TRPBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 200 v | 4.8a (TC) | 10V | 800MOHM @ 2,9a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||||
| Irfr310TRL | - - - | | 5428 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Irfr310 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 400 V | 1.7a (TC) | 10V | 3,6OHM @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||||
 | SI1403BDL-T1-GE3 | 0,5200 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1403 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 1,5a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 150 MOHM @ 1,5A, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 4,5 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 625 MW (TA) | |||||
| IRFR014TRLPBF | 1.5900 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR014 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 7.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 300 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||
 | SIHB11N80AE-GE3 | 2.1800 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIHB11 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHB11N80AE-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 8a (TC) | 10V | 450MOHM @ 5.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 30 v | 804 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | ||||
 | SI4862DY-T1-E3 | 1.6758 | | 6470 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4862 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 16 v | 17a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 3,3 MOHM @ 25A, 4,5 V. | 600 MV @ 250 UA (min) | 70 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1.6W (TA) | ||||||
 | SIR873DP-T1-GE3 | 1.6300 | | 9322 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir873 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 150 v | 37a (TC) | 10V | 47,5 MOHM @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 20 V | 1805 PF @ 75 V | - - - | 104W (TC) | |||||
 | SI5433BDC-T1-E3 | - - - | | 5969 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5433 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4.8a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 37mohm @ 4,8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 22 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,3W (TA) | |||||
 | SI3424BDV-T1-E3 | - - - | | 4865 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3424 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 28mohm @ 7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 19,6 NC @ 10 V. | ± 20 V | 735 PF @ 15 V | - - - | 2,1W (TA), 2,98W (TC) | ||||
 | SQS160LNW-T1_GE3 | 1.0400 | | 5954 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | Powerpak® 1212-8slw | SQS160 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8slw | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 141a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.3mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 71 NC @ 10 V | ± 20 V | 3866 PF @ 25 V. | - - - | 113W (TC) | |||||
 | SIUD406ED-T1-GE3 | 0,4500 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 0806 | SIUD406 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 0806 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 500 mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 1,46OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | 0,6 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 17 PF @ 15 V | - - - | 1,25W (TA) | |||||
 | SQD40061EL-T4_GE3 | 2.3400 | | 3303 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQD40061EL-T4_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.1MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 280 nc @ 10 v | ± 20 V | 14500 PF @ 25 V. | - - - | 107W (TC) | ||||||
 | IRFB17N50L | - - - | | 7460 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFB17 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 16a (TC) | 10V | 320mohm @ 9.9a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 30 v | 2760 PF @ 25 V. | - - - | 220W (TC) | ||||
 | IRFL210TR | - - - | | 8811 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Irfl210 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 960 Ma (TC) | 10V | 1,5OHM @ 580 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | ||||
 | Irfiz14gpbf | 1.6400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfiz14 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *Irfiz14gpbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 8a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 300 PF @ 25 V. | - - - | 27W (TC) | ||||
| SI4214DDY-T1-E3 | 0,9600 | | 4356 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4214 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8.5a | 19,5 MOHM @ 8A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 22nc @ 10v | 660PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
| SI5905DC-T1-GE3 | - - - | | 7957 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5905 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 8v | 3a | 90 MOHM @ 3a, 4,5 V. | 450 MV @ 250 um (min) | 9nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SIHF10N40D-E3 | 1.7000 | | 638 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF10 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SIHF10N40DE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 600mohm @ 5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 30 v | 526 PF @ 100 V | - - - | 33W (TC) | ||||
 | SQD19P06-60L_T4GE3 | 1.6500 | | 204 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD19 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 60 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 55mohm @ 19a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 1490 PF @ 25 V. | - - - | 46W (TC) | ||||||
| SIR800ADP-T1-RE3 | 0,9300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir800 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 50,2a (TA), 177a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 1,35 MOHM @ 10a, 10 V | 1,5 V @ 250 ähm | 53 NC @ 10 V | +12 V, -8 V | 3415 PF @ 10 V. | - - - | 5W (TA), 62,5W (TC) | |||||
| SI3483DV-T1-GE3 | - - - | | 9139 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3483 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4.7a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 35mohm @ 6.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) | |||||
| IRFIBC40GLC | - - - | | 3335 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfibc40 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFIBC40GLC | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 3,5a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2,1A, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | |||
| IRF610PBF | 0,9300 | | 28 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf610 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRF610PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 3.3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 36W (TC) | ||||
| SI4559ADY-T1-GE3 | 1.5800 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4559 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W, 3.4W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 60 v | 5.3a, 3,9a | 58mohm @ 4,3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 665PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||
| SI7368DP-T1-GE3 | - - - | | 8238 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7368 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 13a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 5.5MOHM @ 20A, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 25 NC @ 4,5 V. | ± 16 v | - - - | 1.7W (TA) | |||||
 | SIHG73N60E-E3 | 8.7392 | | 1696 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SIHG73 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 73a (TC) | 10V | 39mohm @ 36a, 10V | 4v @ 250 ähm | 362 NC @ 10 V | ± 30 v | 7700 PF @ 100 V | - - - | 520W (TC) | |||||
 | SIJA54DP-T1-GE3 | 1.1100 | | 3271 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sija54 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,35 MOHM @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 104 NC @ 10 V | +20V, -16v | 5300 PF @ 20 V | - - - | 36.7W (TC) | |||||
 | SI7100DN-T1-GE3 | - - - | | 2915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7100 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 8 v | 35a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 3,5 MOHM @ 15a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 105 NC @ 8 V | ± 8 v | 3810 PF @ 4 V. | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) |
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