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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7888DP-T1-GE3 | - - - |  | 2937 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7888 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 9,4a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 12.4a, 10V | 2v @ 250 ähm | 10.5 NC @ 5 V. | ± 12 V | - - - | 1,8W (TA) | |||||
 | SQM200N04-1M8_GE3 | 1.8981 | | 1150 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) | SQM200 | MOSFET (Metalloxid) | To-263-7 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 200a (TC) | 10V | 1,8 MOHM @ 30a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 310 nc @ 10 v | ± 20 V | 17350 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | ||||||
 | SI4812BDY-T1-E3 | - - - | | 7036 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4812 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 7.3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 16mohm @ 9.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 13 NC @ 5 V | ± 20 V | - - - | 1.4W (TA) | ||||||
 | IRFBC30AStrrpBF | - - - | | 4896 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC30 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10 V. | 4,5 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 30 v | 510 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | ||||
 | SIHFL9014TR-GE3 | 0,7900 | | 3708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | SIHFL9014 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 60 v | 1,8a (TC) | 10V | 500mohm @ 1,1a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||||
| SI4942DY-T1-E3 | - - - | | 3872 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4942 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 5.3a | 21mohm @ 7.4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 32nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SI4908DY-T1-E3 | - - - | | 7320 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4908 | MOSFET (Metalloxid) | 2.75W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 5a | 60MOHM @ 4.1a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 12nc @ 10v | 355PF @ 20V | - - - | ||||||
| SI7450DP-T1-E3 | 2.9000 | | 475 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7450 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 3.2a (ta) | 6 V, 10V | 80Mohm @ 4a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
| SI4435DDY-T1-E3 | 0,7500 | | 6676 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4435 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 11.4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 24MOHM @ 9.1a, 10V | 3v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 1350 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5W (TC) | |||||
 | SI3434DV-T1-GE3 | - - - | | 6851 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3434 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 34mohm @ 6.1a, 4,5 V. | 600mV @ 1ma (min) | 12 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1.14W (TA) | |||||
 | IRFP244 | - - - | | 5470 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP244 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP244 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 250 V | 15a (TC) | 10V | 280MOHM @ 9A, 10V | 4v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||
 | Irf830a | - - - | | 2643 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf830 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | *Irf830a | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 5a (TC) | 10V | 1,4ohm @ 3a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 30 v | 620 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | ||||
| SIR872DP-T1-GE3 | 2.8600 | | 6287 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir872 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 53,7a (TC) | 10V | 18MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 64 NC @ 10 V | ± 20 V | 2130 PF @ 75 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SI7615DN-T1-GE3 | 1.6300 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7615 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 35a (TC) | 6 V, 10V | 3,9 MOHM @ 20A, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 183 NC @ 10 V. | ± 12 V | 6000 PF @ 10 V. | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SIHFBC40AS-GE3 | 1.7700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHFBC40AS-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 3,7A, 10 V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1036 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||||
 | SQJA88EP-T1_GE3 | 0,9600 | | 3630 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja88 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 1800 PF @ 25 V. | - - - | 48W (TC) | |||||
 | IRFR120TRPBF | 1.5800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 7.7a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 4,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||
| Irfz34strr | - - - | | 7393 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irfz34 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 30a (TC) | 10V | 50mohm @ 18a, 10V | 4v @ 250 ähm | 46 NC @ 10 V | ± 20 V | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||
| SI7682DP-T1-GE3 | - - - | | 6851 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7682 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1595 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 27,5 W (TC) | ||||
| SI7370DP-T1-E3 | 2.4500 | | 62 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7370 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 9,6a (TA) | 6 V, 10V | 11Mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 57 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
 | SUD25N15-52-E3 | 2.5100 | | 93 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud25 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 150 v | 25a (TC) | 6 V, 10V | 52mohm @ 5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1725 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
 | SI2303BDS-T1-GE3 | - - - | | 9005 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2303 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 1.49a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 200mohm @ 1,7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 180 PF @ 15 V | - - - | 700 MW (TA) | ||||
| SQ3427EV-T1_BE3 | 0,6900 | | 5932 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SQ3427 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-sq3427ev-t1_be3tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 5.3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 95mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1000 PF @ 30 V | - - - | 5W (TC) | |||||
| SI4892DY-T1-GE3 | - - - | | 5443 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4892 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 8.8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 12.4a, 10V | 800 MV @ 250 um (min) | 10.5 NC @ 5 V. | ± 20 V | - - - | 1.6W (TA) | |||||
| SI4620DY-T1-GE3 | - - - | | 7058 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4620 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 6a (ta), 7,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 35mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 1040 PF @ 15 V | Schottky Diode (Isolier) | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||||
 | IRFU9210PBF | 1.6700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU9210 | MOSFET (Metalloxid) | To-251aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFU9210PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 200 v | 1,9a (TC) | 10V | 3OHM @ 1.1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 8,9 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||||
| SI7738DP-T1-E3 | 3.1700 | | 8509 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7738 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 30a (TC) | 10V | 38mohm @ 7.7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 53 NC @ 10 V | ± 20 V | 2100 PF @ 75 V | - - - | 5.4W (TA), 96W (TC) | |||||
 | SI4946CDY-T1-GE3 | 0,9600 | | 9283 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4946 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA), 2,8 W (TC) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 5.2a (TA), 6.1a (TC) | 40,9mohm @ 5.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10nc @ 10v | 350pf @ 30v | - - - | |||||||
| SI2351D-T1-E3 | - - - | | 3221 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2351 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2.8a (TC) | 115mohm @ 2,4a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 5.1 NC @ 5 V | 250 PF @ 10 V | - - - | ||||||||
 | SI5475DC-T1-GE3 | - - - | | 3540 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5475 | MOSFET (Metalloxid) | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 5.5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 31mohm @ 5,5a, 4,5 V. | 450 mV @ 1ma (min) | 29 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | - - - | 1,3W (TA) |
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