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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Leistung – max | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Konfiguration | FET-Typ | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIA929DJ-T1-GE3 | 0,6400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SC-70-6 Dual | SIA929 | MOSFET (Metalloxid) | 7,8 W | PowerPAK® SC-70-6 Dual | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 P-Kanal (Dual) | 30V | 4,5 A (Tc) | 64 mOhm bei 3 A, 10 V | 1,1 V bei 250 µA | 21 nC bei 10 V | 575pF bei 15V | Logikpegel-Gate | |||||||
![]() | SQP60N06-15_GE3 | - | ![]() | 6801 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, TrenchFET® | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | SQP60 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 V | 56A (Tc) | 10V | 15 mOhm bei 30 A, 10 V | 3,5 V bei 250 µA | 50 nC bei 10 V | ±20V | 2480 pF bei 25 V | - | 107W (Tc) | ||||||
![]() | SUM110P08-11L-E3 | 4.6500 | ![]() | 9813 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | SUMME110 | MOSFET (Metalloxid) | TO-263 (D²Pak) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 80 V | 110A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 11,2 mOhm bei 20 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 270 nC bei 10 V | ±20V | 10850 pF bei 40 V | - | 13,6 W (Ta), 375 W (Tc) | ||||
| SQP100N04-3M6_GE3 | - | ![]() | 7171 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, TrenchFET® | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | SQP100 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 V | 100A (Tc) | 10V | 3,6 mOhm bei 30 A, 10 V | 3,5 V bei 250 µA | 135 nC bei 10 V | ±20V | 7200 pF bei 25 V | - | 120 W (Tc) | |||||||
![]() | IRFR214TRPBF | 1.4500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | IRFR214 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 250 V | 2,2A (Tc) | 10V | 2 Ohm bei 1,3 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 8,2 nC bei 10 V | ±20V | 140 pF bei 25 V | - | 2,5 W (Ta), 25 W (Tc) | |||||
![]() | SI4226DY-T1-GE3 | - | ![]() | 4490 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SI4226 | MOSFET (Metalloxid) | 3,2 W | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Dual) | 25V | 8A | 19,5 mOhm bei 7 A, 4,5 V | 2V bei 250µA | 36 nC bei 10 V | 1255pF bei 15V | - | ||||||
![]() | IRFU9310PBF | 1.5800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA | IRFU9310 | MOSFET (Metalloxid) | TO-251AA | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | *IRFU9310PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 400 V | 1,8 A (Tc) | 10V | 7 Ohm bei 1,1 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 13 nC bei 10 V | ±20V | 270 pF bei 25 V | - | 50 W (Tc) | ||||
![]() | SI1021R-T1-E3 | - | ![]() | 3279 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-75, SOT-416 | SI1021 | MOSFET (Metalloxid) | SC-75A | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 V | 190mA (Ta) | 4,5 V, 10 V | 4 Ohm bei 500 mA, 10 V | 3 V bei 250 µA | 1,7 nC bei 15 V | ±20V | 23 pF bei 25 V | - | 250 mW (Ta) | ||||
![]() | SIZ918DT-T1-GE3 | 1.7200 | ![]() | 24 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerWDFN | SIZ918 | MOSFET (Metalloxid) | 29W, 100W | 8-PowerPair® (6x5) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Halbbrücke) | 30V | 16A, 28A | 12 mOhm bei 13,8 A, 10 V | 2,2 V bei 250 µA | 21 nC bei 10 V | 790pF bei 15V | Logikpegel-Gate | |||||||
![]() | SI3879DV-T1-GE3 | - | ![]() | 2837 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | LITTLE FOOT® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6 | SI3879 | MOSFET (Metalloxid) | 6-TSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 V | 5A (Tc) | 2,5 V, 4,5 V | 70 mOhm bei 3,5 A, 4,5 V | 1,5 V bei 250 µA | 14,5 nC bei 10 V | ±12V | 480 pF bei 10 V | - | 2W (Ta), 3,3W (Tc) | ||||
![]() | IRFD9123 | - | ![]() | 9032 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Veraltet | - | Durchgangsloch | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | IRFD9123 | MOSFET (Metalloxid) | 4-HVMDIP | - | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 100 V | 1A (Ta) | 600 mOhm bei 600 mA, 10 V | 4 V bei 250 µA | 18 nC bei 10 V | 390 pF bei 25 V | - | - | |||||||
![]() | SI7911DN-T1-GE3 | - | ![]() | 5080 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® 1212-8 Dual | SI7911 | MOSFET (Metalloxid) | 1,3 W | PowerPAK® 1212-8 Dual | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 P-Kanal (Dual) | 20V | 4,2A | 51 mOhm bei 5,7 A, 4,5 V | 1 V bei 250 µA | 15 nC bei 4,5 V | - | Logikpegel-Gate | ||||||
![]() | SI4860DY-T1-GE3 | - | ![]() | 6131 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SI4860 | MOSFET (Metalloxid) | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 V | 11A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 8 mOhm bei 16 A, 10 V | 1 V bei 250 µA (min.) | 18 nC bei 4,5 V | ±20V | - | 1,6 W (Ta) | |||||
![]() | SISS10ADN-T1-GE3 | 0,9600 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® 1212-8S | SISS10 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® 1212-8S | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 V | 31,7 A (Ta), 109 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 2,65 mOhm bei 15 A, 10 V | 2,4 V bei 250 µA | 61 nC bei 10 V | +20V, -16V | 3030 pF bei 20 V | - | 4,8 W (Ta), 56,8 W (Tc) | |||||
![]() | SQJQ184E-T1_GE3 | 3.5500 | ![]() | 3708 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® 8 x 8 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® 8 x 8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 80 V | 430A (Tc) | 10V | 1,4 mOhm bei 20 A, 10 V | 3,5 V bei 250 µA | 272 nC bei 10 V | ±20V | 16010 pF bei 25 V | - | 600 W (Tc) | ||||||
![]() | SI1033X-T1-E3 | - | ![]() | 6318 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOT-563, SOT-666 | SI1033 | MOSFET (Metalloxid) | 250 mW | SC-89 (SOT-563F) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 P-Kanal (Dual) | 20V | 145mA | 8 Ohm bei 150 mA, 4,5 V | 1,2 V bei 250 µA | 1,5 nC bei 4,5 V | - | Logikpegel-Gate | ||||||
![]() | SI4620DY-T1-E3 | - | ![]() | 9669 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | LITTLE FOOT® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SI4620 | MOSFET (Metalloxid) | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 V | 6A (Ta), 7,5A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 35 mOhm bei 6 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 13 nC bei 10 V | ±20V | 1040 pF bei 15 V | Schottky-Diode (isoliert) | 2 W (Ta), 3,1 W (Tc) | |||||
![]() | SI4831BDY-T1-E3 | - | ![]() | 7710 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | LITTLE FOOT® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SI4831 | MOSFET (Metalloxid) | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 V | 6,6 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 42 mOhm bei 5 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 26 nC bei 10 V | ±20V | 625 pF bei 15 V | Schottky-Diode (isoliert) | 2W (Ta), 3,3W (Tc) | ||||
![]() | SIHD6N80AE-GE3 | 1.3200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | SIHD6 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252AA | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 800 V | 5A (Tc) | 10V | 950 mOhm bei 2 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 22,5 nC bei 10 V | ±30V | 422 pF bei 100 V | - | 62,5 W (Tc) | |||||
![]() | IRL510SPBF | 0,7072 | ![]() | 4109 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | IRL510 | MOSFET (Metalloxid) | D²PAK (TO-263) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 V | 5,6 A (Tc) | 4V, 5V | 540 mOhm bei 3,4 A, 5 V | 2V bei 250µA | 6,1 nC bei 5 V | ±10V | 250 pF bei 25 V | - | 3,7 W (Ta), 43 W (Tc) | |||||
![]() | SIR124DP-T1-RE3 | 1.0700 | ![]() | 38 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® SO-8 | SIR124 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® SO-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 V | 16,1 A (Ta), 56,8 A (Tc) | 7,5 V, 10 V | 8,4 mOhm bei 10 A, 10 V | 3,8 V bei 250 µA | 40 nC bei 10 V | ±20V | 1666 pF bei 40 V | - | 5 W (Ta), 62,5 W (Tc) | |||||
![]() | SI7308DN-T1-GE3 | 1.1800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® 1212-8 | SI7308 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® 1212-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 V | 6A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 58 mOhm bei 5,4 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 20 nC bei 10 V | ±20V | 665 pF bei 15 V | - | 3,2 W (Ta), 19,8 W (Tc) | |||||
![]() | SI1304BDL-T1-E3 | - | ![]() | 3486 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-70, SOT-323 | SI1304 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 V | 900mA (Tc) | 2,5 V, 4,5 V | 270 mOhm bei 900 mA, 4,5 V | 1,3 V bei 250 µA | 2,7 nC bei 4,5 V | ±12V | 100 pF bei 15 V | - | 340 mW (Ta), 370 mW (Tc) | ||||
![]() | SQ3427AEEV-T1_BE3 | 0,7800 | ![]() | 812 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6 | SQ3427 | MOSFET (Metalloxid) | 6-TSOP | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 V | 5,3A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 95 mOhm bei 4,5 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 22 nC bei 10 V | ±20V | 1000 pF bei 30 V | - | 5W (Tc) | ||||||
![]() | SISS02DN-T1-GE3 | 1.5200 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® 1212-8S | SISS02 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® 1212-8S | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 V | 51A (Ta), 80A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 1,2 mOhm bei 15 A, 10 V | 2,2 V bei 250 µA | 83 nC bei 10 V | +16V, -12V | 4450 pF bei 10 V | - | 5 W (Ta), 65,7 W (Tc) | |||||
![]() | SI3429EDV-T1-GE3 | 0,4700 | ![]() | 2398 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6 | SI3429 | MOSFET (Metalloxid) | 6-TSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 V | 8A (Ta), 8A (Tc) | 1,8 V, 4,5 V | 21 mOhm bei 4 A, 4,5 V | 1 V bei 250 µA | 118 nC bei 10 V | ±8V | 4085 pF bei 50 V | - | 4,2 W (Tc) | |||||
![]() | SQD15N06-42L_GE3 | 1.0300 | ![]() | 830 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | SQD15 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252AA | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 V | 15A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 42 mOhm bei 10 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 15 nC bei 10 V | ±20V | 535 pF bei 25 V | - | 37W (Tc) | |||||
![]() | IRF710PBF-BE3 | 1.1100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | IRF710 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 742-IRF710PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 2A (Tc) | 3,6 Ohm bei 1,2 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 17 nC bei 10 V | ±20V | 170 pF bei 25 V | - | 36W (Tc) | ||||||
![]() | SI7818DN-T1-GE3 | 1.6600 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | PowerPAK® 1212-8 | SI7818 | MOSFET (Metalloxid) | PowerPAK® 1212-8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 V | 2,2A (Ta) | 6V, 10V | 135 mOhm bei 3,4 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 30 nC bei 10 V | ±20V | - | 1,5 W (Ta) | ||||||
![]() | SIHP085N60EF-GE3 | 5.9900 | ![]() | 4348 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | EF | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | SIHP085 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 742-SIHP085N60EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 34A (Tc) | 10V | 84 mOhm bei 17 A, 10 V | 5 V bei 250 µA | 63 nC bei 10 V | ±30V | 2733 pF bei 100 V | - | 184W (Tc) |

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