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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4455DY-T1-GE3 | 1.6500 |  | 4414 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4455 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 150 v | 2a (ta) | 6 V, 10V | 295Mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1190 PF @ 50 V | - - - | 5.9W (TC) | |||||
 | SI3443BDV-T1-GE3 | 0,2588 | | 4809 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3443 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 60mohm @ 4,7a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 9 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1.1W (TA) | ||||||
| SI4948BEY-T1-E3 | 1.3200 | | 289 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4948 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 60 v | 2.4a | 120 MOHM @ 3.1a, 10 V | 3v @ 250 ähm | 22nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
 | SI3499DV-T1-BE3 | 1.0000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SI3499DV-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 5.3a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 23mohm @ 7a, 4,5 V. | 750 MV @ 250 ähm | 42 NC @ 4,5 V. | ± 5 V | - - - | 1.1W (TA) | |||||||
 | Irlz34strr | - - - | | 6475 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRLZ34 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 30a (TC) | 4V, 5V | 50mohm @ 18a, 5V | 2v @ 250 ähm | 35 NC @ 5 V. | ± 10 V | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
 | SISS76LDN-T1-GE3 | 1.3300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8sh | SISS76 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SISS76LDN-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 70 V | 19,6a (TA), 67,4a (TC) | 3,3 V, 4,5 V. | 6,25 MOHM @ 10A, 4,5 V. | 1,6 V @ 250 ähm | 33,5 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 2780 PF @ 35 V | - - - | 4,8W (TA), 57W (TC) | ||||
 | SI8445DB-T2-E1 | - - - | | 8227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8445 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 9,8a (TC) | 1,2 V, 4,5 V. | 84mohm @ 1a, 4,5 V. | 850 MV @ 250 ähm | 16 NC @ 5 V | ± 5 V | 700 PF @ 10 V. | - - - | 1,8W (TA), 11,4 W (TC) | ||||
 | IRFR020PBF | - - - | | 6937 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR020 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 14a (TC) | 10V | 100MOHM @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 640 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
 | SI7601DN-T1-E3 | - - - | | 1203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7601 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 16a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 19,2mohm @ 11a, 4,5 V. | 1,6 V @ 250 ähm | 27 NC @ 5 V | ± 12 V | 1870 PF @ 10 V. | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | ||||
 | SIHA180N60E-GE3 | 1.7331 | | 1923 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Siha180 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 19A (TC) | 10V | 180MOHM @ 9.5A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1085 PF @ 100 V | - - - | 33W (TC) | |||||
 | SIHK125N60EF-T1GE3 | 5.4900 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Powerbsfn | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak®10 x 12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 125mohm @ 12a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 30 v | 1863 PF @ 100 V | - - - | 132W (TC) | ||||||
| SI4436DY-T1-GE3 | 0,9400 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4436 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 36mohm @ 4.6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 1100 PF @ 30 V | - - - | 2,5 W (TA), 5W (TC) | |||||
 | Siz322DT-T1-GE3 | 0,9100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | Siz322 | MOSFET (Metalloxid) | 16.7W (TC) | 8-Power33 (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 25 v | 30a (TC) | 6.35mohm @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 20.1nc @ 10v | 950pf @ 12.5V | - - - | |||||||
 | IRFI520GPBF | 1.6000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | IRFI520 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI520GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 7.2a (TC) | 10V | 270 MOHM @ 4,3A, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 37W (TC) | ||||
 | SIHD3N50DT1-GE3 | 0,3563 | | 8575 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sihd3 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIHD3N50DT1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 500 V | 3a (TC) | 10V | 3,2OHM @ 1,5A, 10 V | 5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 30 v | 175 PF @ 100 V | - - - | 69W (TC) | ||||
| SQJ144EP-T1_GE3 | 0,9700 | | 5855 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automobil, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SQJ144 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ144EP-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 130a (TC) | 10V | 4.6mohm @ 15a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 36 NC @ 10 V | ± 20 V | 1960 PF @ 25 V. | - - - | 148W (TC) | ||||
 | SI1471DH-T1-E3 | - - - | | 2677 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1471 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 2.7a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 100mohm @ 2a, 10V | 1,6 V @ 250 ähm | 9,8 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 445 PF @ 15 V | - - - | 1,5 W (TA), 2,78 W (TC) | ||||
| SUD23N06-31-GE3 | 0,9700 | | 1011 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud23 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 21,4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 31mohm @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 670 PF @ 25 V. | - - - | 5,7W (TA), 31,25W (TC) | |||||
| SI4894BDY-T1-GE3 | 1.2900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4894 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 8.9a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 11Mohm @ 12a, 10V | 3v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 1580 PF @ 15 V | - - - | 1.4W (TA) | |||||
 | SQ2319ADS-T1_BE3 | 0,6900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2319 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 4.6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 75mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 620 PF @ 20 V | - - - | 2,5 W (TC) | ||||||
 | SIHP30N60AEL-GE3 | - - - | | 6312 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | El | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP30 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 28a (TC) | 10V | 120MOHM @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 30 v | 2565 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||
| SQD23N06-31L_GE3 | 1.6600 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SQD23 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 23a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 31mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 845 PF @ 25 V. | - - - | 37W (TC) | |||||
 | SQM90142E_GE3 | 2.9200 | | 2248 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SQM90142 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (d²pak) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 95a (TC) | 10V | 15.3mohm @ 20a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 85 NC @ 10 V | ± 20 V | 4200 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | ||||||
| SI4448DY-T1-GE3 | - - - | | 6725 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4448 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 12 v | 50a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 1,7 MOHM @ 20A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 150 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 12350 PF @ 6 V. | - - - | 3,5 W (TA), 7,8W (TC) | ||||
 | SIA419DJ-T1-GE3 | - - - | | 2404 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA419 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 12a (TC) | 1,2 V, 4,5 V. | 30mohm @ 5,9a, 4,5 V. | 850 MV @ 250 ähm | 29 NC @ 5 V. | ± 5 V | 1500 PF @ 10 V. | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | ||||
 | IRll110TRPBF | 0,9300 | | 4941 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Irll110 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 1,5a (TC) | 4V, 5V | 540MOHM @ 900 mA, 5V | 2v @ 250 ähm | 6.1 NC @ 5 V | ± 10 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||||
 | SIE816DF-T1-E3 | - - - | | 2616 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 10-polarpak® (l) | Sie816 | MOSFET (Metalloxid) | 10-polarpak® (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 60a (TC) | 10V | 7.4mohm @ 19.8a, 10V | 4,4 V @ 250 ähm | 77 NC @ 10 V | ± 20 V | 3100 PF @ 30 V | - - - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
| SI3465DV-T1-GE3 | - - - | | 2979 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3465 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 80Mohm @ 4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 5,5 NC @ 5 V. | ± 20 V | - - - | 1.14W (TA) | ||||||
| SI4110DY-T1-GE3 | - - - | | 7785 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4110 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 80 v | 17.3a (TC) | 10V | 13mohm @ 11.7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 53 NC @ 10 V | ± 20 V | 2205 PF @ 40 V | - - - | 3,6 W (TA), 7,8W (TC) | ||||
 | SIHF5N50D-E3 | 1.3700 | | 9065 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF5 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 5.3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,5a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 325 PF @ 100 V | - - - | 30W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
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Weltweite Hersteller
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