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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4435DDY-T1-E3 | 0,7500 |  | 6676 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4435 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 11.4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 24MOHM @ 9.1a, 10V | 3v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 1350 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5W (TC) | |||||
 | SI7615DN-T1-GE3 | 1.6300 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7615 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 35a (TC) | 6 V, 10V | 3,9 MOHM @ 20A, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 183 NC @ 10 V. | ± 12 V | 6000 PF @ 10 V. | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SI7450DP-T1-E3 | 2.9000 | | 475 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7450 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 3.2a (ta) | 6 V, 10V | 80Mohm @ 4a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
 | SIHP12N50C-E3 | 2.4696 | | 6152 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP12 | MOSFET (Metalloxid) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 12a (TC) | 10V | 555Mohm @ 4a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 30 v | 1375 PF @ 25 V. | - - - | 208W (TC) | ||||||
| SI4942DY-T1-E3 | - - - | | 3872 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4942 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 5.3a | 21mohm @ 7.4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 32nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| SIR872DP-T1-GE3 | 2.8600 | | 6287 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir872 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 53,7a (TC) | 10V | 18MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 64 NC @ 10 V | ± 20 V | 2130 PF @ 75 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SI3434DV-T1-GE3 | - - - | | 6851 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3434 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 34mohm @ 6.1a, 4,5 V. | 600mV @ 1ma (min) | 12 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1.14W (TA) | |||||
 | IRF530Strl | - - - | | 3263 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF530 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 14a (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 20 V | 670 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||
 | SQJ459EP-T1_BE3 | 1.3300 | | 9590 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SQJ459EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 52a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 18mohm @ 3,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 108 NC @ 10 V | ± 20 V | 4586 PF @ 30 V | - - - | 83W (TC) | ||||||
 | IRFR9220TRLPBF | 2.2900 | | 170 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9220 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 200 v | 3.6a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 340 PF @ 25 V. | - - - | 42W (TC) | |||||
| IRF614strr | - - - | | 4962 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF614 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 250 V | 2.7a (TC) | 10V | 2OHM @ 1,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 36W (TC) | ||||
 | IRFP244 | - - - | | 5470 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP244 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFP244 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 250 V | 15a (TC) | 10V | 280MOHM @ 9A, 10V | 4v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||
 | SQJA04EP-T1_GE3 | 1.3100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sqja04 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 75a (TC) | 10V | 6,2 Mohm @ 10a, 10 V | 3,5 V @ 250 ähm | 55 NC @ 10 V | ± 20 V | 3500 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | ||||||
 | SI5857DU-T1-GE3 | - - - | | 7076 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® Chipfet ™ Single | SI5857 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® Chipfet ™ Single | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 6a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 58mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 12 V | 480 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 2,3 W (TA), 10,4W (TC) | ||||
 | SIHD14N60ET5-GE3 | 2.3000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 13a (TC) | 10V | 309mohm @ 7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 64 NC @ 10 V | ± 30 v | 1205 PF @ 100 V | - - - | 147W (TC) | |||||||
| SI4320DY-T1-GE3 | - - - | | 7409 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4320 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 17a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 3mohm @ 25a, 10V | 3v @ 250 ähm | 70 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 6500 PF @ 15 V | - - - | 1.6W (TA) | ||||
 | SI2308D-T1-E3 | - - - | | 9418 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2308 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 2a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 160mohm @ 2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 240 PF @ 25 V. | - - - | 1,25W (TA) | ||||
| SI4908DY-T1-E3 | - - - | | 7320 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4908 | MOSFET (Metalloxid) | 2.75W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 5a | 60MOHM @ 4.1a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 12nc @ 10v | 355PF @ 20V | - - - | ||||||
| SIHP6N80E-GE3 | 1.1982 | | 5445 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP6 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 5.4a (TC) | 10V | 940Mohm @ 3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 30 v | 827 PF @ 100 V | - - - | 78W (TC) | |||||
| IRF820Strl | - - - | | 4930 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf820 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 500 V | 2,5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
| IRF624 | - - - | | 1275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF624 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF624 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 250 V | 4.4a (TC) | 10V | 1,1OHM @ 2,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||
 | SIR622DP-T1-GE3 | 1.7000 | | 3077 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir622 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 51,6a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 17,7 MOHM @ 20A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 31 NC @ 7,5 V. | ± 20 V | 1516 PF @ 75 V | - - - | 104W (TC) | |||||
 | IRFI9Z14GPBF | 2.1700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Irfi9 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFI9Z14GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 60 v | 5.3a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 27W (TC) | ||||
 | IRFBF20LPBF | 1.2165 | | 5130 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRFBF20 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | *IRFBF20LPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 900 V | 1.7a (TC) | 10V | 8ohm @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 54W (TC) | ||||
 | SI3493BDV-T1-BE3 | 0,9600 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-SI3493BDV-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 7a (ta), 8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 27,5 MOHM @ 7A, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 43,5 NC @ 5 V. | ± 8 v | 1805 PF @ 10 V. | - - - | 2.08W (TA), 2.97W (TC) | ||||||
| IRFBC30 | - - - | | 4202 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFBC30 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFBC30 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 31 NC @ 10 V | ± 20 V | 660 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | |||
| SI2300D-T1-GE3 | 0,4100 | | 7492 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2300 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 3.6a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 68mohm @ 2,9a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 12 V | 320 PF @ 15 V | - - - | 1,1W (TA), 1,7W (TC) | ||||
| IRFR9024TRL | - - - | | 9679 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR9024 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 8.8a (TC) | 10V | 280MOHM @ 5.3A, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 570 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||
| SI2316DS-T1-GE3 | 0,2741 | | 2054 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SI2316 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 2,9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 50MOHM @ 3.4a, 10V | 800 MV @ 250 um (min) | 7 NC @ 10 V | ± 20 V | 215 PF @ 15 V | - - - | 700 MW (TA) | ||||
| IRLZ14 | - - - | | 8433 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRLZ14 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRLZ14 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 10a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 6a, 5V | 2v @ 250 ähm | 8.4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) |
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