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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SISS10ADN-T1-GE3 | 0,9600 |  | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS10 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 31.7a (TA), 109a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,65 MOHM @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 61 NC @ 10 V | +20V, -16v | 3030 PF @ 20 V | - - - | 4,8W (TA), 56,8W (TC) | |||||
 | SIHP11N80E-GE3 | 3.5300 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | E | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SIHP11 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 12a (TC) | 10V | 440MOHM @ 5.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 88 NC @ 10 V | ± 30 v | 1670 PF @ 100 V | - - - | 179W (TC) | ||||||
 | SIA921EDJ-T1-GE3 | 0,6300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | Sia921 | MOSFET (Metalloxid) | 7.8W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4,5a | 59mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 23nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | |||||||
 | IRFL210TRPBF-BE3 | 0,8800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Irfl210 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 742-IRFL210TRPBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 960 Ma (TC) | 1,5OHM @ 580 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 3,1W (TC) | ||||||
 | SI4226DY-T1-E3 | - - - | | 2590 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4226 | MOSFET (Metalloxid) | 3.2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 25 v | 8a | 19,5 MOHM @ 7A, 4,5 V. | 2v @ 250 ähm | 36nc @ 10v | 1255PF @ 15V | - - - | ||||||
| SI4620DY-T1-E3 | - - - | | 9669 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4620 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 6a (ta), 7,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 35mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 1040 PF @ 15 V | Schottky Diode (Isolier) | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||||
| SI4401BDY-T1-GE3 | 1.9500 | | 9135 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4401 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 8.7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 10.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 55 NC @ 5 V. | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | SI7818DN-T1-GE3 | 1.6600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SI7818 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 2.2a (TA) | 6 V, 10V | 135mohm @ 3.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||
 | SI3529DV-T1-E3 | - - - | | 2037 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3529 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 40V | 2,5a, 1,95a | 125mohm @ 2,2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 7nc @ 10v | 205PF @ 20V | Logikpegel -tor | ||||||
 | 2N4860Jan02 | - - - | | 7844 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4860 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - - - | - - - | ||||||||||||||
 | SIR494DP-T1-GE3 | 1.1500 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir494 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 12 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,2 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 20 V | 6900 PF @ 6 V. | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SQP50N06-09L_GE3 | - - - | | 7128 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SQP50 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 3065 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | |||||
 | SQ2361ES-T1_BE3 | 0,6300 | | 44 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SQ2361 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 2.8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 177mohm @ 2,4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 550 PF @ 30 V | - - - | 2W (TC) | ||||||
| SIR864DP-T1-GE3 | - - - | | 8959 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir864 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,6 MOHM @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | ± 20 V | 2460 PF @ 15 V | - - - | 5W (TA), 54W (TC) | |||||
 | SIA437DJ-T1-GE3 | 0,6900 | | 2425 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA437 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 29.7a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 14,5 MOHM @ 8A, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 90 nc @ 8 v | ± 8 v | 2340 PF @ 10 V. | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | |||||
| SI4654DY-T1-GE3 | - - - | | 7223 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4654 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 28,6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 16 v | 3770 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 5,9W (TC) | ||||
 | SIR500DP-T1-RE3 | 1.6400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen v | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 742-SIR500DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 85,9a (TA), 350,8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,47 MOHM @ 20A, 10 V. | 2,2 V @ 250 ähm | 180 nc @ 10 v | +16 V, -12v | 8960 PF @ 15 V | - - - | 6,25W (TA), 104,1W (TC) | |||||
| Sira52DP-T1-RE3 | 0,5600 | | 2336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sira52 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,7 MOHM @ 15a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | +20V, -16v | 7150 PF @ 20 V | - - - | 48W (TC) | ||||||
 | IRF9Z30 | - - - | | 2157 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf9 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF9Z30 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 50 v | 18a (TC) | 10V | 140Mohm @ 9.3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 20 V | 900 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | |||
 | SQ4153EY-T1_GE3 | 1.6500 | | 6784 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SQ4153 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 12 v | 25a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 8.32mohm @ 14a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 151 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 11000 PF @ 6 V | - - - | 7.1W (TC) | ||||||
 | SIHJ7N65E-T1-GE3 | 1.1737 | | 7081 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sihj7 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 650 V | 7.9a (TC) | 10V | 598mohm @ 3,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 30 v | 820 PF @ 100 V | - - - | 96W (TC) | |||||
| SIS126DN-T1-GE3 | 0,9500 | | 9191 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS126 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 12A (TA), 45,1a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 10.2mohm @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 1402 PF @ 40 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | IRFBC40As | - - - | | 7915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFBC40 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFBC40AS | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 3,7A, 10 V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1036 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||
 | SI1302DL-T1-E3 | 0,4400 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SI1302 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 600 mA (TA) | 4,5 V, 10 V. | 480MOHM @ 600 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 1,4 NC @ 10 V. | ± 20 V | - - - | 280 MW (TA) | |||||
 | SIJH5700E-T1-GE3 | 6.5400 | | 8533 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 8 x 8 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 8 x 8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 150 v | 17a (ta), 174a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 4.1MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 140 nc @ 10 v | ± 20 V | 7500 PF @ 75 V | - - - | 3.3W (TA), 333W (TC) | ||||||
 | SIHF28N60EF-GE3 | 3.3075 | | 4560 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SIHF28 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 28a (TC) | 10V | 123mohm @ 14a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 30 v | 2714 PF @ 100 V | - - - | 39W (TC) | |||||
| SI7461DP-T1-E3 | 2.4000 | | 1301 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7461 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 8.6a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 14,5 MOHM @ 14,4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 190 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 1,9W (TA) | ||||||
 | SUD40N04-10A-E3 | - - - | | 4825 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Sud40 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10Mohm @ 40a, 10V | 3v @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 71W (TC) | ||||
| SISS40DN-T1-GE3 | 0,5292 | | 3401 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8s | SISS40 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 36,5a (TC) | 6 V, 10V | 21mohm @ 10a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 845 PF @ 50 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | |||||
| IRF620Strl | - - - | | 3842 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Irf620 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 5.2a (TC) | 10V | 800MOHM @ 3.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 260 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 50 W (TC) |
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