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Diskrete Halbleiterprodukte(1252)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	FET-Typ	Testbedingung	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Reverse Recovery Time (trr)	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektor gepulst (Icm)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Energie wechseln	Tor-Gebühr	Td (ein/aus) bei 25 °C
AUIRLR2905ZTRL	1.0000	Anfrage	2228	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		55 V	42A (Tc)		13,5 mOhm bei 36 A, 10 V	3 V bei 250 µA	35 nC bei 5 V		1570 pF bei 25 V	-	110 W (Tc)
IRGS4630DPBF	1.0000	Anfrage	5550	Internationaler Gleichrichter	-	Rohr	Veraltet	-40°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		Standard		206 W	PG-TO263-3-2	herunterladen	Nicht zutreffend				EAR99	8541.29.0095	50		400V, 18A, 22Ohm, 15V											100 ns	-	600 V	47 A	54 A	1,95 V bei 15 V, 18 A	95 µJ (ein), 350 µJ (aus)	35 nC	40ns/105ns
IRG4IBC30KDPBF	2.1000	Anfrage	2251	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket		Standard		45 W	TO220 Komplettpaket	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	125		480V, 16A, 23Ohm, 15V											42 ns	-	600 V	17 A	34 A	2,7 V bei 15 V, 16 A	600 µJ (ein), 580 µJ (aus)	100 nC	60ns/160ns
IRFR3710ZTRLPBF	-	Anfrage	1078	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	1	N-Kanal		100 V	42A (Tc)	10V	18 mOhm bei 33 A, 10 V	4 V bei 250 µA	100 nC bei 10 V	±20V	2930 pF bei 25 V	-	140 W (Tc)
AUIRGP35B60PD-E	-	Anfrage	2812	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3	AUIRGP35B	Standard		308 W	TO-247AC	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		390 V, 22 A, 3,3 Ohm, 15 V											42 ns	NVV	600 V	60 A	120 A	2,55 V bei 15 V, 35 A	220 µJ (ein), 215 µJ (aus)	240 nC	26ns/110ns
IRFB3207ZGPBF	-	Anfrage	9377	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	145	N-Kanal		75 V	120A (Tc)		4,1 mOhm bei 75 A, 10 V	4 V bei 150 µA	170 nC bei 10 V	±20V	6920 pF bei 50 V	-	300 W (Tc)
IRF3704SPBF	1.0000	Anfrage	6618	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Rohr	Veraltet	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	herunterladen	ROHS3-konform				EAR99	8541.29.0095	50	N-Kanal		20 V	77A (Tc)	4,5 V, 10 V	9 mOhm bei 15 A, 10 V	3 V bei 250 µA	19 nC bei 4,5 V	±20V	1996 pF bei 10 V	-	87W (Tc)
AUIRFR2307Z	-	Anfrage	2332	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		75 V	42A (Tc)	10V	16 mOhm bei 32 A, 10 V	4 V bei 100 µA	75 nC bei 10 V	±20V	2190 pF bei 25 V	-	110 W (Tc)
IRLR3410PBF	-	Anfrage	8585	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	-	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		100 V	17A (Tc)	4V, 10V	105 mOhm bei 10 A, 10 V	2V bei 250µA	34 nC bei 5 V	±16V	800 pF bei 25 V	-	79W (Tc)
AUIRFL024NTR	-	Anfrage	5769	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (Metalloxid)		SOT-223	herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH betroffen	2156-AUIRFL024NTR-600047			1	N-Kanal		55 V	2,8A (Ta)	10V	75 mOhm bei 2,8 A, 10 V	4 V bei 250 µA	18,3 nC bei 10 V	±20V	400 pF bei 25 V	-	1W (Ta)
IRGP20B120UD-EP	5.2900	Anfrage	11	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		Standard		300 W	TO-247AD	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		600 V, 20 A, 5 Ohm, 15 V											300 ns	NVV	1200 V	40 A	120 A	4,85 V bei 15 V, 40 A	850 µJ (ein), 425 µJ (aus)	254 nC	-
AUIRFR5505-IR	-	Anfrage	6682	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1	P-Kanal		55 V	18A (Tc)	10V	110 mOhm bei 9,6 A, 10 V	4 V bei 250 µA	32 nC bei 10 V	±20V	650 pF bei 25 V	-	57W (Tc)
IRFB5620PBF	-	Anfrage	8564	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-IRFB5620PBF-600047			1	N-Kanal		200 V	25A (Tc)	10V	72,5 mOhm bei 15 A, 10 V	5 V bei 100 µA	38 nC bei 10 V	±20V	1710 pF bei 50 V	-	144 W (Tc)
IRFR1010ZTRLPBF	-	Anfrage	1966	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	1	N-Kanal		55 V	42A (Tc)	10V	7,5 mOhm bei 42 A, 10 V	4 V bei 100 µA	95 nC bei 10 V	±20V	2840 pF bei 25 V	-	140 W (Tc)
AUIRF3808	2.0000	Anfrage	1	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	151	N-Kanal		75 V	140A (Tc)		7 mOhm bei 82 A, 10 V	4 V bei 250 µA	220 nC bei 10 V		5310 pF bei 25 V	-	330 W (Tc)
IRF9240	5.6400	Anfrage	11	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-204AA (TO-3)	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	1	P-Kanal		200 V	11A (Tc)	10V	580 mOhm bei 11 A, 10 V	4 V bei 250 µA	60 nC bei 10 V	±20V	1200 pF bei 25 V	-	125 W (Tc)
AUIRLU024Z	0,4800	Anfrage	13	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA			MOSFET (Metalloxid)		I-PAK	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		55 V	16A (Tc)	4,5 V, 10 V	58 mOhm bei 9,6 A, 10 V	3 V bei 250 µA	9,9 nC bei 5 V	±16V	380 pF bei 25 V	-	35W (Tc)
IRF7821PBF	1.0000	Anfrage	9751	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 155°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)			MOSFET (Metalloxid)		8-SO	-	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		30 V	13,6 A (Ta)	4,5 V, 10 V	9,1 mOhm bei 13 A, 10 V	1 V bei 250 µA	14 nC bei 4,5 V	±20V	1010 pF bei 15 V	-	2,5 W (Ta)
IRFH3707TRPBF	0,1500	Anfrage	1456	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN			MOSFET (Metalloxid)		8-PQFN (3x3)	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	250	N-Kanal		30 V	12A (Ta), 29A (Tc)	4,5 V, 10 V	12,4 mOhm bei 12 A, 10 V	2,35 V bei 25 µA	8,1 nC bei 4,5 V	±20V	755 pF bei 15 V	-	2,8 W (Ta)
IRLH6224TRPBF	1.0000	Anfrage	5726	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN			MOSFET (Metalloxid)		8-PQFN (5x6)	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	1	N-Kanal		20 V	28A (Ta), 105A (Tc)	2,5 V, 4,5 V	3 mOhm bei 20 A, 4,5 V	1,1 V bei 50 µA	86 nC bei 10 V	±12V	3710 pF bei 10 V	-	3,6 W (Ta), 52 W (Tc)
AUIRF2903Z	2.1000	Anfrage	2	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		30 V	160A (Tc)	10V	2,4 mOhm bei 75 A, 10 V	4 V bei 250 µA	240 nC bei 10 V	±20V	6320 pF bei 25 V	-	290 W (Tc)
IRFU5305PBF	-	Anfrage	9283	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA			MOSFET (Metalloxid)		IPAK (TO-251AA)	herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-IRFU5305PBF-600047	EAR99	0000.00.0000	1	P-Kanal		55 V	31A (Tc)	10V	65 mOhm bei 16 A, 10 V	4 V bei 250 µA	63 nC bei 10 V	±20V	1200 pF bei 25 V	-	110 W (Tc)
IRFHM4234TRPBF	0,3900	Anfrage	1	Internationaler Gleichrichter	FASTIRFET™, HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-TQFN freiliegendes Pad			MOSFET (Metalloxid)			herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	770	N-Kanal		25 V	20A (Ta)	4,5 V, 10 V	4,4 mOhm bei 30 A, 10 V	2,1 V bei 25 µA	17 nC bei 10 V	±20V	1011 pF bei 13 V	-	2,8 W (Ta), 28 W (Tc)
AUIRLU3114Z-701TRL	1.0800	Anfrage	2	Internationaler Gleichrichter	Automobil, AEC-Q101, HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA			MOSFET (Metalloxid)		PG-TO251-3	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		40 V	42A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,9 mOhm bei 42 A, 10 V	2,5 V bei 100 µA	56 nC bei 4,5 V	±16V	3810 pF bei 25 V	-	140 W (Tc)
AUIRFS4010-7P	-	Anfrage	1043	Internationaler Gleichrichter	Automobil, AEC-Q101, HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		100 V	190A (Tc)		4 mOhm bei 110 A, 10 V	4 V bei 250 µA	230 nC bei 10 V	±20V	9830 pF bei 50 V	-	380 W (Tc)
IRGS4045DPBF	1.0100	Anfrage	8	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		Standard		77 W	D2PAK	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		400 V, 6 A, 47 Ohm, 15 V											74 ns	-	600 V	12 A	18 A	2V bei 15V, 6A	56µJ (ein), 122µJ (aus)	19,5 nC	27ns/75ns
IRFR4104PBF	-	Anfrage	8776	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	-	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen		EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		40 V	42A (Tc)	10V	5,5 mOhm bei 42 A, 10 V	4 V bei 250 µA	89 nC bei 10 V	±20V	2950 pF bei 25 V	-	140 W (Tc)
AUIRFR8405	1.1600	Anfrage	14	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		40 V	100A (Tc)	10V	1,98 mOhm bei 90 A, 10 V	3,9 V bei 100 µA	155 nC bei 10 V	±20V	5171 pF bei 25 V	-	163W (Tc)
AUIRFB3806	-	Anfrage	6614	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		60 V	43A (Tc)	10V	15,8 mOhm bei 25 A, 10 V	4 V bei 50 µA	30 nC bei 10 V	±20V	1150 pF bei 50 V	-	71W (Tc)
AUIRF2804S	-	Anfrage	5701	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		40 V	195A (Tc)	10V	2 mOhm bei 75 A, 10 V	4 V bei 250 µA	240 nC bei 10 V	±20V	6450 pF bei 25 V	-	300 W (Tc)