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Diskrete Halbleiterprodukte(1252)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	ECCN	HTSUS	Standardpaket	FET-Typ	Testbedingung	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Reverse Recovery Time (trr)	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektor gepulst (Icm)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Energie wechseln	Tor-Gebühr	Td (ein/aus) bei 25 °C
AUIRF3805L	1.9700	Anfrage	2	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (Metalloxid)		TO-262	herunterladen				EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		55 V	160A (Tc)	10V	3,3 mOhm bei 75 A, 10 V	4 V bei 250 µA	290 nC bei 10 V	±20V	7960 pF bei 25 V	-	300 W (Tc)
IRF7456PBF	1.0000	Anfrage	6648	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)			MOSFET (Metalloxid)		8-SO	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		20 V	16A (Ta)	2,8 V, 10 V	6,5 mOhm bei 16 A, 10 V	2V bei 250µA	62 nC bei 5 V	±12V	3640 pF bei 15 V	-	2,5 W (Ta)
64-9174PBF	1.0000	Anfrage	3748	Internationaler Gleichrichter	*	Schüttgut	Aktiv									-	Nicht zutreffend	3 (168 Stunden)	Anbieter nicht definiert			336
IRFS7787PBF	-	Anfrage	9853	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		PG-TO263-3-2	-	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		75 V	76A (Tc)		8,4 mOhm bei 46 A, 10 V	3,7 V bei 100 µA	109 nC bei 10 V	±20V	4020 pF bei 25 V	-	125 W (Tc)
IRFHM4234TRPBF	0,3900	Anfrage	1	Internationaler Gleichrichter	FASTIRFET™, HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-TQFN freiliegendes Pad			MOSFET (Metalloxid)			herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	770	N-Kanal		25 V	20A (Ta)	4,5 V, 10 V	4,4 mOhm bei 30 A, 10 V	2,1 V bei 25 µA	17 nC bei 10 V	±20V	1011 pF bei 13 V	-	2,8 W (Ta), 28 W (Tc)
IRF3709ZPBF	0,4600	Anfrage	5	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		30 V	87A (Tc)		6,3 mOhm bei 21 A, 10 V	2,25 V bei 250 µA	26 nC bei 4,5 V	±20V	2130 pF bei 15 V	-	79W (Tc)
AUIRF2903Z	2.1000	Anfrage	2	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen				EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		30 V	160A (Tc)	10V	2,4 mOhm bei 75 A, 10 V	4 V bei 250 µA	240 nC bei 10 V	±20V	6320 pF bei 25 V	-	290 W (Tc)
IRF3710LPBF	1.0000	Anfrage	2914	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (Metalloxid)		TO-262	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		100 V	57A (Tc)	10V	23 mOhm bei 28 A, 10 V	4 V bei 250 µA	130 nC bei 10 V	±20V	3130 pF bei 25 V	-	200 W (Tc)
AUIRLU3114Z-701TRL	1.0800	Anfrage	2	Internationaler Gleichrichter	Automobil, AEC-Q101, HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA			MOSFET (Metalloxid)		PG-TO251-3	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		40 V	42A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,9 mOhm bei 42 A, 10 V	2,5 V bei 100 µA	56 nC bei 4,5 V	±16V	3810 pF bei 25 V	-	140 W (Tc)
IRLH6224TRPBF	1.0000	Anfrage	5726	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN			MOSFET (Metalloxid)		8-PQFN (5x6)	herunterladen				EAR99	8542.39.0001	1	N-Kanal		20 V	28A (Ta), 105A (Tc)	2,5 V, 4,5 V	3 mOhm bei 20 A, 4,5 V	1,1 V bei 50 µA	86 nC bei 10 V	±12V	3710 pF bei 10 V	-	3,6 W (Ta), 52 W (Tc)
IRFB4310PBF	1.0000	Anfrage	8280	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen				EAR99	8542.39.0001	1	N-Kanal		100 V	130A (Tc)	10V	7 mOhm bei 75 A, 10 V	4 V bei 250 µA	250 nC bei 10 V	±20V	7670 pF bei 50 V	-	300 W (Tc)
IRFR4105ZPBF	-	Anfrage	5409	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		TO-252AA	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen	EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		55 V	30A (Tc)		24,5 mOhm bei 18 A, 10 V	4 V bei 250 µA	27 nC bei 10 V	±20V	740 pF bei 25 V	-	48W (Tc)
64-9142PBF	0,5500	Anfrage	704	Internationaler Gleichrichter	*	Schüttgut	Aktiv									-	Nicht zutreffend	3 (168 Stunden)	Anbieter nicht definiert			310
AUIRFS3107-7P	1.0000	Anfrage	6024	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-7, D²Pak (6 Anschlüsse + Tab)			MOSFET (Metalloxid)		D2PAK (7-Leiter)	herunterladen				EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		75 V	240A (Tc)	10V	2,6 mOhm bei 160 A, 10 V	4 V bei 250 µA	240 nC bei 10 V	±20V	9200 pF bei 50 V	-	370 W (Tc)
IRLU8729-701PBF	0,3200	Anfrage	2	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA			MOSFET (Metalloxid)		PG-TO-251-3-21	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	944	N-Kanal		30 V	58A (Tc)		8,9 mOhm bei 25 A, 10 V	2,35 V bei 25 µA	16 nC bei 4,5 V	±20V	1350 pF bei 15 V	-	55 W (Tc)
IRFF233	-	Anfrage	8812	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-205AF Metalldose			MOSFET (Metalloxid)		TO-205AF (TO-39)	herunterladen				EAR99	8542.39.0001	1	N-Kanal		150 V	4,5A	-	-	-		-		-	25W
IRF1324S-7PPBF	-	Anfrage	1518	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-7, D²Pak (6 Leitungen + Tab), TO-263CB			MOSFET (Metalloxid)		D2PAK (7-Leiter)	herunterladen					0000.00.0000	1	N-Kanal		24 V	240A (Tc)	10V	1 mOhm bei 160 A, 10 V	4 V bei 250 µA	252 nC bei 10 V	±20V	7700 pF bei 19 V	-	300 W (Tc)
IRFS5615TRLPBF	-	Anfrage	4989	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		150 V	33A (Tc)	10V	42 mOhm bei 21 A, 10 V	5 V bei 100 µA	40 nC bei 10 V	±20V	1750 pF bei 50 V	-	144 W (Tc)
AUIRFR5505-IR	-	Anfrage	6682	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	1	P-Kanal		55 V	18A (Tc)	10V	110 mOhm bei 9,6 A, 10 V	4 V bei 250 µA	32 nC bei 10 V	±20V	650 pF bei 25 V	-	57W (Tc)
IRF6721STRPBF	0,4400	Anfrage	14	Internationaler Gleichrichter	DirectFET™	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	DirectFET™ Isometrischer SQ			MOSFET (Metalloxid)		DirectFET™ Isometrischer SQ	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	2.183	N-Kanal		30 V	14A (Ta), 60A (Tc)		7,3 mOhm bei 14 A, 10 V	2,4 V bei 25 µA	17 nC bei 4,5 V	±20V	1430 pF bei 15 V	-	2,2 W (Ta), 42 W (Tc)
IRFS4310PBF	-	Anfrage	4036	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	herunterladen				EAR99	8542.39.0001	1	N-Kanal		100 V	130A (Tc)	10V	7 mOhm bei 75 A, 10 V	4 V bei 250 µA	250 nC bei 10 V	±20V	7670 pF bei 50 V	-	300 W (Tc)
AUIRF3710ZSTRL	-	Anfrage	3571	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		PG-TO263-3	herunterladen				EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		100 V	59A (Tc)	10V	18 mOhm bei 35 A, 10 V	4 V bei 250 µA	120 nC bei 10 V	±20V	2900 pF bei 25 V	-	160 W (Tc)
AUIRL1404ZS	1.7000	Anfrage	11	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	herunterladen				EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		40 V	160A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,1 mOhm bei 75 A, 10 V	2,7 V bei 250 µA	110 nC bei 5 V	±16V	5080 pF bei 25 V	-	200 W (Tc)
AUIRFR1010Z	-	Anfrage	8387	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-PAK (TO-252AA)	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		55 V	42A (Tc)		7,5 mOhm bei 42 A, 10 V	4 V bei 100 µA	95 nC bei 10 V		2840 pF bei 25 V	-	140 W (Tc)
AUIRF1010EZSTRL	1.0000	Anfrage	3305	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		PG-TO263-3	herunterladen				EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		60 V	75A (Tc)	10V	8,5 mOhm bei 51 A, 10 V	4 V bei 250 µA	86 nC bei 10 V	±20V	2810 pF bei 25 V	-	140 W (Tc)
IRF3704SPBF	1.0000	Anfrage	6618	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Rohr	Veraltet	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	herunterladen	ROHS3-konform			EAR99	8541.29.0095	50	N-Kanal		20 V	77A (Tc)	4,5 V, 10 V	9 mOhm bei 15 A, 10 V	3 V bei 250 µA	19 nC bei 4,5 V	±20V	1996 pF bei 10 V	-	87W (Tc)
AUIRGP35B60PD-E	-	Anfrage	2812	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3	AUIRGP35B	Standard		308 W	TO-247AC	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	1		390 V, 22 A, 3,3 Ohm, 15 V											42 ns	NVV	600 V	60 A	120 A	2,55 V bei 15 V, 35 A	220 µJ (ein), 215 µJ (aus)	240 nC	26ns/110ns
IRFB3207ZGPBF	-	Anfrage	9377	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	145	N-Kanal		75 V	120A (Tc)		4,1 mOhm bei 75 A, 10 V	4 V bei 150 µA	170 nC bei 10 V	±20V	6920 pF bei 50 V	-	300 W (Tc)
AUIRFR2307Z	-	Anfrage	2332	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		75 V	42A (Tc)	10V	16 mOhm bei 32 A, 10 V	4 V bei 100 µA	75 nC bei 10 V	±20V	2190 pF bei 25 V	-	110 W (Tc)
IRGP20B120UD-EP	5.2900	Anfrage	11	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		Standard		300 W	TO-247AD	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	1		600 V, 20 A, 5 Ohm, 15 V											300 ns	NVV	1200 V	40 A	120 A	4,85 V bei 15 V, 40 A	850 µJ (ein), 425 µJ (aus)	254 nC	-