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Diskrete Halbleiterprodukte(1252)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Testbedingung	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Reverse Recovery Time (trr)	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektor gepulst (Icm)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Energie wechseln	Tor-Gebühr	Td (ein/aus) bei 25 °C
IRFU5305PBF	-	Anfrage	9283	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA			MOSFET (Metalloxid)		IPAK (TO-251AA)	herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-IRFU5305PBF-600047	EAR99	0000.00.0000	1		P-Kanal		55 V	31A (Tc)	10V	65 mOhm bei 16 A, 10 V	4 V bei 250 µA	63 nC bei 10 V	±20V	1200 pF bei 25 V	-	110 W (Tc)
IRLR3410PBF	-	Anfrage	8585	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	-	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		100 V	17A (Tc)	4V, 10V	105 mOhm bei 10 A, 10 V	2V bei 250µA	34 nC bei 5 V	±16V	800 pF bei 25 V	-	79W (Tc)
IRG4PC60UPBF	1.0000	Anfrage	7985	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		Standard		520 W	TO-247AC	herunterladen	Nicht zutreffend	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1			480V, 40A, 5Ohm, 15V												-	600 V	75 A	300 A	2V bei 15V, 40A	280 µJ (ein), 1,1 mJ (aus)	310 nC	39ns/200ns
IRFR3710ZTRLPBF	-	Anfrage	1078	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	1		N-Kanal		100 V	42A (Tc)	10V	18 mOhm bei 33 A, 10 V	4 V bei 250 µA	100 nC bei 10 V	±20V	2930 pF bei 25 V	-	140 W (Tc)
IRFBA1404PPBF	1.5600	Anfrage	258	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Veraltet	-40°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-273AA			MOSFET (Metalloxid)		SUPER-220™ (TO-273AA)	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	1		N-Kanal		40 V	206A (Tc)	10V	3,7 mOhm bei 95 A, 10 V	4 V bei 250 µA	200 nC bei 10 V	±20V	7360 pF bei 25 V	-	300 W (Tc)
IRFI4228PBF-IR	1.0800	Anfrage	280	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB Full-Pak	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	280		N-Kanal		150 V	34A (Tc)	10V	16 mOhm bei 20 A, 10 V	5 V bei 250 µA	110 nC bei 10 V	±30V	4560 pF bei 25 V	-	46W (Tc)
IRGS4630DPBF	1.0000	Anfrage	5550	Internationaler Gleichrichter	-	Rohr	Veraltet	-40°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		Standard		206 W	PG-TO263-3-2	herunterladen	Nicht zutreffend				EAR99	8541.29.0095	50			400V, 18A, 22Ohm, 15V											100 ns	-	600 V	47 A	54 A	1,95 V bei 15 V, 18 A	95 µJ (ein), 350 µJ (aus)	35 nC	40ns/105ns
IRGS15B60KDTRRP	2.5200	Anfrage	5	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB	IRGS15B60	Standard		208 W	D2PAK	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1			400V, 15A, 22Ohm, 15V											92 ns	NVV	600 V	31 A	62 A	2,2 V bei 15 V, 15 A	220µJ (ein), 340µJ (aus)	56 nC	34ns/184ns
IRFF311	-	Anfrage	6331	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-205AF Metalldose			MOSFET (Metalloxid)		TO-205AF (TO-39)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	0000.00.0000	163		N-Kanal		350 V	1,35A	-	-	-		-		-	15W
AUIRFR5410-IR	0,7700	Anfrage	2	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		P-Kanal		100 V	13A (Tc)	10V	205 mOhm bei 7,8 A, 10 V	4 V bei 250 µA	58 nC bei 10 V	±20V	760 pF bei 25 V	-	66W (Tc)
IRFB3207ZPBF	-	Anfrage	1010	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	1		N-Kanal		75 V	120A (Tc)	10V	4,1 mOhm bei 75 A, 10 V	4 V bei 150 µA	170 nC bei 10 V	±20V	6920 pF bei 50 V	-	300 W (Tc)
IRFS7730PBF	-	Anfrage	4097	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®, StrongIRFET™	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		D²PAK (TO-263AB)	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	1		N-Kanal		75 V	195A (Tc)	6V, 10V	2,6 mOhm bei 100 A, 10 V	3,7 V bei 250 µA	407 nC bei 10 V	±20V	13660 pF bei 25 V	-	375 W (Tc)
AUIRLR2905ZTRL	1.0000	Anfrage	2228	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		55 V	42A (Tc)		13,5 mOhm bei 36 A, 10 V	3 V bei 250 µA	35 nC bei 5 V		1570 pF bei 25 V	-	110 W (Tc)
AUIRGF65G40D0	-	Anfrage	7938	Internationaler Gleichrichter	CooliRIGBT™	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3	AUIRGF65	Standard		625 W	TO-247AD	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1			400 V, 20 A, 4,7 Ohm, 15 V											41 ns	-	600 V	62 A	84 A	2,2 V bei 15 V, 20 A	298 µJ (ein), 147 µJ (aus)	270 nC	35ns/142ns
IRFR8314TRPBF	0,6500	Anfrage	8654	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-PAK (TO-252AA)	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	16		N-Kanal		30 V	90A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,2 mOhm bei 90 A, 10 V	2,2 V bei 100 µA	54 nC bei 4,5 V	±20V	4945 pF bei 15 V	-	125 W (Tc)
AUIRFS4127TRL	1.0000	Anfrage	4627	Internationaler Gleichrichter	Automobil, AEC-Q101, HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		PG-TO263-3	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		200 V	72A (Tc)	10V	22 mOhm bei 44 A, 10 V	5 V bei 250 µA	150 nC bei 10 V	±20V	5380 pF bei 50 V	-	375 W (Tc)
IRF6775MTRPBF	1.2100	Anfrage	597	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	DirectFET™ Isometrisches MZ			MOSFET (Metalloxid)		DIRECTFET™ MZ	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	249		N-Kanal		150 V	4,9 A (Ta), 28 A (Tc)	10V	56 mOhm bei 5,6 A, 10 V	5 V bei 100 µA	36 nC bei 10 V	±20V	1411 pF bei 25 V	-	2,8 W (Ta), 89 W (Tc)
AUIRFR4620TRL	-	Anfrage	2502	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-PAK (TO-252AA)	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		200 V	24A (Tc)	10V	78 mOhm bei 15 A, 10 V	5 V bei 100 µA	38 nC bei 10 V	±20V	1710 pF bei 50 V	-	144 W (Tc)
AUIRG4PC40S-E-IR	-	Anfrage	6740	Internationaler Gleichrichter	*	Schüttgut	Aktiv				AUIRG4					-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-AUIRG4PC40S-E-IR	EAR99	0000.00.0000	1
IRGR3B60KD2TRLP	-	Anfrage	6439	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63	IRGR3B60	Standard		52 W	D-Pak	-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8542.39.0001	3.000			400 V, 3 A, 100 Ohm, 15 V											77 ns	NVV	600 V	7,8 A	15,6 A	2,4 V bei 15 V, 3 A	62 µJ (ein), 39 µJ (aus)	13 nC	18ns/110ns
IRF7413ZPBF	-	Anfrage	8243	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)			MOSFET (Metalloxid)		8-SO	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		30 V	13A (Ta)		10 mOhm bei 13 A, 10 V	2,25 V bei 250 µA	14 nC bei 4,5 V	±20V	1210 pF bei 15 V	-	2,5 W (Ta)
IRFR1010ZTRLPBF	-	Anfrage	1966	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	1		N-Kanal		55 V	42A (Tc)	10V	7,5 mOhm bei 42 A, 10 V	4 V bei 100 µA	95 nC bei 10 V	±20V	2840 pF bei 25 V	-	140 W (Tc)
IRF7821PBF	1.0000	Anfrage	9751	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 155°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)			MOSFET (Metalloxid)		8-SO	-	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		30 V	13,6 A (Ta)	4,5 V, 10 V	9,1 mOhm bei 13 A, 10 V	1 V bei 250 µA	14 nC bei 4,5 V	±20V	1010 pF bei 15 V	-	2,5 W (Ta)
IRFH7934TRPBF	0,6000	Anfrage	5	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN			MOSFET (Metalloxid)		8-PQFN (5x6)	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	1		N-Kanal		30 V	24A (Ta), 76A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,5 mOhm bei 24 A, 10 V	2,35 V bei 50 µA	30 nC bei 4,5 V	±20V	3100 pF bei 15 V	-	3,1 W (Ta)
IRG4RC10UDTRRP	1.0000	Anfrage	1038	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63	IRG4RC10	Standard		38 W	D-Pak	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	3.000			480 V, 5 A, 100 Ohm, 15 V											28 ns	-	600 V	8,5 A	34 A	2,6 V bei 15 V, 5 A	140µJ (ein), 120µJ (aus)	15 nC	40ns/87ns
AUIRF3808	2.0000	Anfrage	1	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	151		N-Kanal		75 V	140A (Tc)		7 mOhm bei 82 A, 10 V	4 V bei 250 µA	220 nC bei 10 V		5310 pF bei 25 V	-	330 W (Tc)
IRF9240	5.6400	Anfrage	11	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-204AA (TO-3)	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	1		P-Kanal		200 V	11A (Tc)	10V	580 mOhm bei 11 A, 10 V	4 V bei 250 µA	60 nC bei 10 V	±20V	1200 pF bei 25 V	-	125 W (Tc)
IRF7905TRPBF	-	Anfrage	7911	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)	IRF7905		MOSFET (Metalloxid)	2W	8-SO	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	407	2 N-Kanal (Dual)			30V	7,8A, 8,9A		21,8 mOhm bei 7,8 A, 10 V	2,25 V bei 25 µA	6,9 nC bei 4,5 V		600pF bei 15V	Logikpegel-Gate
AUIRLU024Z	0,4800	Anfrage	13	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA			MOSFET (Metalloxid)		I-PAK	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		55 V	16A (Tc)	4,5 V, 10 V	58 mOhm bei 9,6 A, 10 V	3 V bei 250 µA	9,9 nC bei 5 V	±16V	380 pF bei 25 V	-	35W (Tc)
IRFH3707TRPBF	0,1500	Anfrage	1456	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN			MOSFET (Metalloxid)		8-PQFN (3x3)	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	250		N-Kanal		30 V	12A (Ta), 29A (Tc)	4,5 V, 10 V	12,4 mOhm bei 12 A, 10 V	2,35 V bei 25 µA	8,1 nC bei 4,5 V	±20V	755 pF bei 15 V	-	2,8 W (Ta)