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Diskette HalblerProdukte (2909)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
TRS10V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS10V65H, LQ 2.8900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 4-VSFN-Exponiertebad SIC (Silicon Carbide) Schottky 4-DFN-EP (8x8) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 2.500 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,35 V @ 10 a 0 ns 100 µA @ 650 V 175 ° C. 10a 649PF @ 1V, 1 MHz
2SC2705-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2705-y (TE6, F, M) - - -
RFQ
 ECAD 4824 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Box (TB) Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SC2705 800 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 150 v 50 ma 100NA (ICBO) Npn 1v @ 1ma, 10 mA 120 @ 10 Ma, 5V 200 MHz
2SC5087YTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5087YTE85LF - - -
RFQ
 ECAD 9624 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-61AA 2SC5087 150 MW Smq - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 13 dB 12V 80 Ma Npn 120 @ 20 mA, 10V 7GHz 1.1db @ 1ghz
2SA1837(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 (f, m) - - -
RFQ
 ECAD 5940 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SA1837 2 w To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 500 230 V 1 a 1 µA (ICBO) PNP 1,5 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 100 Ma, 5V 70 MHz
RN2111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2111CT (TPL3) - - -
RFQ
 ECAD 9861 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 RN2111 50 MW CST3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 10.000 20 v 50 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 150 mV @ 250 ua, 5 mA 300 @ 1ma, 5v 10 Kohms
2SA1162-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-y, lf 0,1800
RFQ
 ECAD 1595 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 2SA1162 150 MW S-mini Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 150 Ma 100 µA (ICBO) PNP 300mv @ 10 mA, 100 mA 120 @ 2MA, 6V 80MHz
TTC009,F(M Toshiba Semiconductor and Storage TTC009, F (m - - -
RFQ
 ECAD 2791 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack TTC009 2 w To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1 80 v 3 a 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 100 mA, 1a 100 @ 500 mA, 5V 150 MHz
HN4A51JTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN4A51JTE85LF 0,4500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 HN4A51 300 MW SMV Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 120 v 100 ma 100NA (ICBO) 2 PNP (Dual) 300 mV @ 1ma, 10 mA 200 @ 2ma, 6v 100 MHz
1SS383(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS383 (TE85L, F) 0,4000
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-82 1SS383 Schottky USQ Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 2 Unabhängig 40 v 100 ma 600 mv @ 100 mA 5 µa @ 40 V 125 ° C (max)
HN4C06J-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN4C06J-BL (TE85L, f 0,1088
RFQ
 ECAD 3999 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 HN4C06 300 MW SMV Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 120 v 100 ma 100NA (ICBO) 2 NPN (Dual) Gemeinsamer -Emitter 300 mV @ 1ma, 10 mA 200 @ 2ma, 6v 100 MHz
RN4905T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905T5LFT 0,1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4905 200 MW US6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 2.2ko 47kohm
2SC4881,LS1SUMIF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4881, ls1sumif (m - - -
RFQ
 ECAD 5712 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SC4881 2 w To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1 50 v 5 a 1 µA (ICBO) Npn 400 MV @ 125 Ma, 2,5a 100 @ 1a, 1V 100 MHz
2SA1837,TOA1F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, toa1f (j - - -
RFQ
 ECAD 8224 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SA1837 2 w To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1 230 V 1 a 1 µA (ICBO) PNP 1,5 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 100 Ma, 5V 70 MHz
2SA1382,T6MIBF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1382, T6MIBF (j - - -
RFQ
 ECAD 4486 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SA1382 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 33 mA, 1a 150 @ 500 mA, 2V 110 MHz
CUS15I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS15I30A (TE85L, QM - - -
RFQ
 ECAD 3931 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 CUS15I30 Schottky US-Flat (1,25x2,5) Herunterladen ROHS -KONFORM CUS15I30A (TE85LQM Ear99 8541.10.0080 4.000 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 460 mV @ 1,5 a 60 µa @ 30 V 150 ° C (max) 1,5a 50pf @ 10v, 1 MHz
2SK3462(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3462 (TE16L1, NQ) - - -
RFQ
 ECAD 7650 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 2SK3462 MOSFET (Metalloxid) Pw-mold Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 250 V 3a (ta) 10V 1,7OHM @ 1,5a, 10V 3,5 V @ 1ma 12 NC @ 10 V ± 20 V 267 PF @ 10 V. - - - 20W (TC)
TK750A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK750A60F, S4X 1.7600
RFQ
 ECAD 968 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-MOSIX Rohr Aktiv 150 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack TK750A60 MOSFET (Metalloxid) To-220sis Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 10a (ta) 10V 750Mohm @ 5a, 10V 4v @ 1ma 30 NC @ 10 V ± 30 v 1130 PF @ 300 V - - - 40W (TC)
1SS294,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS294, lf 0,3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 1SS294 Schottky S-mini Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 40 v 600 mv @ 100 mA 5 µa @ 40 V 125 ° C (max) 100 ma 25pf @ 0v, 1 MHz
2SA1761,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1761, T6F (m - - -
RFQ
 ECAD 8519 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SA1761 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 75 mA, 1,5a 120 @ 100 mA, 2V 100 MHz
RN2703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2703JE (TE85L, F) 0,4700
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-553 RN2703 100 MW ESV Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) (Emitter Gekoppelt) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 70 @ 10ma, 5V 200 MHz 22kohm 22kohm
2SK3906(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3906 (q) - - -
RFQ
 ECAD 5343 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 2SK3906 MOSFET (Metalloxid) To-3p (n) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 20a (ta) 10V 330mohm @ 10a, 10V 4v @ 1ma 60 nc @ 10 v ± 30 v 4250 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
2SJ377(TE16R1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ377 (TE16R1, NQ) - - -
RFQ
 ECAD 5182 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 2SJ377 MOSFET (Metalloxid) Pw-mold Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 60 v 5a (ta) 4 V, 10V 190MOHM @ 2,5A, 10V 2V @ 1ma 22 NC @ 10 V. ± 20 V 630 PF @ 10 V - - - 20W (TC)
RN2967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2967FE (TE85L, F) - - -
RFQ
 ECAD 6068 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN2967 100 MW Es6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 10kohm 47kohm
2SC2229-Y(T6SAN2FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-y (T6SAN2FM - - -
RFQ
 ECAD 7037 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SC2229 800 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) 2SC2229YT6SAN2FM Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 ma 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 1ma, 10 mA 70 @ 10ma, 5V 120 MHz
2SC3074-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3074-y (q) - - -
RFQ
 ECAD 5361 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa 2SC3074 1 w Pw-mold Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 200 50 v 5 a 1 µA (ICBO) Npn 400 MV @ 150 mA, 3a 120 @ 1a, 1V 120 MHz
2SD2206(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206 (T6CNO, A, F) - - -
RFQ
 ECAD 7218 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SD2206 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 100 v 2 a 10 µA (ICBO) Npn 1,5 V @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 2v 100 MHz
TPC6109-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage TPC6109-H (TE85L, FM - - -
RFQ
 ECAD 6133 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosiii-h Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 TPC6109 MOSFET (Metalloxid) VS-6 (2,9x2,8) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 30 v 5a (ta) 4,5 V, 10 V. 59mohm @ 2,5a, 10V 1,2 V @ 200 ähm 12.3 NC @ 10 V. ± 20 V 490 PF @ 10 V. - - - 700 MW (TA)
2SK2744(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2744 (f) - - -
RFQ
 ECAD 1975 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 2SK2744 MOSFET (Metalloxid) To-3p (n) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 50 v 45a (ta) 10V 20mohm @ 25a, 10V 3,5 V @ 1ma 68 NC @ 10 V. ± 20 V 2300 PF @ 10 V. - - - 125W (TC)
HN2D01FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2D01FU (TE85L, F) - - -
RFQ
 ECAD 6360 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN2D01 Standard US6 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 3 Unabhängig 80 v 80 Ma 1,2 V @ 100 mA 4 ns 500 na @ 80 V 125 ° C (max)
RN2105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2105CT (TPL3) - - -
RFQ
 ECAD 2702 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 RN2105 50 MW CST3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 10.000 20 v 50 ma 500NA PNP - VoreInensmen 150 mV @ 250 ua, 5 mA 120 @ 10 Ma, 5V 2.2 Kohms 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus

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