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Diskrete Halbleiterprodukte (2909)

Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Toleranz Spannung – Nennspannung Betriebstemperatur Anwendungen Montageart Paket/Koffer Basisproduktnummer Technologie Leistung – max Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET-Typ Nennstrom (Ampere) Gewinnen Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds FET-Funktion Verlustleistung (max.) Diodenkonfiguration Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If Reverse Recovery Time (trr) Strom – Rückwärtsleckage bei Vr Betriebstemperatur – Verbindungsstelle Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Kapazität @ Vr, F Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom – Kollektorabschaltung (max.) Spannung – Zener (Nom) (Vz) Impedanz (Max) (Zzt) Transistortyp Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce Häufigkeit – Übergang Widerstand - Basis (R1) Widerstand – Emitterbasis (R2) Rauschzahl (dB Typ @ f)
2SJ438(AISIN,A,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438(AISIN,A,Q) -
Anfrage
 ECAD 3224 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket 2SJ438 TO-220NIS herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 1 5A (Tj)
2SC2713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2713-GR,LF 0,3000
Anfrage
 ECAD 8061 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv 125°C (TJ) Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2713 150 mW TO-236 herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0075 3.000 120 V 100mA 100nA (ICBO) NPN 300 mV bei 1 mA, 10 mA 200 bei 2 mA, 6 V 100 MHz
RN2705,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2705,LF 0,3000
Anfrage
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2705 200 mW USV herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500nA 2 PNP – voreingestellt (Dual) 300 mV bei 250 µA, 5 mA 80 bei 10 mA, 5 V 200 MHz 2,2kOhm 47kOhm
RN2105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2105CT(TPL3) -
Anfrage
 ECAD 2702 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet Oberflächenmontage SC-101, SOT-883 RN2105 50 mW CST3 herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 10.000 20 V 50mA 500nA PNP – Voreingestellt 150 mV bei 250 µA, 5 mA 120 bei 10 mA, 5 V 2,2 kOhm 47 kOhm
SSM6L35FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L35FU(TE85L,F) 0,4000
Anfrage
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6L35 MOSFET (Metalloxid) 200 mW US6 herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 N- und P-Kanal 20V 180mA, 100mA 3 Ohm bei 50 mA, 4 V 1 V bei 1 mA - 9,5 pF bei 3 V Logikpegel-Gate, 1,2-V-Antrieb
TPH1500CNH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1500CNH1,LQ 1.6600
Anfrage
 ECAD 9158 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C Oberflächenmontage 8-PowerTDFN TPH1500 MOSFET (Metalloxid) 8-SOP-Vorschuss (5x5,75) herunterladen 1 (Unbegrenzt) 5.000 N-Kanal 150 V 74A (Ta), 38A (Tc) 10V 15,4 mOhm bei 19 A, 10 V 4V bei 1mA ±20V 2200 pF bei 75 V - 2,5 W (Ta), 170 W (Tc)
TK7R0E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK7R0E08QM,S1X 1.4500
Anfrage
 ECAD 172 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSX-H Rohr Aktiv 175°C Durchgangsloch TO-220-3 MOSFET (Metalloxid) TO-220 herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 50 N-Kanal 80 V 64A (Tc) 6V, 10V 7 mOhm bei 32 A, 10 V 3,5 V bei 500 µA 39 nC bei 10 V ±20V 2700 pF bei 40 V - 87W (Tc)
TPCP8F01(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8F01(TE85L,F,M -
Anfrage
 ECAD 3838 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet 20V Lastschalter Oberflächenmontage 8-SMD, Flachanschluss TPCP8 PS-8 herunterladen RoHS-konform TPCP8F01(TE85LFM EAR99 8541.21.0095 3.000 3A PNP, N-Kanal
RN1107,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107,LXHF(CT 0,3300
Anfrage
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage Automobil, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SC-75, SOT-416 RN1107 100 mW SSM herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA 500nA NPN – Voreingestellt 300 mV bei 250 µA, 5 mA 80 bei 10 mA, 5 V 250 MHz 10 kOhm 47 kOhm
TK3R9E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R9E10PL,S1X 2.3700
Anfrage
 ECAD 100 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv 175°C Durchgangsloch TO-220-3 TK3R9E10 MOSFET (Metalloxid) TO-220 herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 V 100A (Tc) 4,5 V, 10 V 3,9 mOhm bei 50 A, 10 V 2,5 V bei 1 mA 96 nC bei 10 V ±20V 6320 pF bei 50 V - 230 W (Tc)
SSM3K121TU Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K121TU -
Anfrage
 ECAD 6715 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Aktiv 150°C Oberflächenmontage 3-SMD, flache Anschlüsse MOSFET (Metalloxid) UFM herunterladen 264-SSM3K121TU EAR99 8541.21.0095 1 N-Kanal 20 V 3,2A (Ta) 1,5 V, 4 V 48 mOhm bei 2 A, 4 V 1 V bei 1 mA 5,9 nC bei 4 V ±10V 400 pF bei 10 V - 500 mW (Ta)
TJ40S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ40S04M3L(T6L1,NQ 1.7200
Anfrage
 ECAD 1939 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSVI Tape & Reel (TR) Aktiv 175°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 TJ40S04 MOSFET (Metalloxid) DPAK+ herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 40 V 40A (Ta) 6V, 10V 9,1 mOhm bei 20 A, 10 V 3V bei 1mA 83 nC bei 10 V +10V, -20V 4140 pF bei 10 V - 68W (Tc)
TK10A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A80E,S4X 2.4200
Anfrage
 ECAD 117 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage π-MOSVIII Rohr Aktiv 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket TK10A80 MOSFET (Metalloxid) TO-220SIS herunterladen ROHS3-konform Nicht zutreffend EAR99 8541.29.0095 50 N-Kanal 800 V 10A (Ta) 10V 1 Ohm bei 5 A, 10 V 4V bei 1mA 46 nC bei 10 V ±30V 2000 pF bei 25 V - 50 W (Tc)
CRZ43(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ43(TE85L,Q,M) -
Anfrage
 ECAD 6678 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet ±10 % -40°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOD-123F CRZ43 700 mW S-FLACH (1,6x3,5) herunterladen RoHS-konform CRZ43(TE85LQM) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V bei 200 mA 10 µA bei 34,4 V 43 V 40 Ohm
CMZ24(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ24(TE12L,Q,M) 0,5400
Anfrage
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv ±10 % -40°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOD-128 CMZ24 2 W M-FLACH (2,4x3,8) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V bei 200 mA 10 µA bei 17 V 24 V 30 Ohm
CVJ10F30,LF Toshiba Semiconductor and Storage CVJ10F30,LF 0,3800
Anfrage
 ECAD 129 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage 6-SMD (5 Anschlüsse), Flachanschluss CVJ10F30 Schottky UFV herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0080 3.000 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 2 Unabhängig 30 V 1A 570 mV bei 1 A 50 µA bei 30 V 125 °C (max.)
RN1109,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1109,LF(CT 0,2000
Anfrage
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SC-75, SOT-416 RN1109 100 mW SSM herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100mA 100nA (ICBO) NPN – Voreingestellt 300 mV bei 250 µA, 5 mA 70 bei 10 mA, 5 V 250 MHz 47 kOhm 22 kOhm
SSM3K15CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15CT,L3F -
Anfrage
 ECAD 3038 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C Oberflächenmontage SC-101, SOT-883 SSM3K15 MOSFET (Metalloxid) CST3 herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 30 V 100mA (Ta) 2,5 V, 4 V 4 Ohm bei 10 mA, 4 V 1,5 V bei 100 µA ±20V 7,8 pF bei 3 V - 100 mW (Ta)
RN1108CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1108CT(TPL3) -
Anfrage
 ECAD 5255 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet Oberflächenmontage SC-101, SOT-883 RN1108 50 mW CST3 herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 10.000 20 V 50mA 500nA NPN – Voreingestellt 150 mV bei 250 µA, 5 mA 120 bei 10 mA, 5 V 22 kOhm 47 kOhm
TK1K0A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K0A60F,S4X 1.1100
Anfrage
 ECAD 68 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv 150°C Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket TK1K0A60 MOSFET (Metalloxid) TO-220SIS herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 7,5 A (Ta) 10V 1 Ohm bei 3,8 A, 10 V 4 V bei 770 µA 24 nC bei 10 V ±30V 890 pF bei 300 V - 40 W (Tc)
2SA1244-Y(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1244-Y(T6L1,NQ) 0,9600
Anfrage
 ECAD 8236 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 1 W PW-FORM herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 2.000 50 V 5 A 1µA (ICBO) PNP 400 mV bei 150 mA, 3 A 70 bei 1A, 1V 60 MHz
2SA1971(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1971(TE12L,F) 0,6500
Anfrage
 ECAD 900 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-243AA 500 mW PW-MINI herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 1.000 400 V 500mA 10µA (ICBO) PNP 1 V bei 10 mA, 100 mA 140 bei 100 mA, 5 V 35 MHz
2SA1930(ONK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930(ONK,Q,M) -
Anfrage
 ECAD 2894 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket 2SA1930 2 W TO-220NIS herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0075 1 180 V 2 A 5 µA (ICBO) PNP 1 V bei 100 mA, 1 A 100 bei 100 mA, 5 V 200 MHz
TK12P60W,RVQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W,RVQ(S -
Anfrage
 ECAD 2958 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage DTMOSIV Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C Oberflächenmontage TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 TK12P60 MOSFET (Metalloxid) DPAK herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TK12P60WRVQ(S EAR99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 600 V 11,5 A (Ta) 10V 340 mOhm bei 5,8 A, 10 V 3,7 V bei 600 µA 25 nC bei 10 V ±30V 890 pF bei 300 V - 100 W (Tc)
TRS10V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS10V65H,LQ 2.8900
Anfrage
 ECAD 5 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage 4-VSFN freiliegendes Pad SiC (Siliziumkarbid) Schottky 4-DFN-EP (8x8) - ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0080 2.500 Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) 650 V 1,35 V bei 10 A 0 ns 100 µA bei 650 V 175°C 10A 649pF bei 1V, 1MHz
TPC6111(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6111(TE85L,F,M) -
Anfrage
 ECAD 3219 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSV Tape & Reel (TR) Veraltet 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6 TPC6111 MOSFET (Metalloxid) VS-6 (2,9x2,8) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 20 V 5,5A (Ta) 1,5 V, 4,5 V 40 mOhm bei 2,8 A, 4,5 V 1 V bei 1 mA 10 nC bei 5 V ±8V 700 pF bei 10 V - 700 mW (Ta)
TK55S10N1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK55S10N1,LQ 2.9700
Anfrage
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSVIII-H Tape & Reel (TR) Aktiv 175°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 TK55S10 MOSFET (Metalloxid) DPAK+ herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 100 V 55A (Ta) 10V 6,5 mOhm bei 27,5 A, 10 V 4 V bei 500 µA 49 nC bei 10 V ±20V 3280 pF bei 10 V - 157W (Tc)
TK5A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60W,S4VX 2.1100
Anfrage
 ECAD 7138 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage DTMOSIV Rohr Aktiv 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket TK5A60 MOSFET (Metalloxid) TO-220SIS - ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 5,4A (Ta) 10V 900 mOhm bei 2,7 A, 10 V 3,7 V bei 270 µA 10,5 nC bei 10 V ±30V 380 pF bei 300 V - 30W (Tc)
RN1104,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104,LF(CT 0,2000
Anfrage
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SC-75, SOT-416 RN1104 100 mW SSM herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100mA 500nA NPN – Voreingestellt 300 mV bei 250 µA, 5 mA 80 bei 10 mA, 5 V 250 MHz 47 kOhm 47 kOhm
HN3C10FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10FUTE85LF 0,5600
Anfrage
 ECAD 101 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv - Oberflächenmontage 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN3C10 200 mW US6 - RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 11,5 dB 12V 80mA 2 NPN (Dual) 80 bei 20 mA, 10 V 7GHz 1,1 dB bei 1 GHz
  • Daily average RFQ Volume

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    Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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    Weltweite Hersteller

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