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Diskette HalblerProdukte (2909)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) Kapazitätsverhöltnis Kapazitätsverhöltnis Q @ vr, f
TK5A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60D (STA4, Q, M) 1.5700
RFQ
 ECAD 3980 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung π-mosvii Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack TK5A60 MOSFET (Metalloxid) To-220sis Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 5a (ta) 10V 1,43OHM @ 2,5a, 10V 4,4 V @ 1ma 16 NC @ 10 V ± 30 v 700 PF @ 25 V. - - - 35W (TC)
SSM6N55NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N55NU, LF 0,4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-WDFN Exponierte Pad SSM6N55 MOSFET (Metalloxid) 1W 6-µdfn (2x2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 30V 4a 46mohm @ 4a, 10V 2,5 V @ 100 µA 2,5nc @ 4,5 V 280pf @ 15V Logikpegel -tor
2SK2145-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-BL (TE85L, f 0,6800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 2SK2145 300 MW SMV Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 13pf @ 10v 6 ma @ 10 v 200 MV @ 100 NA
CUS520,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS520, H3F 0,2000
RFQ
 ECAD 707 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 CUS520 Schottky USC Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 280 mv @ 10 mA 5 µa @ 30 V 125 ° C (max) 200 ma 17pf @ 0v, 1 MHz
XPH2R106NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH2R106NC, L1XHQ 2.1700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automotive, AEC-Q101, U-Mosviii-H Band & Rollen (TR) Aktiv 175 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,197 ", 5,00 mm Breit) XPH2R106 MOSFET (Metalloxid) 8-fuß-äharsch (5x5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 60 v 110a (ta) 2,1 MOHM @ 55A, 10V 2,5 V @ 1ma 104 NC @ 10 V ± 20 V 6900 PF @ 10 V. - - - 960 MW (TA), 170 W (TC)
TK5P53D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK5P53D (T6RSS-q) 1.3400
RFQ
 ECAD 4199 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 TK5P53 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 525 v 5a (ta) 10V 1,5OHM @ 2,5a, 10 V. 4,4 V @ 1ma 11 NC @ 10 V ± 30 v 540 PF @ 25 V. - - - 80W (TC)
RN4987FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN4987 100 MW Es6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 500NA 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz, 200 MHz 10kohm 47kohm
HN1C01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-y, LXHF 0,4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C01 200 MW US6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) 2 NPN (Dual) 250mv @ 10 mA, 100 mA 120 @ 2MA, 6V 80MHz
RN2710,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2710, lf 0,3000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2710 200 MW USV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 120 @ 1ma, 5V 200 MHz 4.7kohm - - -
CRZ36(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ36 (TE85L, Q, M) 0,4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123F CRZ36 700 MW S-flat (1,6x3,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 28,8 V. 36 v 30 Ohm
RN1908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908, LXHF (CT 0,3600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1908 200 MW US6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 22kohm 47kohm
TPCF8304(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8304 (TE85L, F, M. - - -
RFQ
 ECAD 5747 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-smd, Flaches Blei TPCF8304 MOSFET (Metalloxid) 330 MW VS-8 (2,9x1,5) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 2 p-kanal (dual) 30V 3.2a 72mohm @ 1,6a, 10V 1,2 V @ 1ma 14nc @ 10v 600PF @ 10V Logikpegel -tor
RN1101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101, LXHF (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 RN1101 100 MW SSM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 30 @ 10ma, 5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TK31Z60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK31Z60X, S1F 12.4300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv 150 ° C. K. Loch To-247-4 TK31Z60 MOSFET (Metalloxid) To-247-4l (t) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 600 V 30,8a (TA) 10V 88mohm @ 9.4a, 10V 3,5 V @ 1,5 mA 65 NC @ 10 V ± 30 v 3000 PF @ 300 V - - - 230W (TC)
HN1C03F-B(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03F-B (TE85L, F) 0,1485
RFQ
 ECAD 6796 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 HN1C03 300 MW Sm6 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 20V 300 ma 100NA (ICBO) 2 NPN (Dual) 100 mv @ 3ma, 30 mA 350 @ 4ma, 2v 30 MHz
TPN14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN14006NH, L1Q 0,3533
RFQ
 ECAD 4019 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosviii-h Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn TPN14006 MOSFET (Metalloxid) 8-Tson-Fortschnitt (3.1x3.1) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 60 v 13a (ta) 6,5 V, 10 V. 14mohm @ 6.5a, 10V 4 V @ 200 µA 15 NC @ 10 V ± 20 V 1300 PF @ 30 V - - - 700 MW (TA), 30W (TC)
TPC6012(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012 (TE85L, F, M) - - -
RFQ
 ECAD 5714 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosiv Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 TPC6012 MOSFET (Metalloxid) VS-6 (2,9x2,8) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 6a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 20mohm @ 3a, 4,5 V. 1,2 V @ 200 ähm 9 NC @ 5 V ± 12 V 630 PF @ 10 V - - - 700 MW (TA)
TK42A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK42A12N1, S4X 1.4900
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosviii-h Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack TK42A12 MOSFET (Metalloxid) To-220sis Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 120 v 42a (TC) 10V 9,4mohm @ 21a, 10V 4v @ 1ma 52 NC @ 10 V ± 20 V 3100 PF @ 60 V - - - 35W (TC)
TPH1R306PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL1, LQ 2.4200
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-MOSIX-H Band & Rollen (TR) Aktiv 175 ° C. Oberflächenhalterung 8-Powertdfn MOSFET (Metalloxid) 8-Fuß-Fortschnitt (5x5,75) - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 60 v 100a (TC) 4,5 V, 10 V. 1,34mohm @ 50a, 10 V. 2,5 V @ 1ma 91 nc @ 10 v ± 20 V 8100 PF @ 30 V - - - 960 MW (TA), 210 W (TC)
SSM3J325F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J325F, LF 0,4100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosvi Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 SSM3J325 MOSFET (Metalloxid) S-mini Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 20 v 2a (ta) 1,5 V, 4,5 V. 150 MOHM @ 1A, 4,5 V. - - - 4,6 NC @ 4,5 V. ± 8 v 270 PF @ 10 V. - - - 600 MW (TA)
TK16G60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16G60W5, RVQ 3.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosiv Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C. Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 600 V 15,8a (TA) 10V 230mohm @ 7.9a, 10V 4,5 V @ 790 ähm 43 NC @ 10 V ± 30 v 1350 PF @ 300 V - - - 130W (TC)
1SV323,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV323, H3F 0,3800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 1SV323 Esc Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 4.000 7.1PF @ 4V, 1 MHz Einzel 10 v 4.3 C1/C4 - - -
1SV239TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV239TPH3F 0,4300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 1SV239 USC Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 3.000 2PF @ 10V, 1 MHz Einzel 15 v 2.4 C2/C10 - - -
SSM3K316T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K316T (TE85L, F) - - -
RFQ
 ECAD 3620 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 SSM3K316 MOSFET (Metalloxid) TSM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 30 v 4a (ta) 1,8 V, 10 V. 53mohm @ 3a, 10V 1v @ 1ma 4,3 NC @ 4 V. ± 12 V 270 PF @ 10 V. - - - 700 MW (TA)
TK5A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK5A65W, S5X 1.6000
RFQ
 ECAD 1655 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosiv Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack TK5A65 MOSFET (Metalloxid) To-220sis - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 650 V 5.2a (TA) 10V 1,2OHM @ 2,6a, 10V 3,5 V @ 170 ähm 10.5 NC @ 10 V ± 30 v 380 PF @ 300 V - - - 30W (TC)
TK3P80E,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK3P80E, RQ 1.1500
RFQ
 ECAD 4414 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C. Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) Dpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 800 V 3a (ta) 10V 4,9ohm bei 1,5a, 10 V 4V @ 300 ähm 12 NC @ 10 V ± 30 v 500 PF @ 25 V. - - - 80W (TC)
TK28A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK28A65W, S5X 5.0100
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosiv Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack TK28A65 MOSFET (Metalloxid) To-220sis Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 650 V 27,6a (TA) 10V 110MOHM @ 13.8a, 10V 3,5 V @ 1,6 mA 75 NC @ 10 V ± 30 v 3000 PF @ 300 V - - - 45W (TC)
TRS16N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS16N65FB, S1Q 6.0900
RFQ
 ECAD 238 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-3 TRS16N65 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TRS16N65FBS1Q Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 650 V 8a (DC) 1,6 V @ 8 a 0 ns 40 µa @ 650 V 175 ° C.
T2N7002BK,LM Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002BK, LM 0,1700
RFQ
 ECAD 187 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosvii-H Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 T2N7002 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 60 v 400 mA (TA) 4,5 V, 10 V. 1,5OHM @ 100 mA, 10V 2,1 V @ 250 ähm 0,6 NC @ 4,5 V. ± 20 V 40 PF @ 10 V - - - 320 MW (TA)
2SK4017(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4017 (q) - - -
RFQ
 ECAD 1117 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosiii Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-251-3 Stub Leads, ipak 2SK4017 MOSFET (Metalloxid) Pw-mold2 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 200 N-Kanal 60 v 5a (ta) 4 V, 10V 100mohm @ 2,5a, 10 V 2,5 V @ 1ma 15 NC @ 10 V ± 20 V 730 PF @ 10 V. - - - 20W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus

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