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Diskrete Halbleiterprodukte (2909)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET-Typ	Strom – max	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Diodenkonfiguration	Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)	Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)	Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If	Reverse Recovery Time (trr)	Strom – Rückwärtsleckage bei Vr	Betriebstemperatur – Verbindungsstelle	Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	Kapazität @ Vr, F	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Diodentyp	Spannung – Spitzenumkehr (max.)	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	Widerstand @ If, F	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang	Widerstand - Basis (R1)	Widerstand – Emitterbasis (R2)
HN1D02FU,LF	0,4400	Anfrage	5	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	HN1D02	Standard		US6	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0070	3.000		Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit													2 Paar gemeinsame Kathode	80 V	100mA	1,2 V bei 100 mA	4 ns	500 nA bei 80 V	125 °C (max.)
JDP2S02AFS(TPL3)	0,4700	Anfrage	1	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C (TJ)		2-SMD, Flachanschluss	JDP2S02			fSC	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0070	10.000				50mA																			0,4 pF bei 1 V, 1 MHz			PIN – Single	30V		1,5 Ohm bei 10 mA, 100 MHz
CMG06A,LQ(M	-	Anfrage	9033	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Kasten	Aktiv		Oberflächenmontage	SOD-128		Standard		M-FLACH (2,4x3,8)	herunterladen				EAR99	8541.10.0080	1		Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io)														600 V		1,1 V bei 1 A		5 µA bei 600 V	150°C	1A	-
CMS02(TE12L)	-	Anfrage	6247	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Schnittband (CT)	Veraltet		Oberflächenmontage	SOD-128	CMS02	Schottky		M-FLACH (2,4x3,8)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0080	3.000		Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)														30 V		400 mV bei 3 A		500 µA bei 30 V	-40 °C ~ 125 °C	3A	-
TPCC8136.LQ	-	Anfrage	7165	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSVI	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN	TPCC8136	MOSFET (Metalloxid)		8-TSON Advance (3,1x3,1)	-		1 (Unbegrenzt)	264-TPCC8136.LQTR	EAR99	8541.29.0095	3.000			P-Kanal		20 V	9,4A (Ta)	1,8 V, 4,5 V	16 mOhm bei 9,4 A, 4,5 V	1,2 V bei 1 mA	36 nC bei 5 V	±12V	2350 pF bei 10 V	-	700 mW (Ta), 18 W (Tc)
2SC2229-Y(T6MIT1FM	-	Anfrage	1667	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 Langkörper	2SC2229		800 mW	TO-92MOD	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	2SC2229YT6MIT1FM	EAR99	8541.21.0075	1																								150 V	50mA			100nA (ICBO)		NPN	500 mV bei 1 mA, 10 mA	70 bei 10 mA, 5 V	120 MHz
SSM3K35CTC,L3F	0,3200	Anfrage	109	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSIII	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-101, SOT-883	SSM3K35	MOSFET (Metalloxid)		CST3C	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0095	10.000			N-Kanal		20 V	250mA (Ta)	1,2 V, 4,5 V	1,1 Ohm bei 150 mA, 4,5 V	1 V bei 100 µA	0,34 nC bei 4,5 V	±10V	36 pF bei 10 V	-	500 mW (Ta)
SSM3K35MFV(TPL3)	-	Anfrage	8872	Toshiba Semiconductor und Storage	π-MOSVI	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-723	SSM3K35	MOSFET (Metalloxid)		VESM	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0095	8.000			N-Kanal		20 V	180mA (Ta)	1,2 V, 4 V	3 Ohm bei 50 mA, 4 V	1 V bei 1 mA		±10V	9,5 pF bei 3 V	-	150 mW (Ta)
RN1309(TE85L,F)	0,2700	Anfrage	895	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	SC-70, SOT-323	RN1309		100 mW	SC-70	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0075	3.000																								50 V	100mA			500nA		NPN – Voreingestellt	300 mV bei 250 µA, 5 mA	70 bei 10 mA, 5 V	250 MHz	47 kOhm	22 kOhm
TK6A80E,S4X	1.8900	Anfrage	15	Toshiba Semiconductor und Storage	π-MOSVIII	Rohr	Aktiv	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket	TK6A80	MOSFET (Metalloxid)		TO-220SIS	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	50			N-Kanal		800 V	6A (Ta)	10V	1,7 Ohm bei 3 A, 10 V	4 V bei 600 µA	32 nC bei 10 V	±30V	1350 pF bei 25 V	-	45W (Tc)
2SC3665-Y,T2NSF(J	-	Anfrage	3531	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Durchgangsloch	SC-71	2SC3665		1 W	MSTM	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0075	1																								120 V	800 mA			100nA (ICBO)		NPN	1 V bei 50 mA, 500 mA	80 bei 100 mA, 5 V	120 MHz
2SC3665-Y(T2NSW,FM	-	Anfrage	1068	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Durchgangsloch	SC-71	2SC3665		1 W	MSTM	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0075	1																								120 V	800 mA			100nA (ICBO)		NPN	1 V bei 50 mA, 500 mA	80 bei 100 mA, 5 V	120 MHz
1SS389,L3F	0,2000	Anfrage	3437	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	SC-79, SOD-523	1SS389	Schottky		ESC	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0070	8.000		Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)														10 V		500 mV bei 100 mA		20 µA bei 10 V	125 °C (max.)	100mA	40 pF bei 0 V, 1 MHz
2SA1244-Y(Q)	-	Anfrage	1152	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Rohr	Veraltet	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA	2SA1244		1 W	PW-FORM	-		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0075	200																								50 V	5 A			1µA (ICBO)		PNP	400 mV bei 150 mA, 3 A	120 bei 1A, 1V	60 MHz
TPN6R003NL,LQ	0,8800	Anfrage	9982	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSVIII-H	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN	TPN6R003	MOSFET (Metalloxid)		8-TSON Advance (3,1x3,1)	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-Kanal		30 V	27A (Tc)	4,5 V, 10 V	6 mOhm bei 13,5 A, 10 V	2,3 V bei 200 µA	17 nC bei 10 V	±20V	1400 pF bei 15 V	-	700 mW (Ta), 32 W (Tc)
SSM6L16FETE85LF	0,3800	Anfrage	29	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Nicht für neue Designs	150°C (TA)	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SSM6L16	MOSFET (Metalloxid)	150 mW	ES6	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0095	4.000	N- und P-Kanal				20V	100mA		3 Ohm bei 10 mA, 4 V	1,1 V bei 100 µA	-		9,3 pF bei 3 V	-
TPH1R306PL1,LQ	2.4200	Anfrage	9668	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSIX-H	Tape & Reel (TR)	Aktiv	175°C	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-SOP-Vorschuss (5x5,75)	-		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	5.000			N-Kanal		60 V	100A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,34 mOhm bei 50 A, 10 V	2,5 V bei 1 mA	91 nC bei 10 V	±20V	8100 pF bei 30 V	-	960 mW (Ta), 210 W (Tc)
SSM6J808R,LF	0,6400	Anfrage	5	Toshiba Semiconductor und Storage	Automobil, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C	Oberflächenmontage	6-SMD, flache Anschlüsse	SSM6J808	MOSFET (Metalloxid)		6-TSOP-F	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	3.000			P-Kanal		40 V	7A (Ta)	4V, 10V	35 mOhm bei 2,5 A, 10 V	2V bei 100µA	24,2 nC bei 10 V	+10V, -20V	1020 pF bei 10 V	-	1,5 W (Ta)
TPCA8A02-H(TE12LQM	-	Anfrage	8734	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSV-H	Tape & Reel (TR)	Veraltet	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN	TPCA8A02	MOSFET (Metalloxid)		8-SOP-Vorschuss (5x5)	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-Kanal		30 V	34A (Ta)	4,5 V, 10 V	5,3 mOhm bei 17 A, 10 V	2,3 V bei 1 mA	36 nC bei 10 V	±20V	3430 pF bei 10 V	-	1,6 W (Ta), 45 W (Tc)
TK290P60Y,RQ	1.7400	Anfrage	1946	Toshiba Semiconductor und Storage	DTMOSV	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63	TK290P60	MOSFET (Metalloxid)		DPAK	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	2.000			N-Kanal		600 V	11,5 A (Tc)	10V	290 mOhm bei 5,8 A, 10 V	4 V bei 450 µA	25 nC bei 10 V	±30V	730 pF bei 300 V	-	100 W (Tc)
RN2109CT(TPL3)	-	Anfrage	8190	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet		Oberflächenmontage	SC-101, SOT-883	RN2109		50 mW	CST3	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0095	10.000																								20 V	50mA			500nA		PNP – Voreingestellt	150 mV bei 250 µA, 5 mA	100 bei 10 mA, 5 V		47 kOhm	22 kOhm
SSM6P15FE(TE85L,F)	0,4200	Anfrage	7	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SSM6P15	MOSFET (Metalloxid)	150 mW	ES6	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0095	4.000	2 P-Kanal (Dual)				30V	100mA		12 Ohm bei 10 mA, 4 V	1,7 V bei 100 µA	-		9,1 pF bei 3 V	Logikpegel-Gate
TPCC8005-H(TE12LQM	-	Anfrage	7033	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSVI-H	Tape & Reel (TR)	Veraltet	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-VDFN freiliegendes Pad	TPCC8005	MOSFET (Metalloxid)		8-TSON Advance (3,3x3,3)	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-Kanal		30 V	26A (Ta)	4,5 V, 10 V	6,4 mOhm bei 13 A, 10 V	2,3 V bei 500 µA	35 nC bei 10 V	±20V	2900 pF bei 10 V	-	700 mW (Ta), 30 W (Tc)
TW140Z120C,S1F	10.2200	Anfrage	120	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Rohr	Aktiv	175°C	Durchgangsloch	TO-247-4		SiC (Siliziumkarbid-Junction-Transistor)		TO-247-4L(X)	-	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	30			N-Kanal		1200 V	20A (Tc)	18V	191 mOhm bei 10 A, 18 V	5 V bei 1 mA	24 nC bei 18 V	+25V, -10V	691 pF bei 800 V	-	107W (Tc)
TPC8062-H,LQ(CM	-	Anfrage	2139	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSVII-H	Tape & Reel (TR)	Veraltet	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite)	TPC8062	MOSFET (Metalloxid)		8-SOP	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-Kanal		30 V	18A (Ta)	4,5 V, 10 V	5,8 mOhm bei 9 A, 10 V	2,3 V bei 300 µA	34 nC bei 10 V	±20V	2900 pF bei 10 V	-	1W (Ta)
CBS10F40,L3F	0,4300	Anfrage	10	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	SOD-882	CBS10F40	Schottky		CST2B	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0080	10.000		Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)														40 V		700 mV bei 1 A		20 µA bei 40 V	150 °C (max.)	1A	74 pF bei 0 V, 1 MHz
2SA1987-O(Q)	3.4500	Anfrage	1	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Schüttgut	Aktiv	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-3PL	2SA1987		180 W	TO-3P(L)	herunterladen	ROHS3-konform	Nicht zutreffend		EAR99	8541.29.0075	100																								230 V	15 A			5µA (ICBO)		PNP	3 V bei 800 mA, 8 A	80 @ 1A, 5V	30 MHz
2SA1930,Q(J	-	Anfrage	3454	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket	2SA1930		2 W	TO-220NIS	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0075	1																								180 V	2 A			5µA (ICBO)		PNP	1 V bei 100 mA, 1 A	100 bei 100 mA, 5 V	200 MHz
TPCF8402(TE85L,F,M	-	Anfrage	3491	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SMD, Flachanschluss	TPCF8402	MOSFET (Metalloxid)	330 mW	VS-8 (2,9x1,5)	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0095	4.000	N- und P-Kanal				30V	4A, 3,2A		50 mOhm bei 2 A, 10 V	2V bei 1mA	10 nC bei 10 V		470pF bei 10V	Logikpegel-Gate
TPH7R204PL,LQ	0,6500	Anfrage	22	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSIX-H	Tape & Reel (TR)	Aktiv	175°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN	TPH7R204	MOSFET (Metalloxid)		8-SOP-Vorschuss (5x5)	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-Kanal		40 V	48A (Tc)	4,5 V, 10 V	9,7 mOhm bei 15 A, 4,5 V	2,4 V bei 200 µA	24 nC bei 10 V	±20V	2040 pF bei 20 V	-	69W (Tc)