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Diskrete Halbleiterprodukte (2909)

Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Toleranz Betriebstemperatur Montageart Paket/Koffer Basisproduktnummer Technologie Leistung – max Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Geschwindigkeit FET-Typ Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds FET-Funktion Verlustleistung (max.) Diodenkonfiguration Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If Reverse Recovery Time (trr) Strom – Rückwärtsleckage bei Vr Betriebstemperatur – Verbindungsstelle Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Kapazität @ Vr, F Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom – Kollektorabschaltung (max.) Spannung – Zener (Nom) (Vz) Impedanz (Max) (Zzt) Transistortyp Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce Häufigkeit – Übergang Widerstand - Basis (R1) Widerstand – Emitterbasis (R2)
2SD1221-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1221-Y(Q) -
Anfrage
 ECAD 3084 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 2SD1221 1 W PW-FORM herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 200 60 V 3 A 100 µA (ICBO) NPN 1 V bei 300 mA, 3 A 100 bei 500 mA, 5 V 3 MHz
RN2413,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2413,LF 0,0309
Anfrage
 ECAD 2205 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Aktiv - ROHS3-konform 264-RN2413,LFTR 3.000
TK5P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P60W,RVQ 1.8600
Anfrage
 ECAD 10 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage DTMOSIV Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 TK5P60 MOSFET (Metalloxid) DPAK - ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 600 V 5,4A (Ta) 10V 900 mOhm bei 2,7 A, 10 V 3,7 V bei 270 µA 10,5 nC bei 10 V ±30V 380 pF bei 300 V - 60 W (Tc)
TK19A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK19A50W,S5X 2.7800
Anfrage
 ECAD 9378 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage DTMOSIV Rohr Aktiv 150°C Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket MOSFET (Metalloxid) TO-220SIS herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 50 N-Kanal 500 V 18,5 A (Ta) 10V 190 mOhm bei 7,9 A, 10 V 3,7 V bei 790 µA 38 nC bei 10 V ±30V 1350 pF bei 300 V - 40 W (Tc)
SSM3J66MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J66MFV,L3F 0,3800
Anfrage
 ECAD 7 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSVI Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C Oberflächenmontage SOT-723 SSM3J66 MOSFET (Metalloxid) VESM herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 8.000 P-Kanal 20 V 800mA (Ta) 1,2 V, 4,5 V 390 mOhm bei 800 mA, 4,5 V 1 V bei 1 mA 1,6 nC bei 4,5 V +6V, -8V 100 pF bei 10 V - 150 mW (Ta)
RN2967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2967FE(TE85L,F) -
Anfrage
 ECAD 6068 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet Oberflächenmontage SOT-563, SOT-666 RN2967 100 mW ES6 herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100nA (ICBO) 2 PNP – voreingestellt (Dual) 300 mV bei 250 µA, 5 mA 80 bei 10 mA, 5 V 200 MHz 10kOhm 47kOhm
2SA2056(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2056(TE85L,F) 0,1275
Anfrage
 ECAD 9013 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA2056 625 mW TSM herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 2 A 100nA (ICBO) PNP 200 mV bei 33 mA, 1 A 200 bei 300 mA, 2 V -
2SJ377(TE16R1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ377(TE16R1,NQ) -
Anfrage
 ECAD 5182 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 2SJ377 MOSFET (Metalloxid) PW-FORM herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 60 V 5A (Ta) 4V, 10V 190 mOhm bei 2,5 A, 10 V 2V bei 1mA 22 nC bei 10 V ±20V 630 pF bei 10 V - 20W (Tc)
2SK2963(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2963(TE12L,F) -
Anfrage
 ECAD 5608 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-243AA 2SK2963 MOSFET (Metalloxid) PW-MINI herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 1.000 N-Kanal 100 V 1A (Ta) 4V, 10V 700 mOhm bei 500 mA, 10 V 2V bei 1mA 6,3 nC bei 10 V ±20V 140 pF bei 10 V - 500 mW (Ta)
CRZ18(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ18(TE85L,Q) -
Anfrage
 ECAD 4043 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet ±10 % -40°C ~ 150°C Oberflächenmontage SOD-123F CRZ18 700 mW S-FLACH (1,6x3,5) herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V bei 200 mA 10 µA bei 13 V 18 V 30 Ohm
1SS361FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS361FV,L3F 0,2000
Anfrage
 ECAD 6067 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SOT-723 1SS361 Standard VESM herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0070 8.000 Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit 1 Paar gemeinsame Kathode 80 V 100mA 1,2 V bei 100 mA 4 ns 500 nA bei 80 V 150 °C (max.)
TPH9R506PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R506PL,LQ 0,8300
Anfrage
 ECAD 112 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSIX-H Tape & Reel (TR) Aktiv 175°C Oberflächenmontage 8-PowerVDFN TPH9R506 MOSFET (Metalloxid) 8-SOP-Vorschuss (5x5) herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 60 V 34A (Tc) 4,5 V, 10 V 9,5 mOhm bei 17 A, 10 V 2,5 V bei 200 µA 21 nC bei 10 V ±20V 1910 pF bei 30 V - 830 mW (Ta), 81 W (Tc)
RN4911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911FE,LXHF(CT 0,3800
Anfrage
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage Automobil, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SOT-563, SOT-666 RN4911 100 mW ES6 herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100nA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP – vorgespannt (dual) 300 mV bei 250 µA, 5 mA 120 bei 1 mA, 5 V 200 MHz, 250 MHz 10kOhm -
RN1906,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1906,LXHF(CT 0,3600
Anfrage
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage Automobil, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1906 200 mW US6 herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500nA 2 NPN – Vorgespannt (Dual) 300 mV bei 250 µA, 5 mA 80 bei 10 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm 47kOhm
SSM3J371R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J371R,LXHF 0,4000
Anfrage
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage Automobil, AEC-Q101, U-MOSVI Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C Oberflächenmontage SOT-23-3-Flachleitungen MOSFET (Metalloxid) SOT-23F herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 20 V 4A (Ta) 1,5 V, 4,5 V 55 mOhm bei 3 A, 4,5 V 1 V bei 1 mA 10,4 nC bei 4,5 V +6V, -8V 630 pF bei 10 V - 1W (Ta)
RN4909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909,LF(CT 0,2800
Anfrage
 ECAD 3137 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4909 200 mW US6 herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500nA 1 NPN, 1 PNP – vorgespannt (dual) 300 mV bei 250 µA, 5 mA 70 bei 10 mA, 5 V 200 MHz, 250 MHz 47kOhm 22kOhm
CRS10I30C(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I30C(TE85L,QM 0,4500
Anfrage
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SOD-123F CRS10I30 Schottky S-FLACH (1,6x3,5) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0080 3.000 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 30 V 360 mV bei 1 A 100 µA bei 30 V 150 °C (max.) 1A 82pF bei 10V, 1MHz
TK25E60X5,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK25E60X5,S1X 4.5900
Anfrage
 ECAD 50 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage DTMOSIV-H Rohr Aktiv 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 TK25E60 MOSFET (Metalloxid) TO-220 herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 25A (Ta) 10V 140 mOhm bei 7,5 A, 10 V 4,5 V bei 1,2 mA 60 nC bei 10 V ±30V 2400 pF bei 300 V - 180 W (Tc)
XPN6R706NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN6R706NC,L1XHQ 1.4200
Anfrage
 ECAD 29 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSVIII-H Tape & Reel (TR) Aktiv 175°C Oberflächenmontage 8-PowerVDFN XPN6R706 MOSFET (Metalloxid) 8-TSON Advance-WF (3,1x3,1) herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 60 V 40A (Ta) 4,5 V, 10 V 6,7 mOhm bei 20 A, 10 V 2,5 V bei 300 µA 35 nC bei 10 V ±20V 2000 pF bei 10 V - 840 mW (Ta), 100 W (Tc)
RN1964TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1964TE85LF 0,3400
Anfrage
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1964 200 mW US6 herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100nA (ICBO) 2 NPN – Vorgespannt (Dual) 300 mV bei 250 µA, 5 mA 80 bei 10 mA, 5 V 250 MHz 47kOhm 47kOhm
HN2D01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2D01JE(TE85L,F) 0,4100
Anfrage
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SOT-553 HN2D01 Standard ESV herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0070 4.000 Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit 2 Unabhängig 80 V 100mA 1,2 V bei 100 mA 1,6 ns 500 nA bei 80 V 150 °C (max.)
CRF03A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CRF03A,LQ(M -
Anfrage
 ECAD 5905 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Kasten Aktiv Oberflächenmontage SOD-123F Standard S-FLACH (1,6x3,5) herunterladen EAR99 8541.10.0080 1 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 600 V 2 V bei 700 mA 100 ns 50 µA bei 600 V 150°C 700mA -
TK31A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK31A60W,S4VX 7.4700
Anfrage
 ECAD 7047 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage DTMOSIV Rohr Aktiv 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket TK31A60 MOSFET (Metalloxid) TO-220SIS herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 30,8 A (Ta) 10V 88 mOhm bei 15,4 A, 10 V 3,7 V bei 1,5 mA 86 nC bei 10 V ±30V 3000 pF bei 300 V - 45W (Tc)
TPW1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R005PL,L1Q 3.0300
Anfrage
 ECAD 14 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSIX-H Tape & Reel (TR) Aktiv 175°C Oberflächenmontage 8-PowerWDFN TPW1R005 MOSFET (Metalloxid) 8-DSOP-Vorschuss herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 45 V 300A (Tc) 4,5 V, 10 V 2,4 V bei 1 mA 122 nC bei 10 V ±20V 9600 pF bei 22,5 V - 960 mW (Ta), 170 W (Tc)
2SA1873-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1873-Y(TE85L,F) 0,3500
Anfrage
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv 125°C (TJ) Oberflächenmontage 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 2SA1873 200 mW USV herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 150mA 100nA (ICBO) 2 PNP (Dual) Matched Pair, gemeinsamer Emitter 300 mV bei 10 mA, 100 mA 120 bei 2 mA, 6 V 80 MHz
TTA1713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTA1713-GR,LF 0,3100
Anfrage
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TTA1713 200 mW S-Mini herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 45 V 500mA 100nA (ICBO) PNP 400 mV bei 50 mA, 500 mA 180 bei 100 mA, 1 V 80 MHz
CMZ15(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ15(TE12L,Q,M) 0,5400
Anfrage
 ECAD 4730 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv ±10 % -40°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOD-128 CMZ15 2 W M-FLACH (2,4x3,8) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V bei 200 mA 10 µA bei 10 V 15 V 30 Ohm
CMZ27(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ27(TE12L,Q,M) 0,5400
Anfrage
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv ±10 % -40°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOD-128 CMZ27 2 W M-FLACH (2,4x3,8) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V bei 200 mA 10 µA bei 19 V 27 V 30 Ohm
2SC2235-Y,T6USNF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y,T6USNF(M -
Anfrage
 ECAD 4600 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-226-3, TO-92-3 Langkörper 2SC2235 900 mW TO-92MOD herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 mA 100nA (ICBO) NPN 1 V bei 50 mA, 500 mA 80 bei 100 mA, 5 V 120 MHz
TTC008(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTC008(Q) 0,8400
Anfrage
 ECAD 6705 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Aktiv 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA TTC008 1,1 W PW-MOLD2 herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TTC008Q EAR99 8541.29.0095 200 285 V 1,5 A 10µA (ICBO) NPN 1 V bei 62,5 mA, 500 mA 80 bei 1 mA, 5 V -
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