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Diskrete Halbleiterprodukte (2909)

Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Toleranz Betriebstemperatur Montageart Paket/Koffer Basisproduktnummer Technologie Leistung – max Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET-Typ Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds FET-Funktion Verlustleistung (max.) Diodenkonfiguration Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If Reverse Recovery Time (trr) Strom – Rückwärtsleckage bei Vr Betriebstemperatur – Verbindungsstelle Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Kapazität @ Vr, F Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom – Entleerung (Idss) @ Vds (Vgs=0) Spannung – Abschaltung (VGS aus) @ Id Strom – Kollektorabschaltung (max.) Spannung – Zener (Nom) (Vz) Impedanz (Max) (Zzt) Transistortyp Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce Häufigkeit – Übergang Widerstand - Basis (R1) Widerstand – Emitterbasis (R2)
TK6A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A60D(STA4,Q,M) -
Anfrage
 ECAD 7254 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher π-MOSVII Rohr Veraltet 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket TK6A60 MOSFET (Metalloxid) TO-220SIS herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TK6A60DSTA4QM EAR99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 600 V 6A (Ta) 10V 1,25 Ohm bei 3 A, 10 V 4V bei 1mA 16 nC bei 10 V ±30V 800 pF bei 25 V - 40 W (Tc)
CMS10I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS10I40A(TE12L,QM 0,5800
Anfrage
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SOD-128 CMS10 Schottky M-FLACH (2,4x3,8) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0080 3.000 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 40 V 450 mV bei 1 A 100 µA bei 40 V 150 °C (max.) 1A 62pF bei 10V, 1MHz
RN1901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FE,LXHF(CT 0,3800
Anfrage
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher Automobil, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SOT-563, SOT-666 RN1901 100 mW ES6 herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500nA 2 NPN – Vorgespannt (Dual) 300 mV bei 250 µA, 5 mA 30 bei 10 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm 4,7 kOhm
TW027Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW027Z65C,S1F 20.2700
Anfrage
 ECAD 120 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Rohr Aktiv 175°C Durchgangsloch TO-247-4 SiC (Siliziumkarbid-Junction-Transistor) TO-247-4L(X) - ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 30 N-Kanal 650 V 58A (Tc) 18V 38 mOhm bei 29 A, 18 V 5 V bei 3 mA 65 nC bei 18 V +25V, -10V 2288 pF bei 400 V - 156 W (Tc)
1SS403,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS403,H3F 0,3700
Anfrage
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SC-76, SOD-323 1SS403 Standard USC herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0070 3.000 Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit 200 V 1,2 V bei 100 mA 60 ns 1 µA bei 200 V 125 °C (max.) 100mA 3pF bei 0V, 1MHz
RN1961(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1961(TE85L,F) 0,4600
Anfrage
 ECAD 35 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Veraltet Oberflächenmontage 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1961 200 mW US6 herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100nA (ICBO) 2 NPN – Vorgespannt (Dual) 300 mV bei 250 µA, 5 mA 30 bei 10 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm 4,7 kOhm
RN1708,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1708,LF 0,3000
Anfrage
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1708 200 mW USV herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500nA 2 NPN – Vorgespannt (Dual) 300 mV bei 250 µA, 5 mA 80 bei 10 mA, 5 V 250 MHz 22kOhm 47kOhm
TK12A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60D(STA4,Q,M) 3.0200
Anfrage
 ECAD 45 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher π-MOSVII Rohr Aktiv 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket TK12A60 MOSFET (Metalloxid) TO-220SIS herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 12A (Ta) 10V 550 mOhm bei 6 A, 10 V 4V bei 1mA 38 nC bei 10 V ±30V 1800 pF bei 25 V - 45W (Tc)
RN2902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2902FE,LXHF(CT 0,3800
Anfrage
 ECAD 7 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher Automobil, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SOT-563, SOT-666 RN2902 100 mW ES6 herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500nA 2 PNP – voreingestellt (Dual) 300 mV bei 250 µA, 5 mA 50 bei 10 mA, 5 V 200 MHz 10kOhm 10kOhm
2SK2145-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-Y(TE85L,F) 0,6800
Anfrage
 ECAD 26 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv 125°C (TJ) Oberflächenmontage SC-74A, SOT-753 2SK2145 300 mW SMV herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 N-Kanal (Dual) 13pF bei 10V 1,2 mA bei 10 V 200 mV bei 100 nA
TDTA143E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA143E,LM 0,1800
Anfrage
 ECAD 7152 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTA143 320 mW SOT-23-3 herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100mA 500nA PNP – Voreingestellt 300 mV bei 500 µA, 10 mA 30 bei 10 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm
CRZ10(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ10(TE85L,Q,M) 0,4900
Anfrage
 ECAD 9265 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv ±10 % -40°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOD-123F CRZ10 700 mW S-FLACH (1,6x3,5) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V bei 200 mA 10 µA bei 6 V 10 V 30 Ohm
SSM6N36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N36FE,LM 0,4300
Anfrage
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-563, SOT-666 SSM6N36 MOSFET (Metalloxid) 150 mW ES6 herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 4.000 2 N-Kanal (Dual) 20V 500mA 630 mOhm bei 200 mA, 5 V 1 V bei 1 mA 1,23 nC bei 4 V 46pF bei 10V Logikpegel-Gate
HN1D01FU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage HN1D01FU,LF(T 0,4600
Anfrage
 ECAD 137 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1D01 Standard US6 herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0070 3.000 Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit 2 Paar gemeinsame Anode 80 V 100mA 1,2 V bei 100 mA 4 ns 500 nA bei 80 V 125 °C (max.)
TK4R1A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4R1A10PL,S4X 2.0400
Anfrage
 ECAD 40 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Rohr Aktiv 175°C Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket TK4R1A10 MOSFET (Metalloxid) TO-220SIS herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 V 80A (Tc) 4,5 V, 10 V 4,1 mOhm bei 40 A, 10 V 2,5 V bei 1 mA 104 nC bei 10 V ±20V 6320 pF bei 50 V - 54W (Tc)
SSM6P39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P39TU,LF 0,4800
Anfrage
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C Oberflächenmontage 6-SMD, flache Anschlüsse SSM6P39 MOSFET (Metalloxid) 500 mW (Ta) UF6 herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 P-Kanal (Dual) 20V 1,5A (Ta) 213 mOhm bei 1 A, 4 V 1 V bei 1 mA 6,4 nC bei 4 V 250pF bei 10V Logikpegel-Gate, 1,8-V-Antrieb
HN1C03FU-A(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03FU-A(TE85L,F 0,4400
Anfrage
 ECAD 9755 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C (TJ) Oberflächenmontage 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C03 200 mW US6 herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 20V 300mA 100nA (ICBO) 2 NPN (Dual) 100 mV bei 3 mA, 30 mA 200 bei 4 mA, 2 V 30 MHz
2SB1495,Q(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1495,Q(M -
Anfrage
 ECAD 9800 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Schüttgut Veraltet 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket 2SB1495 2 W TO-220NIS herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 1 100 V 3 A 10µA (ICBO) PNP 1,5 V bei 1,5 mA, 1,5 A 2000 bei 2A, 2V -
2SK2744(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2744(F) -
Anfrage
 ECAD 1975 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Schüttgut Veraltet 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-3P-3, SC-65-3 2SK2744 MOSFET (Metalloxid) TO-3P(N) herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 50 N-Kanal 50 V 45A (Ta) 10V 20 mOhm bei 25 A, 10 V 3,5 V bei 1 mA 68 nC bei 10 V ±20V 2300 pF bei 10 V - 125 W (Tc)
TPCF8A01(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8A01(TE85L) -
Anfrage
 ECAD 1987 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher U-MOSIII Tape & Reel (TR) Veraltet 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SMD, Flachanschluss TPCF8A01 MOSFET (Metalloxid) VS-8 (2,9x1,5) herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 4.000 N-Kanal 20 V 3A (Ta) 2V, 4,5V 49 mOhm bei 1,5 A, 4,5 V 1,2 V bei 200 µA 7,5 nC bei 5 V ±12V 590 pF bei 10 V Schottky-Diode (isoliert) 330 mW (Ta)
CMZ12(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ12(TE12L,Q,M) 0,5400
Anfrage
 ECAD 9594 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv ±10 % -40°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOD-128 CMZ12 2 W M-FLACH (2,4x3,8) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V bei 200 mA 10 µA bei 8 V 12 V 30 Ohm
TK39N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60W,S1VF 5.5100
Anfrage
 ECAD 7989 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher DTMOSIV Rohr Aktiv 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-247-3 TK39N60 MOSFET (Metalloxid) TO-247 herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 30 N-Kanal 600 V 38,8A (Ta) 10V 65 mOhm bei 19,4 A, 10 V 3,7 V bei 1,9 mA 110 nC bei 10 V ±30V 4100 pF bei 300 V - 270 W (Tc)
RN2110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2110MFV,L3F 0,2000
Anfrage
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SOT-723 RN2110 150 mW VESM herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 8.000 50 V 100mA 100nA (ICBO) PNP – Voreingestellt 300 mV bei 250 µA, 5 mA 120 bei 1 mA, 5 V 4,7 kOhm
RN1305,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1305,LXHF 0,3900
Anfrage
 ECAD 6080 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher Automobil, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SC-70, SOT-323 RN1305 100 mW SC-70 herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA 500nA NPN – Voreingestellt 300 mV bei 250 µA, 5 mA 80 bei 10 mA, 5 V 250 MHz 2,2 kOhm 47 kOhm
TPH4R003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R003NL,L1Q 1.0700
Anfrage
 ECAD 4 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher U-MOSVIII-H Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-PowerVDFN TPH4R003 MOSFET (Metalloxid) 8-SOP-Vorschuss (5x5) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 30 V 40A (Tc) 4,5 V, 10 V 4 mOhm bei 20 A, 10 V 2,3 V bei 200 µA 14,8 nC bei 10 V ±20V 1400 pF bei 15 V - 1,6 W (Ta), 36 W (Tc)
1SS184,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS184,LF 0,2400
Anfrage
 ECAD 26 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS184 Standard S-Mini herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0070 3.000 Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit 1 Paar gemeinsame Kathode 80 V 100mA 1,2 V bei 100 mA 4 ns 500 nA bei 80 V 125 °C (max.)
2SA965-Y(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y(F,M) -
Anfrage
 ECAD 9438 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Schüttgut Veraltet 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-226-3, TO-92-3 Langkörper 2SA965 900 mW TO-92MOD herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 mA 100nA (ICBO) PNP 1 V bei 50 mA, 500 mA 80 bei 100 mA, 5 V 120 MHz
TPCA8036-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8036-H(TE12L,Q -
Anfrage
 ECAD 8612 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher U-MOSVI-H Tape & Reel (TR) Veraltet 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-PowerVDFN TPCA8036 MOSFET (Metalloxid) 8-SOP-Vorschuss (5x5) herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 V 38A (Ta) 4,5 V, 10 V 4,2 mOhm bei 19 A, 10 V 2,3 V bei 500 µA 50 nC bei 10 V ±20V 4600 pF bei 10 V - 1,6 W (Ta), 45 W (Tc)
2SJ377(TE16R1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ377(TE16R1,NQ) -
Anfrage
 ECAD 5182 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Veraltet 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 2SJ377 MOSFET (Metalloxid) PW-FORM herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 60 V 5A (Ta) 4V, 10V 190 mOhm bei 2,5 A, 10 V 2V bei 1mA 22 nC bei 10 V ±20V 630 pF bei 10 V - 20W (Tc)
2SA1955FVBTPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FVBTPL3Z 0,1200
Anfrage
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Veraltet 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-723 2SA1955 100 mW VESM herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0075 8.000 12 V 400mA 100nA (ICBO) PNP 250 mV bei 10 mA, 200 mA 300 bei 10 mA, 2 V 130 MHz
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