SIC
close

Diskette HalblerProdukte (2909)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
S1PA7[UD] Toshiba Semiconductor and Storage S1PA7 [UD] - - -
RFQ
 ECAD 1361 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Tablett Aktiv - - - 1 (unbegrenzt) 190-S1PA7 [UD] Ear99 8541.29.0095 100
TK13A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A60D (STA4, Q, M) - - -
RFQ
 ECAD 6841 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung π-mosvii Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack TK13A60 MOSFET (Metalloxid) To-220sis Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 600 V 13a (ta) 10V 430mohm @ 6.5a, 10V 4v @ 1ma 40 nc @ 10 v ± 30 v 2300 PF @ 25 V. - - - 50W (TC)
RN1116MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1116MFV, L3F 0,1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-723 RN1116 150 MW VESM Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 8.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 50 @ 10ma, 5v 250 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
RN4906,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4906, LXHF (CT 0,4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4906 200 MW US6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 500NA 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz, 250 MHz 4.7kohm 47kohm
RN4904,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4904, LF 0,2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4904 200 MW US6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 500NA 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 47kohm 47kohm
RN2311,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2311, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 RN2311 100 MW SC-70 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 120 @ 1ma, 5V 200 MHz 10 Kohms
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TJ8S06M3L (T6L1, NQ) 1.2600
RFQ
 ECAD 9068 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosvi Band & Rollen (TR) Aktiv 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 TJ8S06 MOSFET (Metalloxid) Dpak+ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 60 v 8a (ta) 6 V, 10V 104mohm @ 4a, 10V 3V @ 1ma 19 NC @ 10 V +10 V, -20 V 890 PF @ 10 V. - - - 27W (TC)
SSM14N956L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM14N956L, EFF 1.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C. Oberflächenhalterung 14-SMD, Keine Frotung SSM14 MOSFET (Metalloxid) 1.33W (TA) TCSPed-302701 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 10.000 2 N-Kanal 12V 20a (ta) 1,35 MOHM @ 10a, 4,5 V. 1,4 V @ 1,57 mA 76nc @ 4v - - - - - -
2SA1837,YHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, YHF (m - - -
RFQ
 ECAD 1662 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SA1837 2 w To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1 230 V 1 a 1 µA (ICBO) PNP 1,5 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 100 Ma, 5V 70 MHz
TK8R2A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK8R2A06PL, S4X 1.0200
RFQ
 ECAD 1381 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-MOSIX-H Rohr Aktiv 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack TK8R2A06 MOSFET (Metalloxid) To-220sis Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 60 v 50a (TC) 4,5 V, 10 V. 11.4mohm @ 8a, 4,5 V. 2,5 V Bei 300 ähm 28.4 NC @ 10 V. ± 20 V 1990 PF @ 25 V - - - 36W (TC)
CRF03(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRF03 (TE85L, Q, M) - - -
RFQ
 ECAD 5105 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOD-123F CRF03 Standard S-flat (1,6x3,5) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 2 V @ 700 mA 100 ns 50 µa @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C. 700 Ma - - -
TPC8129,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8129, LQ (s 0,5600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosvi Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) TPC8129 MOSFET (Metalloxid) 8-Sop Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 30 v 9a (ta) 4,5 V, 10 V. 22mohm @ 4,5a, 10V 2v @ 200 ähm 39 NC @ 10 V. +20V, -25 V. 1650 PF @ 10 V - - - 1W (TA)
TPN8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN8R903NL, LQ 0,7400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosviii-h Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn TPN8R903 MOSFET (Metalloxid) 8-Tson-Fortschnitt (3.1x3.1) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 20A (TC) 4,5 V, 10 V. 8,9mohm @ 10a, 10V 2,3 V @ 100 µA 9,8 NC @ 4,5 V. ± 20 V 820 PF @ 15 V - - - 700 MW (TA), 22W (TC)
RN2906FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN2906 100 MW Es6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 500NA 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 4.7kohm 47kohm
TBAT54S,LM Toshiba Semiconductor and Storage Tbat54s, lm 0,2100
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Tbat54 Schottky SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Serie Verbindung 30 v 200 ma 580 mv @ 100 mA 1,5 ns 2 µa @ 25 V. -55 ° C ~ 150 ° C.
SSM6N36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N36FE, LM 0,4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 SSM6N36 MOSFET (Metalloxid) 150 MW Es6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 2 n-kanal (dual) 20V 500 mA 630mohm @ 200 Ma, 5V 1v @ 1ma 1.23nc @ 4v 46PF @ 10V Logikpegel -tor
2SC5930(TPF2,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5930 (TPF2, F, M) - - -
RFQ
 ECAD 9534 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch SC-71 2SC5930 1 w MSTM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 600 V 1 a 100 µA (ICBO) Npn 1v @ 75 mA, 600 mA 40 @ 200 Ma, 5V - - -
RN1711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1711JE (TE85L, F) 0,4100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-553 RN1711 100 MW ESV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 4.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 120 @ 1ma, 5V 250 MHz 10kohm - - -
XPQ1R004PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPQ1R004PB, LXHQ 3.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automotive, AEC-Q101, U-MOSIX-H Band & Rollen (TR) Aktiv 175 ° C. Oberflächenhalterung 8-Powerbsfn XPQ1R004 MOSFET (Metalloxid) L-Togl ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 40 v 200a (TA) 6 V, 10V 1mohm @ 100a, 10V 3 V @ 500 ähm 84 NC @ 10 V ± 20 V 6890 PF @ 10 V - - - 230W (TC)
RN1109,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1109, LXHF (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 RN1109 100 MW SSM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 70 @ 10ma, 5V 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
TK100E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK100E06N1, S1X 2.7500
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosviii-h Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 TK100E06 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 60 v 100a (ta) 10V 2,3 MOHM @ 50A, 10V 4v @ 1ma 140 nc @ 10 v ± 20 V 10500 PF @ 30 V - - - 255W (TC)
TK25E60X5,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK25E60X5, S1X 4.5900
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosiv-H Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 TK25E60 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 25a (ta) 10V 140 MOHM @ 7,5A, 10V 4,5 V @ 1,2 mA 60 nc @ 10 v ± 30 v 2400 PF @ 300 V - - - 180W (TC)
TK39J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W, S1VQ 10.7200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosiv Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 TK39J60 MOSFET (Metalloxid) To-3p (n) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 600 V 38,8a (TA) 10V 65mohm @ 19.4a, 10V 3,7 V @ 1,9 Ma 110 nc @ 10 v ± 30 v 4100 PF @ 300 V - - - 270W (TC)
MT3S20P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20P (TE12L, F) - - -
RFQ
 ECAD 2879 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa MT3S20 1,8W PW-mini - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1.000 16.5db 12V 80 Ma Npn 100 @ 50 Ma, 5V 7GHz 1,45 dB @ 1 GHz
2SC5549,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5549, T6F (j - - -
RFQ
 ECAD 5131 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SC5549 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 1 400 V 1 a 100 µA (ICBO) Npn 1v @ 25ma, 200 mA 20 @ 40 Ma, 5V - - -
TK190U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK190U65Z, RQ 2.9200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosvi Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C. Oberflächenhalterung 8-Powerfn MOSFET (Metalloxid) Maut Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 650 V 15a (ta) 10V 190mohm @ 7.5a, 10V 4 V @ 610 µA 25 NC @ 10 V ± 30 v 1370 PF @ 300 V - - - 130W (TC)
RN2102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2102CT (TPL3) - - -
RFQ
 ECAD 9019 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 RN2102 50 MW CST3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 10.000 20 v 50 ma 500NA PNP - VoreInensmen 150 mV @ 250 ua, 5 mA 60 @ 10ma, 5V 10 Kohms 10 Kohms
TK39N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60W, S1VF 5.5100
RFQ
 ECAD 7989 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosiv Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 TK39N60 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 600 V 38,8a (TA) 10V 65mohm @ 19.4a, 10V 3,7 V @ 1,9 Ma 110 nc @ 10 v ± 30 v 4100 PF @ 300 V - - - 270W (TC)
2SA965-Y,T6KOJPF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-y, T6KOJPF (j - - -
RFQ
 ECAD 5039 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SA965 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 mA 100NA (ICBO) PNP 1v @ 50 mA, 500 mA 80 @ 100ma, 5V 120 MHz
2SA1837(LBSAN,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 (LBSAN, F, M) - - -
RFQ
 ECAD 2923 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SA1837 2 w To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1 230 V 1 a 1 µA (ICBO) PNP 1,5 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 100 Ma, 5V 70 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

RFQ -Liste (0 Elemente)
Wagenliste (0 Elemente)
WishlistWunschliste (0 Elemente)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

Menge: 1

Vergleichen Sie die Liste (0 Elemente)
Drücken Sie die Eingabetaste, um zu suchen oder ESC zu schließen