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Diskette HalblerProdukte (2909)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
TPCA8128,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8128, LQ (CM - - -
RFQ
 ECAD 6650 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosvi Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn TPCA8128 MOSFET (Metalloxid) 8-fuß-äharsch (5x5) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 30 v 34a (ta) 4,5 V, 10 V. 4,8 MOHM @ 17A, 10V 2v @ 500 ähm 115 NC @ 10 V +20V, -25 V. 4800 PF @ 10 V. - - - 1,6W (TA), 45W (TC)
TK39J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W5, S1VQ 12.2700
RFQ
 ECAD 3287 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosiv Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 TK39J60 MOSFET (Metalloxid) To-3p (n) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 600 V 38,8a (TA) 10V 65mohm @ 19.4a, 10V 3,7 V @ 1,9 Ma 135 NC @ 10 V ± 30 v 4100 PF @ 300 V - - - 270W (TC)
RN1701,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1701, LF 0,3000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1701 200 MW USV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 30 @ 10ma, 5v 250 MHz 4.7kohm 4.7kohm
TK10A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A80E, S4X 2.4200
RFQ
 ECAD 117 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung π-mosviii Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack TK10A80 MOSFET (Metalloxid) To-220sis Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 800 V 10a (ta) 10V 1ohm @ 5a, 10V 4v @ 1ma 46 NC @ 10 V ± 30 v 2000 PF @ 25 V. - - - 50W (TC)
SSM3J134TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J134TU, LF 0,4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosvi Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C. Oberflächenhalterung 3-smd, Flache Leitungen SSM3J134 MOSFET (Metalloxid) UFM Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 20 v 3.2a (ta) 1,5 V, 4,5 V. 93mohm @ 1,5a, 4,5 V. 1v @ 1ma 4,7 NC @ 4,5 V. ± 8 v 290 PF @ 10 V. - - - 500 MW (TA)
TDTC143E,LM Toshiba Semiconductor and Storage Tdtc143e, lm 0,1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 TDTC143 320 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 10ma, 5v 250 MHz 4.7 Kohms
2SA2215,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2215, lf 0,5000
RFQ
 ECAD 4593 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Flache Leitungen 2SA2215 500 MW UFM Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 20 v 2,5 a 100NA (ICBO) PNP 190mv @ 53 Ma, 1,6a 200 @ 500 Ma, 2V - - -
TJ40S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ40S04M3L (T6L1, NQ 1.7200
RFQ
 ECAD 1939 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosvi Band & Rollen (TR) Aktiv 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 TJ40S04 MOSFET (Metalloxid) Dpak+ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 40 v 40a (ta) 6 V, 10V 9.1mohm @ 20a, 10V 3V @ 1ma 83 NC @ 10 V +10 V, -20 V 4140 PF @ 10 V. - - - 68W (TC)
2SC2229-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-y, F (j - - -
RFQ
 ECAD 5348 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SC2229 800 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 ma 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 1ma, 10 mA 70 @ 10ma, 5V 120 MHz
TJ10S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ10S04M3L, LXHQ 0,9500
RFQ
 ECAD 4099 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosvi Band & Rollen (TR) Aktiv 175 ° C. Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 TJ10S04 MOSFET (Metalloxid) Dpak+ Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 40 v 10a (ta) 6 V, 10V 44mohm @ 5a, 10V 3V @ 1ma 19 NC @ 10 V +10 V, -20 V 930 PF @ 10 V - - - 27W (TC)
CRZ22(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ22 (TE85L, Q, M) - - -
RFQ
 ECAD 8634 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123F CRZ22 700 MW S-flat (1,6x3,5) Herunterladen ROHS -KONFORM CRZ22 (TE85LQM) Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µa @ 16 V 22 v 30 Ohm
1SS379,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS379, lf 0,4200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 1SS379 Standard SC-59 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Serie Verbindung 80 v 100 ma 1,3 V @ 100 mA 10 Na @ 80 V 125 ° C (max)
CRZ16(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ16 (TE85L, Q, M) 0,4900
RFQ
 ECAD 6370 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123F CRZ16 700 MW S-flat (1,6x3,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µa @ 11 V 16 v 30 Ohm
2SC2235-O(T6ASN,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O (T6ASN, FM - - -
RFQ
 ECAD 2868 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SC2235 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 mA 100NA (ICBO) Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 80 @ 100ma, 5V 120 MHz
2SK4021(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4021 (q) - - -
RFQ
 ECAD 5729 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-251-3 Stub Leads, ipak 2SK4021 MOSFET (Metalloxid) Pw-mold2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 200 N-Kanal 250 V 4,5a (TA) 10V 1OHM @ 2,5a, 10V 3,5 V @ 1ma 10 nc @ 10 v ± 20 V 440 PF @ 10 V. - - - 20W (TC)
RN1305,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1305, lf 0,2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 RN1305 100 MW SC-70 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
RN2910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910, LXHF (CT 0,4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2910 200 MW US6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 120 @ 1ma, 5V 200 MHz 4.7kohm - - -
RN4606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4606 (TE85L, F) 0,3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 RN4606 300 MW Sm6 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 100 µA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz, 250 MHz 4.7kohm 47kohm
RN2310,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2310, lf 0,1700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 RN2310 100 MW SC-70 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 120 @ 1ma, 5V 200 MHz 4.7 Kohms
2SB1495,Q(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1495, Q (m - - -
RFQ
 ECAD 9800 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SB1495 2 w To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 10 µA (ICBO) PNP 1,5 V @ 1,5 Ma, 1,5a 2000 @ 2a, 2v - - -
RN1311,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1311, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 RN1311 100 MW SC-70 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 120 @ 1ma, 5V 250 MHz 10 Kohms
RN2112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2112CT (TPL3) - - -
RFQ
 ECAD 9368 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 RN2112 50 MW CST3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 10.000 20 v 50 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 150 mV @ 250 ua, 5 mA 300 @ 1ma, 5v 22 Kohms
CRY82(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Cry82 (TE85L, Q, M) - - -
RFQ
 ECAD 3176 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123F Cry82 700 MW S-flat (1,6x3,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µa @ 4,9 V 8.2 v 30 Ohm
SSM6N35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage Ssm6n35afe, lf 0,4000
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C. Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 SSM6N35 MOSFET (Metalloxid) 250 MW Es6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 2 n-kanal (dual) 20V 250 mA (TA) 1,1OHM @ 150 mA, 4,5 V. 1 V @ 100 µA 0,34nc @ 4,5 V 36PF @ 10V Logikpegel -Tor, 1,2 V Auftwerk
RN4981FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4981FE, LF (CT 0,2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN4981 100 MW Es6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 500NA 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 30 @ 10ma, 5v 250 MHz, 200 MHz 4.7kohm 4.7kohm
TK560P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P60Y, RQ 1.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosv Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 TK560P60 MOSFET (Metalloxid) Dpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 600 V 7a (TC) 10V 560 MOHM @ 3,5A, 10V 4V @ 240 ähm 14,5 NC @ 10 V. ± 30 v 380 PF @ 300 V - - - 60 W (TC)
2SC4213-A(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4213-A (TE85L, F) 0,0742
RFQ
 ECAD 4305 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 2SC4213 100 MW SC-70 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 20 v 300 ma 100NA (ICBO) Npn 100 mv @ 3ma, 30a 200 @ 4ma, 2v 30 MHz
2SA1020-Y,T6NSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y, T6NSF (j - - -
RFQ
 ECAD 2103 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SA1020 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) 2SA1020-YT6NSF (j Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 Ma, 1a 70 @ 500 mA, 2V 100 MHz
RN1423TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1423TE85LF 0,4200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 RN1423 200 MW S-mini Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 800 mA 500NA NPN - VORGEPANNT 250mv @ 1ma, 50 mA 70 @ 100 mA, 1V 300 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2SC2235-Y,T6USNF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y, T6USNF (m - - -
RFQ
 ECAD 4600 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SC2235 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 mA 100NA (ICBO) Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 80 @ 100ma, 5V 120 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    Lagerhaus

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